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NXP MRF6VP2600H

Name: MRF6VP2600H
Rating: 4.5 (10 reviews)

NXP Semiconductors Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 2-500 MHz, 600 W, 50 V

브랜드: Nxp

제조업체부품 #: MRF6VP2600H

데이터 시트: MRF6VP2600H 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: SMD

상품 유형: 트랜지스터

RoHS 상태:

재고상태: 2527 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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명세서

매개변수	값	매개변수	값
Product Category	NXP Semiconductors

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페덱스	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
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단계1 :제품
단계2 :진공 포장
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단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
단계6 :바코드 배송 태그

모든 제품은 정전기 방지 가방에 포장됩니다. ESD 정전기 방지 보호 장치와 함께 배송됩니다.

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모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The MRF6VP2600H chip is a high-power RF transistor designed for use in industrial, scientific, and medical applications. It operates at 2600 MHz and provides a output power of up to 600 watts. This chip incorporates high voltage MOSFET and is optimized for ruggedness, durability, and high linearity. It is commonly used in telecommunications, radar systems, and other high-power RF applications.
Equivalent

The equivalent products of the MRF6VP2600H chip are the MRF6VP2600HR5 and MRF6VP2600HSR5.
Features

The MRF6VP2600H is a high-frequency RF power transistor with a frequency range of 1.8 to 600 MHz. It has a maximum power output of 2600 watts, high gain, and excellent thermal stability. It is suitable for use in applications such as broadcast, industrial, and scientific markets.
Pinout

The MRF6VP2600H is a high-power RF transistor with a pin count of 4, consisting of Source, Gate, Drain, and Case pins. The function is to amplify RF signals at high power levels, typically used in applications such as amateur radio, broadcast, and industrial equipment.
Manufacturer

The manufacturer of the MRF6VP2600H is NXP Semiconductors. NXP Semiconductors is a multinational semiconductor manufacturer that provides solutions for automotive, industrial, and Internet of Things (IoT) applications.
Application Field

The MRF6VP2600H is a high-power RF MOSFET transistor designed for use in a variety of applications, including industrial, scientific, medical, broadcast, and aerospace systems. It can be used in RF power amplifiers, radio transmitters, radar systems, and other high-power RF applications that require excellent linearity and high gain.
Package

The MRF6VP2600H chip is packaged in a NI-1230H-4 package, which is a high power ceramic/metal flange package. Its form factor is a metal-ceramic pill and it has a size of 76.77mm (L) x 39.62mm (W) x 10mm (H).