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NXP FGH60N60UFD

Name: FGH60N60UFD
Rating: 4.5 (10 reviews)

IGBT, 600V, 20A, 1.8V, TO-247Low VCE(ON) Field Stop

브랜드: Onsemi

제조업체부품 #: FGH60N60UFD

데이터 시트: FGH60N60UFD Datasheet (PDF)

패키지/케이스: TO-247

상품 유형: 개별 반도체

RoHS 상태:

재고상태: 3129 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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FGH60N60UFD 일반적인 설명

Using novel field stop IGBT technology, ON Semiconductor’s field stop IGBTs offer the optimum performance for solar inverter, UPS, welder and PFC applications where low conduction and switching losses are essential.

특징

High current capability
Low saturation voltage: V_CE(sat) = 1.9V @ I_C = 60A
High input impedance
Fast switching: E_OFF =14uJ/A
RoHS compliant

애플리케이션

Energy Generation & Distribution

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Product Category	IGBT Transistors	Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V
Brand	onsemi	Product Type	IGBT Transistors
Factory Pack Quantity	450

배송

	배송비	리드타임
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
페덱스	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
등기 항공 우편	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날

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단계1 :제품
단계2 :진공 포장
단계3 :정전기 방지 가방
단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
단계6 :바코드 배송 태그

모든 제품은 정전기 방지 가방에 포장됩니다. ESD 정전기 방지 보호 장치와 함께 배송됩니다.

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모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The FGH60N60UFD chip is a power semiconductor device designed for use in high-power applications such as motor drives, UPS systems, and induction heating. It offers low switching losses, high efficiency, and reliable performance. The chip features a 600V voltage rating and a maximum current rating of 60A, making it suitable for demanding industrial applications.
Equivalent

Equivalent products of the FGH60N60UFD chip include IRG4BC40UD, STGW30NC60WD, and FGH60N60SMD. These chips have similar specifications and can be used as replacements for the FGH60N60UFD in various applications.
Features

- 600V, 60A field stop IGBT - Ultrafast diode - Low VCE(sat) for higher efficiency - High frequency operation - Diode soft recovery for reduced EMI - Low EMI due to short tail current - Positive temperature coefficient VCE(sat) - Pb-free lead plating - Halogen-free according to IEC 61249-2-21
Pinout

The FGH60N60UFD is a 3-pin TO-247 package with two terminals for power connections (Source and Drain) and one terminal for the Gate. It is a high-speed IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) designed for high-power switching applications with a voltage rating of 600V and a current rating of 60A.
Manufacturer

Infineon Technologies is the manufacturer of the FGH60N60UFD. They are a leading semiconductor company that designs, manufactures, and markets a wide range of semiconductor solutions for applications in automotive, industrial, communication, and consumer electronics markets. They specialize in power management, microcontrollers, and sensor solutions.
Application Field

The FGH60N60UFD is a high-power IGBT designed for applications such as motor control, inverters, UPS systems, and welding equipment. It can also be used in renewable energy systems, such as solar inverters and wind turbine converters. Its fast switching speeds and high power handling capabilities make it suitable for a wide range of power electronics applications.
Package

The FGH60N60UFD chip is a IGBT module with a TO-247 package type. It has a single form factor with a size of 23.4mm x 27.6mm x 6.8mm.