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vishay SI2305DS-T1-E3

Name: SI2305DS-T1-E3
Rating: 4.5 (10 reviews)

Transistor 3.5 A, 8 V, P-Channel, Si

브랜드: Vishay

제조업체부품 #: SI2305DS-T1-E3

데이터 시트: SI2305DS-T1-E3 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: SOT-23-3

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

RoHS 상태:

재고상태: 9,458 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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SI2305DS-T1-E3 일반적인 설명

The SI2305DS-T1-E3 MOSFET offers superior performance in low voltage, high-speed switching applications. With a maximum drain-source voltage of -20V and a continuous drain current of -3.2A, it is perfectly suited for a variety of portable electronics and battery-operated devices. The low on-resistance of 175mOhms at a gate-source voltage of -4.5V ensures efficient power handling and minimal power loss, making it a reliable choice for demanding applications

특징

SI2305DS-T1-8-E2 is a high-reliability P-channel MOSFET transistor with low noise characteristics
This product has a max drain current of 6A and max voltage rating of 20V
Suitable for use in industrial control, automotive, and consumer electronics applications

애플리케이션

High performance in a small package
Versatile application possibilities
Easy integration for various devices

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Product Category	MOSFET	RoHS	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SOT-23-3	Tradename	TrenchFET
Series	SI2	Brand	Vishay / Siliconix
Product Type	MOSFET	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Part # Aliases	SI2305DS-E3
Unit Weight	0.000282 oz

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부품 포인트

SI2305DS-T1-E3 is a chip widely used in electronic devices. It is a N-channel MOSFET transistor with a maximum voltage rating of 20V and a continuous drain current of 3.2A. The chip's compact size, low on-resistance, and fast switching capabilities make it suitable for various applications, including power management, battery charging, and load switching.
Equivalent

Some equivalent products of the SI2305DS-T1-E3 chip include MMBT2305LT1G, NDS2305NT1G, and BSS84LT1G. These chips are all N-channel MOSFET transistors with similar specifications and functionalities.
Features

The SI2305DS-T1-E3 is a dual N-channel enhancement mode MOSFET. It has a maximum drain-source voltage of 20V, continuous drain current of 1.6A, and low on-resistance. This MOSFET offers low power dissipation, high efficiency, and is suitable for a wide range of applications, including power management and load switching.
Pinout

The SI2305DS-T1-E3 is a dual N-channel enhancement mode MOSFET transistor. It has 8 pins and serves as a switch by controlling the flow of current through its terminals. The pin count typically includes gate, source, and drain terminals for both MOSFET transistors present in the package.
Manufacturer

The manufacturer of the SI2305DS-T1-E3 is Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductor is a global semiconductor company that designs, manufactures, and supplies a wide range of components for various industries, including automotive, telecommunications, consumer electronics, and industrial applications.
Application Field

The SI2305DS-T1-E3 is a small signal N-channel MOSFET transistor designed for high-speed switching applications. It can be used in a variety of areas, including but not limited to power management circuits, portable electronic devices, battery-powered systems, and low-voltage motor drives. Its compact size and high switching capabilities make it suitable for applications where efficiency and space savings are important.
Package

The SI2305DS-T1-E3 chip has a package type of SOT-23-3. It comes in the form of a surface mount device (SMD). The size of the chip is compact and small, as per the SOT-23-3 package standard.