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MRF8P9300HSR6

RF Mosfet 28 V 2.4 A 960MHz 19.4dB 100W NI-1230S

ISO14001 ISO9001 DUNS

브랜드: NXP SEMICONDUCTORS

제조업체부품 #: MRF8P9300HSR6

데이터 시트: MRF8P9300HSR6 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: NI-1230S

상품 유형: RF FETs, MOSFETs

RoHS 상태:

재고상태: 9,868 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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MRF8P9300HSR6 일반적인 설명

Featuring a typical gain of 19.4 dB at 960 MHz, the MRF8P9300HSR6 ensures efficient signal amplification for various transmission systems. This attribute is crucial for maintaining signal integrity and enhancing overall system performance

MRF8P9300HSR6

특징

  • Production Tested in a Symmetrical Doherty Configuration
  • 100% PAR Tested for Guaranteed Output Power Capability
  • Characterized with Large--Signal Load--Pull Parameters and Common Source S--Parameters
  • Internally Matched for Ease of Use
  • Integrated ESD Protection
  • Greater Negative Gate--Source Voltage Range for Improved Class C Operation
  • Designed for Digital Predistortion Error Correction Systems
  • In Tape and Reel. R6 Suffix = 150 Units per 56 mm, 13 inch Reel.

명세서

매개변수 매개변수
Source Content uid MRF8P9300HSR6 Rohs Code Yes
Part Life Cycle Code Obsolete Ihs Manufacturer NXP SEMICONDUCTORS
Package Description FLATPACK, R-CDFP-F4 Reach Compliance Code compliant
ECCN Code EAR99 HTS Code 8541.29.00
Case Connection SOURCE Configuration COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
DS Breakdown Voltage-Min 70 V FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Highest Frequency Band ULTRA HIGH FREQUENCY BAND JESD-30 Code R-CDFP-F4
Number of Elements 2 Number of Terminals 4
Operating Mode ENHANCEMENT MODE Operating Temperature-Max 225 °C
Package Body Material CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED Package Shape RECTANGULAR
Package Style FLATPACK Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES Terminal Form FLAT
Terminal Position DUAL Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 40
Transistor Application AMPLIFIER

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부품 포인트

  • The MRF8P9300HSR6 is a power amplifier chip manufactured by NXP Semiconductors. It operates in the frequency range of 915 MHz to 928 MHz, making it suitable for applications in the Industrial, Scientific, and Medical (ISM) bands. The chip offers high linearity, efficiency, and power output, making it ideal for use in various wireless communication systems such as internet of things (IoT), smart metering, and remote control devices.
  • Equivalent

    The equivalent products of the MRF8P9300HSR6 chip include Freescale MRF8P9300H, NXP MRF8P9300H, and Microchip MRF8P9300H. These chips provide similar functionality and can be used as replacements for the MRF8P9300HSR6 chip.
  • Features

    The MRF8P9300HSR6 is a high-power RF gallium nitride (GaN) transistor designed for broadband applications. It operates at frequencies between 935 MHz and 960 MHz, with a typical output power of 300 watts. The transistor includes built-in input and output matching networks, simplifying the design process for engineers.
  • Pinout

    The MRF8P9300HSR6 is a power amplifier module with a pin count of 7. It is used for wireless communication applications, specifically in the frequency range of 860-940MHz. The main function of this module is to amplify RF signals to a higher power level, enabling longer communication range or improved signal quality.
  • Manufacturer

    NXP Semiconductors is the manufacturer of the MRF8P9300HSR6. It is a global semiconductor company that provides high-performance mixed-signal and standard product solutions to a wide range of industries, including automotive, mobile communications, industrial automation, and consumer electronics.
  • Application Field

    The MRF8P9300HSR6 is a high-power RF power transistor primarily used in wireless communication applications. It can be used in radio transmitters, radar systems, and other high-frequency applications requiring high power amplification.
  • Package

    The MRF8P9300HSR6 chip has a package type of NI-780HS (6 x 6mm), form as Surface Mount, and a size of 36 mm².

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