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NXP MRF6V2010NR1

Name: MRF6V2010NR1
Brand: NXP
Rating: 4.8 (10 reviews)

RF Power Transistor,10 to 450 MHz, 10 W, Typ Gain in dB is 23.9 @ 220 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1732

브랜드: NXP

제조업체부품 #: MRF6V2010NR1

데이터 시트: MRF6V2010NR1 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: TO-270

상품 유형: RF FETs, MOSFETs

RoHS 상태:

재고상태: 9,458 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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MRF6V2010NR1 일반적인 설명

Featuring a Drain Source Voltage (Vds) of 110VDC and a frequency range of 10MHz to 450MHz, the MRF6V2010NR1 RF transistor is a robust component for RF applications. Its TO-270 case style and 2 pins provide ease of integration, while its maximum operating temperature of 225°C allows for use in high-temperature environments. Designed to meet MSL 3 standards, this transistor ensures reliability for up to 168 hours. Furthermore, it is free from any SVHC as of January 15, 2019

특징

Characterized with Series Equivalent Large--Signal Impedance Parameters
Qualified Up to a Maximum of 50 VDD Operation
Integrated ESD Protection
225°C Capable Plastic Package
RoHS Compliant
TO--270--2 in Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 24 mm, 13 inch Reel.
TO--272--2 in Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 44 mm, 13 inch Reel.

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Manufacturer:	NXP	Product Category:	RF MOSFET Transistors
RoHS:	Details	Transistor Polarity:	N-Channel
Technology:	Si	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	110 V
Operating Frequency:	450 MHz	Gain:	23.9 dB
Output Power:	10 W	Minimum Operating Temperature:	- 65 C
Maximum Operating Temperature:	+ 150 C	Mounting Style:	SMD/SMT
Package / Case:	TO-270	Packaging:	MouseReel
Brand:	NXP Semiconductors	Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single	Height:	2.08 mm
Length:	9.7 mm	Moisture Sensitive:	Yes
Product Type:	RF MOSFET Transistors	Series:	MRF6V2010N
Factory Pack Quantity:	500	Subcategory:	MOSFETs
Type:	RF Power MOSFET	Vgs - Gate-Source Voltage:	- 5 V, 10 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	1.68 V	Width:	6.15 mm
Part # Aliases:	935309669528

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부품 포인트

The MRF6V2010NR1 is a high-power RF transistor chip designed for use in applications such as radios, transmitters, and amplifiers. With a frequency range of 175-250 MHz and a power output of 10 watts, this chip is ideal for high-performance RF systems that require reliable and efficient power amplification.
Equivalent

The equivalent products of MRF6V2010NR1 chip are MRF6V2010NR6 and MRF6V2010NB. These chips are high power RF transistors designed for use in various applications such as mobile radios, cellular base stations, and other high power RF amplifiers.
Features

MRF6V2010NR1 is a high-power RF transistor with a frequency range of 920-1215 MHz. It features a compact size, high gain, high efficiency, and excellent linearity. This transistor is designed for applications like avionics and radar systems where high power amplification is required.
Pinout

The MRF6V2010NR1 is a high-frequency, high-power RF transistor with a pin count of 3. It is commonly used in RF amplifier applications due to its excellent linearity and efficiency. The pin functions include gate (G), drain (D), and source (S) for optimal performance in high-power RF systems.
Manufacturer

MRF6V2010NR1 is manufactured by NXP Semiconductors. NXP Semiconductors is a Dutch-American semiconductor manufacturer known for producing a wide range of products including microcontrollers, sensors, and amplifiers for various industries such as automotive, industrial, and consumer electronics. They are a global leader in the semiconductor industry and are headquartered in Eindhoven, Netherlands.
Application Field

The MRF6V2010NR1 is commonly used in high power amplifier applications, such as in military and aerospace systems, medical equipment, industrial heating and welding systems, and broadcast transmitters. It is also used in radar, electronic warfare, and satellite communication systems that require high frequency and high power output.
Package

The MRF6V2010NR1 is a surface mount package, specifically a NI-780 form type. It is a 37mm x 40mm x 15mm chip with a ceramic substrate and metal cover.