이 웹사이트는 쿠키를 사용합니다. 이 사이트를 이용함으로써 귀하는 쿠키 사용에 동의하게 됩니다. 자세한 내용은 다음을 참조하세요. 개인 정보 정책.

이미지는 참고용입니다. 제품 사양 보기

NXP MRF6S20010GNR1

Name: MRF6S20010GNR1
Rating: 4.5 (6 reviews)

Trans RF MOSFET N-CH 68V 3-Pin TO-270 GULL T/R

브랜드: NXP Semiconductor

제조업체부품 #: MRF6S20010GNR1

데이터 시트: MRF6S20010GNR1 Datasheet (PDF)

패키지/케이스: TO-270

상품 유형: 트랜지스터

RoHS 상태:

재고상태: 3565 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

BOM에 추가

빠른 견적

다음에 대한 RFQ를 제출해 주십시오. MRF6S20010GNR1 또는 우리에게 이메일을 보내: 이메일: [email protected], 12시간 이내에 연락드리겠습니다.

수량^*

이메일^*

담당자 이름^*

회사

주목

MRF6S20010GNR1 일반적인 설명

RF FET, 68V, 2.2GHZ-1.6GHZ, TO-270G; Drain Source Voltage Vds: 68V; Continuous Drain Current Id: -; Power Dissipation Pd: -; Operating Frequency Min: 2.2GHz; Operating Frequency Max: 1.6GHz; RF Transistor Case: TO-270G; No. of

특징

Operating frequency: 1920 - 1990 MHz
Output Power: 10 W
Efficiency: 57%
Gain: 12 dB
Voltage: 32 V
Package: OM-780-4

애플리케이션

AFT05MS004NT1
BLC9G20L-160AV
FLL57MK-A
PTFA091001FV5
QPD0009L
SPF-2860Z

명세서

매개변수	값	매개변수	값
feature-packaging	Tape and Reel	feature-rad-hard
feature-pin-count	3	feature-supplier-package	TO-270 GULL
feature-standard-package-name1	TO-270 GULL	feature-cecc-qualified	No
feature-esd-protection		feature-escc-qualified
feature-military	No	feature-aec-qualified	No
feature-aec-qualified-number		feature-auto-motive	No
feature-p-pap	No	feature-eccn-code	EAR99
feature-svhc	Yes

배송

	배송비	리드타임
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
페덱스	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
등기 항공 우편	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날

처리 시간: 배송비는 지역 및 국가에 따라 다릅니다.

지불

지불 조건		핸드 수수료
	은행 송금	US$30.00의 은행 수수료를 부과합니다.
	페이팔	4.0%의 서비스 수수료를 부과합니다.
	신용 카드	3.5% 서비스 수수료를 부과합니다.
	웨스턴 유니언	charge US.00 banking fee.
	돈 그램	US$0.00의 은행 수수료를 부과합니다.

보증

1. 귀하가 구입한 전자 부품에는 365일 보증이 포함되어 있으며, 우리는 제품 품질을 보장합니다.

2. 귀하가 받은 품목 중 일부가 완벽한 품질이 아닌 경우, 당사는 책임 있게 귀하의 환불 또는 교체를 준비할 것입니다. 그러나 품목은 원래 상태를 유지해야 합니다.

포장

단계1 :제품
단계2 :진공 포장
단계3 :정전기 방지 가방
단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
단계6 :바코드 배송 태그

모든 제품은 정전기 방지 가방에 포장됩니다. ESD 정전기 방지 보호 장치와 함께 배송됩니다.

외부 ESD 포장 라벨은 당사 정보(부품 번호, 브랜드 및 수량)를 사용합니다.

우리는 선적 전에 모든 상품을 검사하고, 모든 제품이 양호한 상태인지 확인하고, 부품이 새로운 원본 일치 데이터시트인지 확인합니다.

모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The MRF6S20010GNR1 chip is a high-frequency, power amplifier designed for applications in the industrial, scientific, and medical fields. It offers a frequency range of 2110 to 2170 MHz with a maximum output power of 10 watts. The chip is designed to provide reliable and efficient amplification for wireless communication systems, enabling enhanced performance and signal quality.
Equivalent

Some equivalent products to the MRF6S20010GNR1 chip are the BLC10G25LS-100AVR chip, the HMC311SC60 chip, and the MAMX-011013 chip.
Features

The MRF6S20010GNR1 is a high-power RF transistor with a frequency range of 1920-1980 MHz. It offers a typical power output of 10 Watts and has a gain of 17.6 dB. This transistor is designed for use in applications such as cellular base stations, mobile radios, and other RF power amplifiers.
Pinout

The MRF6S20010GNR1 is a transistor with a pin count of 4. Its primary function is to amplify signals in the range of 1.85 GHz to 2.17 GHz.
Manufacturer

The manufacturer of the MRF6S20010GNR1 is NXP Semiconductors. NXP is a Dutch multinational semiconductor manufacturer that specializes in the research, development, and production of a wide range of integrated circuits, including RF power amplifiers like the MRF6S20010GNR1.
Application Field

The MRF6S20010GNR1 is a high-power RF transistor designed for use in broadcast applications, including TV and radio transmitters. It provides excellent performance and power efficiency, making it suitable for various broadcast systems and equipment.
Package

The MRF6S20010GNR1 chip is available in a TO-270 package type, with a flanged ceramic form. The size of the chip is typically 10.1 mm x 8.9 mm.