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NXP BLF878

Name: BLF878
Rating: 4.5 (10 reviews)

Reliable power switching solution for wireless communication systems: 5-Pin LDMOST transistor

브랜드: Ampleon Usa Inc.

제조업체부품 #: BLF878

데이터 시트: BLF878 Datasheet (PDF)

패키지/케이스: SOT-979A

상품 유형: RF FETs, MOSFETs

RoHS 상태:

재고상태: 2,045 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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BLF878 일반적인 설명

Featuring two channels, BLF878 allows for flexible configuration and enhanced performance in RF power amplifier circuits. Its UHF band capabilities make it suitable for a wide range of applications, including mobile communications, broadcast equipment, and industrial RF systems

특징

Frequency range: 470-860 MHz
Output power: 350 W
Efficiency: up to 50%
Input impedance: 50 ohms
Package: NI-1230S

애플리케이션

Broadcast transmitters for TV and radio
High-power amplifiers for wireless communication systems
Radar systems
Industrial heating equipment

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Packaging	Tray	Part Status	Obsolete
Technology	LDMOS	Configuration	Dual, Common Source
Frequency	860MHz	Gain	21dB
Voltage - Test	40 V	Current - Test	1.4 A
Power - Output	300W	Voltage - Rated	89 V
Mounting Type	Chassis Mount	Package / Case	SOT-979A
Supplier Device Package	CDFM2

배송

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DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
페덱스	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
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단계1 :제품
단계2 :진공 포장
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단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
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등가 부품

에 대한 BLF878 구성 요소인 경우 이러한 교체 및 대체 부품을 고려할 수 있습니다.:

부품 번호

브랜드

패키지

설명

부품 번호 : BLF888A

브랜드 :

패키지 : SOT539A

설명 : UHF power LDMOS transistor

부품 번호 : MRF6VP3450H

브랜드 :

패키지 :

설명 :

부품 번호 : MRFE6VP5600H

브랜드 :

패키지 :

설명 :

부품 번호 : MRF7S38010HSR5

브랜드 :

패키지 :

설명 :

부품 번호 : MRF6V2300NBR5

브랜드 :

패키지 :

설명 :

부품 포인트

BLF878 is a high-power RF transistor commonly used in commercial and amateur radio applications. It operates on frequencies up to 470 MHz and has a maximum output power of 160W. The chip is known for its high efficiency and reliability, making it a popular choice for RF power amplification in various RF systems.
Equivalent

The equivalent products of BLF878 chip are the BLF871 and BLF868 RF power transistors from NXP Semiconductors, which both offer high efficiency and power handling capabilities for RF power applications.
Features

1. Designed for high power amplification applications 2. Operating frequency range of 470-860 MHz 3. Output power of up to 10W 4. Efficiency of 31% 5. Integrated ESD protection 6. High gain of 13 dB 7. Low thermal resistance 8. Low thermal resistance of 0.27 K/W
Pinout

The BLF878 is a power amplifier transistor with a pin count of 2. Pin 1 is the source terminal (GND), and pin 2 is the drain terminal (RF OUT). The device is typically used for high-power RF amplifier applications in the UHF band.
Manufacturer

The BLF878 is manufactured by NXP Semiconductors, a semiconductor manufacturer known for producing a wide range of products for various industries including automotive, industrial, and communication sectors. NXP Semiconductors is a multinational company with a focus on developing innovative technologies for a connected world.
Application Field

The BLF878 is commonly used in commercial and military radar systems, satellite communications, electronic warfare, and industrial applications. It can also be utilized in medical equipment, scientific instruments, and high-power amplifiers for various RF and microwave applications.
Package

The BLF878 chip comes in a non-hermetic surface-mount plastic package with a form factor of 5.2 x 6.0 mm.