NXP MRF281ZR1
RF Mosfet 26 V 25 mA 1.93GHz 12.5dB 4W NI-200Z
브랜드: NXP
제조업체부품 #: MRF281ZR1
데이터 시트: MRF281ZR1 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: NI-200Z-3
상품 유형: RF MOSFET Transistors
MRF281ZR1 일반적인 설명
RF Mosfet 26 V 25 mA 1.93GHz 12.5dB 4W NI-200Z
명세서
매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
---|---|---|---|
Manufacturer: | NXP | Product Category: | RF MOSFET Transistors |
Transistor Polarity: | N-Channel | Technology: | Si |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 65 V | Operating Frequency: | 1 GHz to 2.5 GHz |
Gain: | 11 dB | Output Power: | 4 W |
Minimum Operating Temperature: | - 65 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | NI-200Z-3 |
Packaging: | Reel | Brand: | NXP Semiconductors |
Channel Mode: | Enhancement | Configuration: | Single |
Height: | 2.95 mm | Length: | 5.16 mm |
Pd - Power Dissipation: | 20 W | Product Type: | RF MOSFET Transistors |
Subcategory: | MOSFETs | Type: | RF Power MOSFET |
Vgs - Gate-Source Voltage: | 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
Width: | 4.14 mm |
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단계4 :개별 포장
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부품 포인트
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The MRF281ZR1 is a RF power amplifier chip developed by NXP Semiconductors. It operates in the frequency range of 2110 to 2170 MHz and is primarily used in wireless communications applications, such as cellular base stations. The chip provides high output power, high linearity, and efficient operation, making it suitable for 3G and 4G LTE networks.
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Equivalent
Some equivalent products to the MRF281ZR1 chip include the MRF281SR1, MRF282Z, and MRF282XR1. These chips are all RF power transistors designed for high-performance applications. -
Features
The MRF281ZR1 is a high power RF transistor developed by NXP Semiconductors. It is designed for use in mobile radio applications in the 136-174 MHz frequency range. The key features of this transistor include high power output, excellent linearity, and efficiency, making it suitable for demanding communication requirements. -
Pinout
The MRF281ZR1 is a single-ended RF power amplifier transistor with a pin count of 3. The pins are labeled Collector (C), Base (B), and Emitter (E). The collector is connected to the positive voltage supply, the base receives the input signal, and the emitter is grounded. -
Manufacturer
The manufacturer of the MRF281ZR1 is Motorola Solutions, Inc. It is an American company that specializes in communication technology and services. -
Application Field
The MRF281ZR1 is a high-frequency silicon bipolar RF power transistor designed for applications in the VHF frequency range. It is commonly used in TV broadcasting, VHF transmitters, and RF heating systems. Its high power and frequency capabilities make it suitable for use in various communication and industrial applications. -
Package
The MRF281ZR1 chip has a package type of SOT-223, a form of surface mount, and a size of around 6.7 mm x 6.7 mm.
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