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BSS127S-7

Name: BSS127S-7
Rating: 4.5 (10 reviews)

SOT-23 Mosfet with 1.08nC and 1.25W power rating

브랜드: Diodes Incorporated

제조업체부품 #: BSS127S-7

데이터 시트: BSS127S-7 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: SOT-23-3

RoHS 상태:

재고상태: 7,581 PC, 새로운 원본

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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500	$0.052	$26.000
3000	$0.049	$147.000
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BSS127S-7 일반적인 설명

With a drain-source voltage of 600V and a continuous drain current of 50mA, the BSS127S-7 N-channel MOSFET is a reliable component for power management applications. The transistor features a low on-resistance of 80ohm and a threshold voltage of 4.5V, ensuring optimal performance in various circuit designs. Packaged in a SOT-23 case style with 3 pins, the BSS127S-7 is easy to integrate and mount on PCBs. Operating at a maximum temperature of 150°C, this MOSFET has a power dissipation of 610mW, making it suitable for high-power applications

특징

Low Input Capacitance
High BVDSS Rating for Power Application
Low Input/Output Leakage
Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

애플리케이션

SWITCHING

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Product Category	MOSFET	RoHS	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SOT-23-3	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	600 V
Id - Continuous Drain Current	70 mA	Rds On - Drain-Source Resistance	160 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3 V
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	1.25 W	Channel Mode	Enhancement
Series	BSS127	Brand	Diodes Incorporated
Configuration	Single	Fall Time	168 ns
Product Type	MOSFET	Rise Time	7.2 ns
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	28.7 ns
Typical Turn-On Delay Time	5 ns

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모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The BSS127S-7 is a small-signal N-channel MOSFET transistor with a low threshold voltage, making it suitable for use in low-voltage applications. It offers a high switching speed and low on-state resistance, making it ideal for power management and switching circuits in mobile devices, consumer electronics, and automotive applications.
Equivalent

Some equivalent products of the BSS127S-7 chip include the DMN3070LSS-13, 2N7002DW-7, and FDC642PZ. These chips are all N-channel enhancement mode field-effect transistors with similar specifications and performance characteristics.
Features

The BSS127S-7 is a dual N-channel enhancement mode field-effect transistor. It has a high drain-source voltage rating of 100V, low threshold voltage of 1V, and low on-resistance of 4.5 ohms. It is suitable for power management applications requiring high efficiency and reliability.
Pinout

The BSS127S-7 is a surface-mount N-channel enhancement mode field-effect transistor (FET) with a pin count of 3. It is commonly used as a high-speed switching device in various electronic circuits. The three pins are the source (S), gate (G), and drain (D).
Manufacturer

The manufacturer of BSS127S-7 is Toshiba Semiconductor & Storage, a global leader in the development and manufacturing of semiconductor devices. Toshiba Semiconductor & Storage is a multinational electronic and electrical equipment company specializing in a wide range of products, including memory, microcontrollers, power transistors, sensors, and optoelectronic devices.
Application Field

BSS127S-7 is a silicon N-channel enhancement mode field-effect transistor primarily used in applications such as switching and amplification in low voltage systems, power management, LED lighting, and motor control. Its compact size, low on-state resistance, and high current carrying capability make it suitable for various portable, battery-operated devices.
Package

The BSS127S-7 chip comes in a SOT-23 package, is in a surface-mount form, and has a size of 2.9mm x 1.3mm x 1.1mm.