이 웹사이트는 쿠키를 사용합니다. 이 사이트를 이용함으로써 귀하는 쿠키 사용에 동의하게 됩니다. 자세한 내용은 다음을 참조하세요. 개인 정보 정책.

주문 금액이

$5000
받으세요 $50 할인을!

NXP BLF888A

BLF888A is an N-channel RF MOSFET optimized for radio frequency tasks, accommodating voltages up to 110V and encapsulated in a 5-pin SOT-539A package

ISO14001 ISO9001 DUNS

브랜드: Ampleon

제조업체부품 #: BLF888A

데이터 시트: BLF888A 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: SOT-539A

상품 유형: RF FETs, MOSFETs

RoHS 상태:

재고상태: 3,346 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

빠른 견적

다음에 대한 RFQ를 제출해 주십시오. BLF888A 또는 우리에게 이메일을 보내: 이메일: [email protected], 12시간 이내에 연락드리겠습니다.

BLF888A 일반적인 설명

The BLF888A is a high-power RF transistor designed for use in the broadcast industry, specifically for FM radio and TV applications. It is a silicon N-channel enhancement mode lateral DMOS transistor capable of operating at frequencies up to 500 MHz. The BLF888A is capable of delivering output power levels of up to 1.2 kW with a gain of 12 dB, making it suitable for high-power broadcast amplification.This transistor is housed in a bolt-down package for easy installation and heat dissipation. It features a thermistor for temperature sensing and protection, as well as internal input matching for optimal performance. The BLF888A is designed for reliable operation in harsh environments, with enhanced ruggedness and thermal stability.With a drain efficiency of up to 75% at rated output power, the BLF888A offers high performance while minimizing power consumption. It has a low thermal resistance to ensure efficient heat dissipation and reliability under high power operation. The BLF888A is RoHS compliant and is suitable for use in a variety of broadcast applications where high-power amplification is required

blf888a

특징

  • High power and high gain
  • Excellent linearity and low intermodulation distortion
  • Designed for broadband commercial and military applications
  • Capable of handling high VSWR mismatch
  • Integrated ESD protection
  • Available in bolt down or solder down flange package

애플리케이션

  • Industrial RF power amplification
  • Mobile radio transmitters
  • RF heating applications
  • Avionics
  • Marine radar systems
  • Amateur radio
  • Medical equipment
  • Television and FM broadcast transmitters
  • Microwave ovens
  • Scientific research

명세서

매개변수 매개변수
ECCN (US) EAR99 Part Status Active
Configuration Dual Common Source Channel Mode Enhancement
Channel Type N Number of Elements per Chip 1
Mode of Operation Pulsed RF Class-AB|DVB-T|2-Tone Class-AB Process Technology LDMOS
Maximum Drain Source Voltage (V) 110 Maximum Gate Source Voltage (V) 11
Maximum VSWR 10 Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 143(Typ)@6.15V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 220@50V Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) 1.2@50V
Typical Output Capacitance @ Vds (pF) 74@50V Output Power (W) 250(Min)
Typical Power Gain (dB) 21 Maximum Frequency (MHz) 860
Minimum Frequency (MHz) 470 Typical Drain Efficiency (%) 46
Minimum Operating Temperature (°C) -65 Maximum Operating Temperature (°C) 200
Mounting Screw Package Height 4.7(Max)
Package Width 10.29(Max) Package Length 41.28(Max)
PCB changed 5 Supplier Package SOT-539A
Pin Count 5

배송

배송 유형 배송비 리드타임
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 날
Fedex 페덱스 $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 날
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 날
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 날
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 날
등기 항공 우편 등기 항공 우편 $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 날

처리 시간: 배송비는 지역 및 국가에 따라 다릅니다.

지불

지불 조건 핸드 수수료
은행 송금 은행 송금 US$30.00의 은행 수수료를 부과합니다.
페이팔 페이팔 4.0%의 서비스 수수료를 부과합니다.
신용 카드 신용 카드 3.5% 서비스 수수료를 부과합니다.
웨스턴 유니언 웨스턴 유니언 charge US.00 banking fee.
돈 그램 돈 그램 US$0.00의 은행 수수료를 부과합니다.

보증

1. 귀하가 구입한 전자 부품에는 365일 보증이 포함되어 있으며, 우리는 제품 품질을 보장합니다.

2. 귀하가 받은 품목 중 일부가 완벽한 품질이 아닌 경우, 당사는 책임 있게 귀하의 환불 또는 교체를 준비할 것입니다. 그러나 품목은 원래 상태를 유지해야 합니다.

포장

  • 제품

    단계1 :제품

  • 진공 포장

    단계2 :진공 포장

  • 정전기 방지 가방

    단계3 :정전기 방지 가방

  • 개별 포장

    단계4 :개별 포장

  • 포장 상자

    단계5 :포장 상자

  • 바코드 배송 태그

    단계6 :바코드 배송 태그

모든 제품은 정전기 방지 가방에 포장됩니다. ESD 정전기 방지 보호 장치와 함께 배송됩니다.

외부 ESD 포장 라벨은 당사 정보(부품 번호, 브랜드 및 수량)를 사용합니다.

우리는 선적 전에 모든 상품을 검사하고, 모든 제품이 양호한 상태인지 확인하고, 부품이 새로운 원본 일치 데이터시트인지 확인합니다.

모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

  • ESD
  • ESD

부품 포인트

  • The BLF888A is a power amplifier chip commonly used in RF (radio frequency) applications. It belongs to the LDMOS (laterally-diffused metal–oxide–semiconductor) transistor family and offers high power and efficiency. With its excellent linearity and thermal performance, it is widely used in telecommunications, broadcasting, and other wireless infrastructure systems. The BLF888A chip provides a reliable and efficient solution for amplifying RF signals.
  • Features

    BLF888A is a high-power LDMOS transistor designed for applications in the VHF to UHF frequency range. It operates at a maximum power output of 1500 Watts and delivers high gain and efficiency. This transistor also offers excellent thermal stability, suitable for a wide range of RF power amplifier circuits.
  • Pinout

    The BLF888A is a power transistor with a package pin count of three. The pin functions are as follows: Pin 1 is the emitter, Pin 2 is the base, and Pin 3 is the collector.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the BLF888A is NXP Semiconductors. NXP is a global semiconductor company that offers a wide range of products and solutions for various industries, including automotive, industrial, and communication sectors.
  • Application Field

    The BLF888A is a power transistor commonly used in RF (radio frequency) amplifier applications, such as base stations for wireless communication systems, radar systems, and industrial applications that require high power and efficiency.
  • Package

    The BLF888A chip has a package type of SOT502A, a form of SMD, and a size of 11.3mm x 5.3mm.

우리는 고품질 제품, 사려 깊은 서비스 및 판매 후 보증을 제공합니다.

  • 제품

    우리는 풍부한 제품을 보유하고 있으며 귀하의 다양한 요구를 충족시킬 수 있습니다.

  • quantity

    최소 주문 수량은 1개부터입니다.

  • shipping

    최저 국제 배송비는 $0.00부터 시작됩니다

  • 보장하다

    모든 제품에 대해 365일 품질 보증

평가 및 리뷰

평가
제품을 평가해주세요!
댓글을 입력해주세요

귀하의 계정에 로그인하신 후 의견을 제출해 주십시오.

제출하다

추천하다

  • MRF6S20010GNR1

    MRF6S20010GNR1

    NXP Semiconductor

    Trans RF MOSFET N-CH 68V 3-Pin TO-270 GULL T/R

  • MRFE6VP6300HR5

    MRFE6VP6300HR5

    Nxp

    Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-6...

  • MRFE6VP61K25HR6

    MRFE6VP61K25HR6

    Nxp

    RF MOSFET Transistors VHV6 1.25KW ISM NI1230H

  • FGH60N60

    FGH60N60

    Nxp

    Enjoy hassle-free returns on the FGH60N60SMD IGBT,...

  • BC879

    BC879

    Nxp

    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80 V 1 A...

  • PBSS4350Z

    PBSS4350Z

    Nexperia

    Bipolar Transistors - BJT