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vishay SIR873DP-T1-GE3
Power Field-Effect Transistors
브랜드: Vishay
제조업체부품 #: SIR873DP-T1-GE3
데이터 시트: SIR873DP-T1-GE3 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: PowerPAK-SO-8
RoHS 상태:
재고상태: 9,458 PC, 새로운 원본
상품 유형: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| 1 | $0.683 | $0.683 |
| 10 | $0.569 | $5.690 |
| 30 | $0.512 | $15.360 |
| 100 | $0.454 | $45.400 |
| 500 | $0.420 | $210.000 |
| 1000 | $0.403 | $403.000 |
재고: 9,458 PCS
SIR873DP-T1-GE3 일반적인 설명
Featuring a Surface Mount transistor mounting style, the SIR873DP-T1-GE3 is easy to integrate into various circuit designs. The low Rds(On) Test Voltage of 10V indicates minimal power loss and efficient operation. Additionally, the Gate Source Threshold Voltage Max of 4V allows for precise control over the switching behavior of the Mosfet
특징
- Silicon carbide power devices
- High-speed switching and reliability
- Low inductance and capacitance
- Metal-semiconductor field effect transistors
- Wide bandgap technology advancements
- Increased efficiency and miniaturization
명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Vishay | Product Category: | MOSFET |
| Technology: | Si | Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerPAK-SO-8 | Transistor Polarity: | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 150 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 37 A | Rds On - Drain-Source Resistance: | 39.5 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Qg - Gate Charge: | 25 nC | Minimum Operating Temperature: | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature: | + 150 C | Pd - Power Dissipation: | 104 W |
| Channel Mode: | Enhancement | Tradename: | TrenchFET, PowerPAK |
| Series: | SIR | Packaging: | MouseReel |
| Brand: | Vishay Semiconductors | Configuration: | Single |
| Fall Time: | 9 ns | Product Type: | MOSFET |
| Rise Time: | 7 ns | Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Subcategory: | MOSFETs | Typical Turn-Off Delay Time: | 28 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
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부품 포인트
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The SIR873DP-T1-GE3 is a high-speed, low-loss power MOSFET chip designed for use in various power management applications. It features a low on-resistance and high frequency switching capability, making it ideal for high efficiency and high power density designs. With its compact size and high performance characteristics, the SIR873DP-T1-GE3 is a versatile and reliable choice for power electronics projects.
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Equivalent
Some equivalent products of the SIR873DP-T1-GE3 chip include the SIR877DP-T1-GE3 and the SIR878DP-T1-GE3. These chips are also dual P-channel MOSFETs with similar specifications and applications. -
Features
The SIR873DP-T1-GE3 is a silicon carbide Schottky diode with a high voltage rating of 3300V, a low forward voltage drop, fast switching speeds, and high temperature operation up to 175°C. It also has a low reverse recovery current and low leakage current, making it suitable for high-performance power electronics applications. -
Pinout
SIR873DP-T1-GE3 is a dual P-Channel 30 V MOSFET in a PowerPAK® SO-8 package with 8 pins. It is designed for use in DC-DC converters, power management, and load switching applications. The device features a low ON-resistance and fast switching speeds for efficient power control. -
Manufacturer
SIR873DP-T1-GE3 is manufactured by Vishay Semiconductor GmbH, a leading global manufacturer of discrete semiconductors and passive electronic components. They provide a wide range of products including resistors, capacitors, diodes, and transistors for various industries such as automotive, industrial, and telecommunications. -
Application Field
SIR873DP-T1-GE3 is commonly used in high-speed switching applications such as power supply and motor control in automotive, industrial, and communication systems. It is suitable for applications that require a high level of efficiency, reliability, and performance in a compact package. -
Package
The SIR873DP-T1-GE3 is a Surface Mount D²Pak (TO-263) package. It is a Dual N-Channel MOSFET with a form factor of 5.39mm x 6.43mm.
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