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$5000NXP MRFE6S9060NR1
RF Mosfet 28 V 450 mA 880MHz 21.1dB 14W TO-270-2
브랜드: NXP
제조업체부품 #: MRFE6S9060NR1
데이터 시트: MRFE6S9060NR1 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: TO-270
상품 유형: RF FETs, MOSFETs
MRFE6S9060NR1 일반적인 설명
The MRFE6S9060NR1 is a powerful LDMOS transistor engineered for demanding applications in mobile radio, cellular base stations, and wireless communications systems. With a frequency range of 860-960 MHz, it can deliver an impressive 60 watts of output power, making it a highly capable and versatile component for high-power applications. Its high gain of 18.5 dB ensures superior linearity and efficiency, catering to the needs of advanced communication systems. Moreover, the transistor boasts a drain efficiency of 60%, effectively maximizing power output while minimizing heat dissipation, resulting in reliable and consistent performance
명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | NXP | Product Category: | RF MOSFET Transistors |
| RoHS: | Details | Transistor Polarity: | N-Channel |
| Technology: | Si | Id - Continuous Drain Current: | 1.5 A |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 66 V | Rds On - Drain-Source Resistance: | - |
| Operating Frequency: | 1 GHz | Gain: | 21.1 dB |
| Output Power: | 14 W | Minimum Operating Temperature: | - 65 C |
| Maximum Operating Temperature: | + 150 C | Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-270 | Packaging: | MouseReel |
| Brand: | NXP Semiconductors | Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single | Height: | 2.08 mm |
| Length: | 9.7 mm | Moisture Sensitive: | Yes |
| Product Type: | RF MOSFET Transistors | Series: | MRFE6S9060N |
| Factory Pack Quantity: | 500 | Subcategory: | MOSFETs |
| Type: | RF Power MOSFET | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 500 mV, 12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.2 V | Width: | 6.15 mm |
| Part # Aliases: | 935309637528 |
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부품 포인트
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The MRFE6S9060NR1 chip is a high-power RF transistor designed for use in industrial and commercial applications. It operates at a frequency range of 900 MHz to 960 MHz and provides high linearity and efficiency. The chip offers a max output power of 60 watts, making it suitable for various RF power amplifier designs. It is commonly used in wireless communication systems and other high-power RF applications.
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Equivalent
There are no direct equivalent products of the MRFE6S9060NR1 chip. However, there are similar products available from other manufacturers, such as the MRF6S9060NR1 from Freescale Semiconductor or the BLF6G27-150 from NXP Semiconductors, which may serve as alternatives. These options should be researched for compatibility and specifications before considering them as replacements. -
Features
The MRFE6S9060NR1 is a high-power RF transistor that operates in the frequency range of 860-960 MHz. It has a power output of 60 Watts and offers high gain and efficiency. It is designed for use in applications such as mobile radio, base station, and broadcast systems. -
Pinout
The MRFE6S9060NR1 is a 60-watt RF power field-effect transistor (FET) with a pin count of 4. The pin configuration includes a gate, drain, and source, which are the standard pins found in power FET devices. This transistor is commonly used in high-frequency applications such as wireless communications and radar systems. -
Manufacturer
The manufacturer of the MRFE6S9060NR1 is NXP Semiconductors. NXP Semiconductors is a multinational semiconductor manufacturer that specializes in providing high-performance mixed-signal electronics and embedded systems solutions. -
Application Field
The MRFE6S9060NR1 is a high-frequency transistor designed for use in industrial and scientific applications, including laser drivers, plasma generators, and radio frequency (RF) amplifiers. -
Package
The MRFE6S9060NR1 chip has a package type called "MO-150AB" with a form factor known as "LDMOS." It is a high-voltage, high-power RF power field-effect transistor (FET) with a size of approximately 9.25mm x 22.6mm x 6.1mm.
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