이 웹사이트는 쿠키를 사용합니다. 이 사이트를 이용함으로써 귀하는 쿠키 사용에 동의하게 됩니다. 자세한 내용은 다음을 참조하세요. 개인 정보 정책.

주문 금액이

$5000
받으세요 $50 할인을 !

BSM300GA120DN2 48HRS

Transistor Module for IGBT Transistor with N-Channel, 62MM-2 Tray

ISO14001 ISO9001 DUNS

브랜드: Infineon

제조업체부품 #: BSM300GA120DN2

데이터 시트: BSM300GA120DN2 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: 62 mm

RoHS 상태:

재고상태: 6,378 PC, 새로운 원본

상품 유형: IGBT Modules

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

가격

*모든 가격은 USD 단위입니다.

수량 단가 추가 가격
1 $425.008 $425.008
200 $164.472 $32894.400
500 $158.692 $79346.000
1000 $155.836 $155836.000

재고: 6,378 PCS

- +

빠른 견적

다음에 대한 RFQ를 제출해 주십시오. BSM300GA120DN2 또는 우리에게 이메일을 보내: 이메일: [email protected], 12시간 이내에 연락드리겠습니다.

BSM300GA120DN2 일반적인 설명

Infineon's BSM300GA120DN2 power semiconductor module is characterized by its compact and lightweight design, making it easy to integrate into existing systems. Its low switching losses and high efficiency contribute to overall system performance and energy efficiency, while its long lifespan and high reliability reduce maintenance requirements and downtime. With a dual IGBT module, 300A current rating, and 1200V voltage rating, this module is well-suited for electric vehicle drives, industrial drives, and renewable energy systems, offering exceptional power handling capabilities. The advanced thermal management system ensures efficient heat dissipation, enabling reliable operation even in demanding operating conditions, while built-in overcurrent and overtemperature protection circuits provide additional security for the module and the system

BSM300GA120DN2

특징

  • High power density for high efficiency applications
  • Wide operating temperature range from -40°C to 125°C
  • High surge current capability for safe operation
  • Suitable for renewable energy systems, industrial drives, and power supplies

애플리케이션

  • Efficient energy solutions
  • Reliable power systems
  • Advanced technology uses

명세서

매개변수 매개변수
Product Category IGBT Modules RoHS Details
Product IGBT Silicon Modules Configuration Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1.2 kV Collector-Emitter Saturation Voltage 2.5 V
Continuous Collector Current at 25 C 430 A Gate-Emitter Leakage Current 320 nA
Pd - Power Dissipation 2.5 kW Package / Case 62 mm
Minimum Operating Temperature - 40 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Brand Infineon Technologies Height 36.5 mm
Length 106.4 mm Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Mounting Style Chassis Mount Product Type IGBT Modules
Factory Pack Quantity 10 Subcategory IGBTs
Technology Si Width 61.4 mm
Part # Aliases SP000100730 BSM300GA120DN2HOSA1

배송

배송 유형 배송비 리드타임
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 날
Fedex 페덱스 $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 날
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 날
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 날
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 날
등기 항공 우편 등기 항공 우편 $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 날

처리 시간: 배송비는 지역 및 국가에 따라 다릅니다.

지불

지불 조건 핸드 수수료
은행 송금 은행 송금 US$30.00의 은행 수수료를 부과합니다.
페이팔 페이팔 4.0%의 서비스 수수료를 부과합니다.
신용 카드 신용 카드 3.5% 서비스 수수료를 부과합니다.
웨스턴 유니언 웨스턴 유니언 charge US.00 banking fee.
돈 그램 돈 그램 US$0.00의 은행 수수료를 부과합니다.

보증

1. 귀하가 구입한 전자 부품에는 365일 보증이 포함되어 있으며, 우리는 제품 품질을 보장합니다.

2. 귀하가 받은 품목 중 일부가 완벽한 품질이 아닌 경우, 당사는 책임 있게 귀하의 환불 또는 교체를 준비할 것입니다. 그러나 품목은 원래 상태를 유지해야 합니다.

포장

  • 제품

    단계1 :제품

  • 진공 포장

    단계2 :진공 포장

  • 정전기 방지 가방

    단계3 :정전기 방지 가방

  • 개별 포장

    단계4 :개별 포장

  • 포장 상자

    단계5 :포장 상자

  • 바코드 배송 태그

    단계6 :바코드 배송 태그

모든 제품은 정전기 방지 가방에 포장됩니다. ESD 정전기 방지 보호 장치와 함께 배송됩니다.

외부 ESD 포장 라벨은 당사 정보(부품 번호, 브랜드 및 수량)를 사용합니다.

우리는 선적 전에 모든 상품을 검사하고, 모든 제품이 양호한 상태인지 확인하고, 부품이 새로운 원본 일치 데이터시트인지 확인합니다.

모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

  • ESD
  • ESD

부품 포인트

  • The BSM300GA120DN2 is a power module chip used for high-power applications. It is designed for efficient energy conversion in various industries, including industrial, renewable energy, and transportation. The chip offers high power density, reliable performance, and advanced protection features. It is suitable for applications such as motor drives, inverters, and electric vehicle systems.
  • Equivalent

    Some equivalent products of the BSM300GA120DN2 chip are the SEMIKRON SEMITRANS 3 series modules and the Infineon IGBT modules of the 1EDI series, such as the FF200R12KE3 and FF300R12KE3.
  • Features

    The BSM300GA120DN2 is a silicon carbide power module designed for high-power applications. Key features include a voltage rating of 1200V, a current rating of 300A, low on-state resistance, high switching frequency, robust and reliable design, and integrated temperature and current sensors for precise control and protection.
  • Pinout

    The BSM300GA120DN2 is an IGBT power module, specifically used in three-phase inverters. It has 7 pins, including gate-emitter and collector-emitter pins for each of its 3 IGBTs. The module is designed to convert direct current (DC) into alternating current (AC) in a variety of applications, such as motor drives and industrial equipment.
  • Manufacturer

    Infineon Technologies AG is the manufacturer of the BSM300GA120DN2. It is a German semiconductor manufacturer that specializes in manufacturing power semiconductors, microcontrollers, and integrated circuits for various industries, including automotive, industrial, and consumer electronics.
  • Application Field

    The BSM300GA120DN2 is a semiconductor device that can be used in various application areas, including renewable energy systems such as wind turbines and solar power, electric vehicle charging stations, industrial automation and robotics, and power supplies for data centers.
  • Package

    The BSM300GA120DN2 chip has a package type of Power Module, a form of Non-insulated, and a size of 42mm x 150mm.

우리는 고품질 제품, 사려 깊은 서비스 및 판매 후 보증을 제공합니다.

  • 제품

    우리는 풍부한 제품을 보유하고 있으며 귀하의 다양한 요구를 충족시킬 수 있습니다.

  • quantity

    최소 주문 수량은 1개부터입니다.

  • shipping

    최저 국제 배송비는 $0.00부터 시작됩니다

  • 보장하다

    모든 제품에 대해 365일 품질 보증

평가 및 리뷰

평가
제품을 평가해주세요!
댓글을 입력해주세요

귀하의 계정에 로그인하신 후 의견을 제출해 주십시오.

제출하다

추천하다

  • AO4292E

    AO4292E

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    High-quality 100V 8A SOIC-8 MOSFET with 23mΩ resi...

  • VQ1004P

    VQ1004P

    Vishay

    VQ1004P by Siliconix

  • STS4DPF30L

    STS4DPF30L

    Stmicroelectronics

    Dual P-channel MOSFET Transistor STS4DPF30L featur...

  • STS9D8NH3LL

    STS9D8NH3LL

    STMicroelectronics

    Dual N-channel 30V MOSFET, with 0.012 Ohm resistan...

  • RFP30P05

    RFP30P05

    Onsemi

    MOSFET Power P-Channel TO-220AB

  • NE3210S01-T1B

    NE3210S01-T1B

    Cel

    High-Frequency NE3210S01-T1B Transistor: Incorpora...