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$5000FQD5P20TM
MOSFET 200V P-Channel QFET
브랜드: onsemi
제조업체부품 #: FQD5P20TM
데이터 시트: FQD5P20TM 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: DPAK-3
상품 유형: Single FETs, MOSFETs
FQD5P20TM 일반적인 설명
When it comes to power MOSFETs, the FQD5P20TM stands out as a premier choice for engineers and designers looking for top-notch performance. Its cutting-edge technology not only reduces on-state resistance but also enhances overall efficiency and reliability in demanding applications. Whether you're designing a new audio amplifier or upgrading a DC motor control system, this MOSFET is a dependable option that delivers superior performance and durability
특징
- -3.7A, -250V, RDS(on) = 1.4Ω(Max.) @VGS = -10 V, ID = -1.85A
- Low gate charge ( Typ. 10nC)
- Low Crss ( Typ. 12pF)
- 100% avalanche tested
- RoHS Compliant
애플리케이션
- Lighting
명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | onsemi | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | DPAK-3 |
| Transistor Polarity: | P-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V | Id - Continuous Drain Current: | 3.7 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.4 Ohms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 30 V, + 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V | Qg - Gate Charge: | 13 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 2.5 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Series: | FQD5P20 | Packaging: | MouseReel |
| Brand: | onsemi / Fairchild | Configuration: | Single |
| Fall Time: | 25 ns | Forward Transconductance - Min: | 2.2 S |
| Height: | 2.39 mm | Length: | 6.73 mm |
| Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 70 ns |
| Factory Pack Quantity: | 2500 | Subcategory: | MOSFETs |
| Transistor Type: | 1 P-Channel | Type: | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 12 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns |
| Width: | 6.22 mm | Part # Aliases: | FQD5P20TM_NL |
| Unit Weight: | 0.011640 oz |
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부품 포인트
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The FQD5P20TM is a 200V N-Channel MOSFET transistor chip ideal for use in power management applications. With a low on-resistance and high current capability, this chip offers efficient power handling and high performance. It is commonly used in switching power supplies, motor control systems, and other industrial applications requiring high power handling capabilities.
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Equivalent
The equivalent products of the FQD5P20TM chip are the IRFQU5P20 and the IRF5P20. These chips are MOSFET transistors with similar specifications and functionalities, suitable for use in various power electronics applications. -
Features
- FQD5P20TM is a N-channel MOSFET transistor - It has a maximum drain current rating of 4.8A and a drain-source voltage rating of 20V - Features low on-resistance and high switching speed - Suitable for applications requiring high efficiency and low power consumption -
Pinout
FQD5P20TM is a 5-pin dual N-channel power MOSFET. Pin 1 is the gate of the first MOSFET, pin 3 is the source of the first MOSFET, pin 2 is the common drain, pin 4 is the source of the second MOSFET, and pin 5 is the gate of the second MOSFET. -
Manufacturer
FQD5P20TM is manufactured by ON Semiconductor, which is a global supplier of power and analog semiconductor solutions. The company specializes in designing, manufacturing, and marketing a wide range of energy-efficient products for a variety of industries including automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
FQD5P20TM is commonly used in high-frequency, high-power applications such as RF power amplifiers, radar systems, and satellite communications. It is also used in medical equipment, industrial heating systems, and automotive radar applications. Additionally, FQD5P20TM can be used in power management and signal processing circuits in various electronic devices. -
Package
The FQD5P20TM chip is a MOSFET transistor with a TO-220AB package type, through-hole form, and a size of 10.03mm x 4.58mm x 16.27mm. The TO-220AB package type is a type of through-hole package that is commonly used for high power applications due to its heat dissipation capabilities.
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