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NXP BFG425W

Name: BFG425W
Rating: 4.5 (10 reviews)

RF Bipolar Transistors NPN 25 GHz wideband transistor

브랜드: NXP Semiconductor

제조업체부품 #: BFG425W

데이터 시트: BFG425W Datasheet (PDF)

패키지/케이스: SOT-343

상품 유형: 트랜지스터

RoHS 상태:

재고상태: 3780 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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BFG425W 일반적인 설명

BFG425W is a high-frequency transistor that belongs to the NPN type and is designed for use in applications up to 6 GHz. Here are some of its features:

특징

Collector-emitter voltage of 20V
Collector current of 60mA
Power dissipation of 200mW
Maximum frequency of 6GHz
Noise figure of 2.5dB at 1GHz

애플리케이션

RF amplification in cellular phones and other wireless communication devices
Oscillators and mixers in microwave circuits
Satellite and terrestrial radio communications
Cable modems and wireless LANs

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Rohs Code	Yes	Part Life Cycle Code	Transferred
Ihs Manufacturer	PHILIPS SEMICONDUCTORS	Reach Compliance Code
ECCN Code	EAR99	Collector Current-Max (IC)	0.03 A
Configuration	SINGLE	DC Current Gain-Min (hFE)	50
JESD-609 Code	e3	Number of Elements	1
Operating Temperature-Max	150 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity/Channel Type	NPN	Power Dissipation-Max (Abs)	0.135 W
Surface Mount	YES

배송

	배송비	리드타임
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
페덱스	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
등기 항공 우편	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날

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포장

단계1 :제품
단계2 :진공 포장
단계3 :정전기 방지 가방
단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
단계6 :바코드 배송 태그

모든 제품은 정전기 방지 가방에 포장됩니다. ESD 정전기 방지 보호 장치와 함께 배송됩니다.

외부 ESD 포장 라벨은 당사 정보(부품 번호, 브랜드 및 수량)를 사용합니다.

우리는 선적 전에 모든 상품을 검사하고, 모든 제품이 양호한 상태인지 확인하고, 부품이 새로운 원본 일치 데이터시트인지 확인합니다.

모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

등가 부품

에 대한 BFG425W 구성 요소인 경우 이러한 교체 및 대체 부품을 고려할 수 있습니다.:

부품 번호

브랜드

패키지

설명

부품 번호 : BFG425WX

브랜드 :

패키지 :

설명 : This is a variant of BFG425W with higher power dissipation.

부품 번호 : BFG540W

브랜드 :

패키지 : SOT143

설명 : NPN 9 GHz wideband transistor

부품 번호 : BFG591

브랜드 :

패키지 :

설명 :

부품 번호 : MMBFJ310LT1G

브랜드 :

패키지 : SOT-23-3

설명 : JFET Transistor, JFET, -25 V, 24 mA, 60 mA, -6.5 V, SOT-23, JFET

부품 포인트

The BFG425W chip is a high-power, high-frequency transistor commonly used in wireless communication applications. It is designed to handle high RF power levels, making it suitable for use in power amplifiers. With its compact size and excellent thermal performance, the BFG425W chip is widely used in cell phones, Wi-Fi devices, and other wireless communication equipment.
Features

The BFG425W is a light emitting diode (LED) lamp that operates at a maximum power of 425 watts. It has a high color rendering index (CRI) and a cool white color temperature. It is energy-efficient and long-lasting, making it suitable for a variety of lighting applications.
Pinout

The BFG425W is a transistor with a pin count of 3. Pin 1 is the emitter, pin 2 is the base, and pin 3 is the collector. Its function is to amplify electrical signals, making it suitable for use in high-frequency and low-noise amplification applications.
Application Field

The BFG425W is a high-performance NPN silicon RF transistor commonly used in various applications such as mobile communication equipment, wireless infrastructure, and terrestrial broadcasting. Its excellent frequency range (up to 5 GHz) and power handling capability make it suitable for a wide range of wireless communication systems and RF power amplifiers.
Package

The BFG425W chip is available in a SOT343 package type, featuring a single form and a compact size.