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2N7000TA

Name: 2N7000TA
Rating: 4.5 (10 reviews)

Robust construction makes it suitable for harsh operating conditions and environments

브랜드: onsemi

제조업체부품 #: 2N7000TA

데이터 시트: 2N7000TA 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: TO-92-3

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

RoHS 상태:

재고상태: 9,458 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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2N7000TA 일반적인 설명

Featuring a N-channel polarity, the 2N7000TA MOSFET is capable of handling a continuous drain current of 200mA and a drain-source voltage of 60V. With an on-resistance of 5ohm at a test voltage of 10V, it also has a threshold voltage of 3.9V. Housed in a TO-226AA case style with 3 pins, this transistor boasts a power dissipation of 400mW and a maximum operating temperature of 150°C. Not classified as containing any SVHC, this product also lacks automotive qualification standard or MSL classification

특징

Fast switching
Lower input capacitance
Extended safe operating area
Improved inductive ruggedness
Improved high temperature reliability

애플리케이션

Power Management
Motor Drive & Control
Industrial

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Manufacturer:	onsemi	Product Category:	MOSFET
RoHS:	Details	Technology:	Si
Mounting Style:	Through Hole	Package / Case:	TO-92-3
Transistor Polarity:	N-Channel	Number of Channels:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	60 V	Id - Continuous Drain Current:	200 mA
Rds On - Drain-Source Resistance:	1.2 Ohms	Vgs - Gate-Source Voltage:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	1 V	Qg - Gate Charge:	-
Minimum Operating Temperature:	- 55 C	Maximum Operating Temperature:	+ 150 C
Pd - Power Dissipation:	400 mW	Channel Mode:	Enhancement
Series:	2N7000	Packaging:	Ammo Pack
Brand:	onsemi / Fairchild	Configuration:	Single
Fall Time:	10 ns	Forward Transconductance - Min:	0.1 S
Height:	5.33 mm	Length:	5.2 mm
Product:	MOSFET Small Signal	Product Type:	MOSFET
Rise Time:	10 ns	Factory Pack Quantity:	2000
Subcategory:	MOSFETs	Transistor Type:	1 N-Channel
Type:	MOSFET	Typical Turn-Off Delay Time:	10 ns
Typical Turn-On Delay Time:	10 ns	Width:	4.19 mm
Unit Weight:	0.016000 oz

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단계1 :제품
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단계5 :포장 상자
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부품 포인트

The 2N7000TA is a small signal N-channel MOSFET transistor commonly used in low to moderate power amplifiers, switching circuits, and control applications. It has a maximum voltage rating of 60V and a continuous drain current of 200mA. The compact size and low cost make it a popular choice for a wide range of electronic projects.
Equivalent

2N7000TA can be replaced with equivalent products such as BS170, IRF630, IRFZ44, and VN2222. These products are similar in specifications and performance to 2N7000TA and can be used as substitutes in circuits requiring a small signal N-channel MOSFET.
Features

The 2N7000TA is a small signal MOSFET transistor with a maximum drain current of 200 mA, a drain-source voltage of 60 V, and a low threshold voltage of 0.8 V. It is designed for use in switching and amplification applications in low power circuits.
Pinout

The 2N7000TA is a small signal N-channel MOSFET with a TO-92 package. It has 3 pins: Gate (G), Drain (D), and Source (S). The function of the 2N7000TA is to control the flow of current between the Drain and Source terminals by applying a voltage to the Gate terminal.
Manufacturer

2N7000TA is manufactured by ON Semiconductor, a leading supplier of power management semiconductors and analog devices. It is a global company specializing in energy-efficient solutions for a wide range of industries including automotive, communication, industrial, and consumer electronics.
Application Field

2N7000TA is commonly used in low power, switching, amplification, and protection applications in various electronic circuits such as small signal amplifiers, voltage-controlled switches, and digital logic circuits. It is widely used in consumer electronics, automotive systems, and industrial control systems.
Package

The 2N7000TA is a TO-92 package with a through-hole form factor. It has a size of 5.01mm x 4.19mm x 3.05mm.