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NXP MRF9030LR1
RF MOSFET Transistors 30W RF PWR FET NI-360L
브랜드: NXP Semiconductor
제조업체부품 #: MRF9030LR1
데이터 시트: MRF9030LR1 Datasheet (PDF)
패키지/케이스: NI-360-3
RoHS 상태:
재고상태: 3988 PC, 새로운 원본
상품 유형: 트랜지스터
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| 수량 | 단가 | 추가 가격 |
|---|---|---|
| 1 | $3.094 | $3.094 |
| 200 | $1.235 | $247.000 |
| 500 | $1.193 | $596.500 |
| 1000 | $1.173 | $1173.000 |
In Stock:3988 PCS
MRF9030LR1 일반적인 설명
RF, MOSFET, N-CH, 945MHZ, 30W, NI360; Drain Source Voltage Vds: 68V; Continuous Drain Current Id: 100µA; Power Dissipation Pd: 92W; No. of Pins: 2Pins; MSL: -; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018); Power Dissipation Max: 92W; Transistor
특징
- Operating frequency range of 860 to 960 MHz
- High gain and efficiency
- 30 W output power
- Designed for use in Class AB and Class C amplifiers
- Suitable for use in a range of applications, including wireless communication systems, broadcasting, and radar systems.
애플리케이션
- BLF6G22LS-160B
- BLY93B
- MRF9030LR5
- MRFE6VP61K25H
- SD2933
- STAC2942B-3
명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Mount | Screw | Number of Pins | 360 |
| Weight | 2.937804 g | Drain to Source Breakdown Voltage | 65 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 65 V | Element Configuration | Single |
| Frequency | 945 MHz | Gain | 19 dB |
| Gate to Source Voltage (Vgs) | 15 V | Max Frequency | 1 GHz |
| Max Operating Temperature | 200 °C | Max Power Dissipation | 92 W |
| Min Operating Temperature | -65 °C | Number of Elements | 1 |
| Output Power | 30 W | Power Dissipation | 92 W |
| Test Current | 250 mA | Test Voltage | 26 V |
| Voltage Rating | 68 V |
배송
| 배송 유형 | 배송비 | 리드타임 | |
|---|---|---|---|
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지불
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부품 포인트
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The MRF9030LR1 is a power amplifier chip designed for use in high-power applications, such as in mobile radios and base stations. It operates in the frequency range of 920-960 MHz and offers high efficiency and low distortion. The chip is suitable for both narrowband and broadband systems, making it a versatile option for a variety of RF communication needs.
-
Equivalent
The equivalent products of MRF9030LR1 chip are Freescale MRF9030LR1 and NXP Semiconductors MRF9030LR1. These chips are compatible and can be used as alternatives to the MRF9030LR1 for RF power amplification applications in the same frequency range. -
Features
1. Designed for mobile radio applications 2. High power gain and efficiency 3. Operates in the 860-960 MHz frequency range 4. Excellent linearity and thermal stability 5. Provides 30 watts of output power 6. Suitable for use in FM, TDMA, and CDMA applications. -
Pinout
The MRF9030LR1 is a power amplifier transistor with a pin count of 4. Pin 1 is the gate, pin 2 is the drain, pin 3 is the source, and pin 4 is the gate. Its function is to amplify RF signals in the 800-1000 MHz frequency range. -
Manufacturer
The MRF9030LR1 is manufactured by NXP Semiconductors, a global semiconductor manufacturer specializing in secure connectivity solutions for a wide range of industries, including automotive, industrial, and consumer electronics. NXP Semiconductors is known for its high-performance, energy-efficient products and technologies that power everyday devices and enable innovative applications in the Internet of Things (IoT) and mobile communication. -
Application Field
The MRF9030LR1 is a high-frequency RF power transistor suitable for applications in the industrial, scientific, medical (ISM) band, as well as radar and weather radar systems. It is commonly used in pulsed power and narrowband amplifiers operating in the 902-928 MHz frequency range. -
Package
The MRF9030LR1 is a package type of SOIC-12 form factor. The size of the chip is 3.9mm x 6mm.
데이터 시트 PDF
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