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NXP MRFE6S9125NR1

Name: MRFE6S9125NR1
Rating: 4.5 (6 reviews)

N-channel RF MOSFET, 66V, 5-pin TO-270, with Tape and Reel

브랜드: Nxp

제조업체부품 #: MRFE6S9125NR1

데이터 시트: MRFE6S9125NR1 Datasheet (PDF)

패키지/케이스: TO-270-4

RoHS 상태:

재고상태: 3976 PC, 새로운 원본

상품 유형: 트랜지스터

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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MRFE6S9125NR1 일반적인 설명

The MRFE6S9125NR1 is a high-power RF transistor designed for high-performance applications in the industrial, scientific, and medical (ISM) frequency bands. It operates in the 915 MHz to 928 MHz frequency range, making it ideal for applications such as industrial heating, medical diathermy, and scientific research.This transistor provides excellent gain and efficiency, with a typical gain of 16 dB and a drain efficiency of 65% at 915 MHz. It can deliver up to 125 watts of RF power with a 50 ohm load, making it suitable for high-power applications that require reliable performance.The MRFE6S9125NR1 features a rugged design that can withstand harsh operating conditions, making it suitable for industrial and scientific applications where durability is essential. It also has built-in protection features such as overtemperature and overvoltage protection, ensuring reliable operation and preventing damage to the transistor.

특징

Frequency Range: 50 MHz to 1 GHz
Output Power: 31.6 W (PEP) @ 960 MHz
Efficiency: 65% @ 960 MHz
Gain: 16 dB @ 960 MHz
Extended Power Gain for High Efficiency
Integrated ESD Protection

애플리케이션

Land mobile radio systems
RF linear power amplifiers
Industrial, scientific, and medical (ISM) applications
FM and digital modulated systems
Automotive radar systems
Communication systems
Television and radio broadcast systems
Test equipment
PCB and module design

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Product Category	RF MOSFET Transistors	RoHS	Details
Transistor Polarity	N-Channel	Technology	Si
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	- 500 mV, 66 V	Operating Frequency	880 MHz
Gain	20.2 dB	Output Power	27 W
Minimum Operating Temperature	- 65 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Mounting Style	SMD/SMT	Package / Case	TO-270-4
Brand	NXP Semiconductors	Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single	Height	2.64 mm
Length	17.58 mm	Moisture Sensitive	Yes
Number of Channels	1 Channel	Product Type	RF MOSFET Transistors
Series	MRFE6S9125N	Factory Pack Quantity	500
Subcategory	MOSFETs	Type	RF Power MOSFET
Vgs - Gate-Source Voltage	- 500 mV, 12 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2.1 V
Width	9.07 mm	Part # Aliases	935314059528
Unit Weight	0.058073 oz

배송

	배송비	리드타임
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단계1 :제품
단계2 :진공 포장
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단계5 :포장 상자
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모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The MRFE6S9125NR1 chip is a high-performance RF power amplifier module designed for wireless infrastructure applications. It operates in the frequency range of 2110-2170 MHz, making it suitable for use in 3G and 4G base stations and small cell systems. It offers high gain and efficiency, allowing for extended coverage and improved network performance.
Equivalent

Some equivalent products of the MRFE6S9125NR1 chip include MRF6S9125N, MRF6S9145N, and MRF6S9160N. These chips are all part of the same series and have similar specifications, making them suitable alternatives for various applications.
Features

The MRFE6S9125NR1 is a high-frequency power transistor with a frequency range up to 1 GHz. It has a single-sided active device configuration, a high gain for better power performance, and a rugged design for high-reliability applications.
Pinout

The MRFE6S9125NR1 is a high-performance RF power field-effect transistor. It has 11 pins and functions as a power amplifier in wireless communication applications.
Manufacturer

NXP Semiconductors is the manufacturer of the MRFE6S9125NR1. It is a semiconductor company that designs and produces a wide range of integrated circuits and semiconductor solutions for various industries, including automotive, industrial, and consumer electronics.
Application Field

The MRFE6S9125NR1 is a high-power RF transistor commonly used in applications such as cellular base stations, broadcast transmitters, and ISM (industrial, scientific, and medical) equipment. It offers high performance, high power output, and excellent linearity, making it suitable for various RF power amplifier designs.
Package

The MRFE6S9125NR1 chip is available in a power MOSFET package type called NI-780H. The chip is in a surface mount form with a size of 18.4mm x 13.6mm.