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$5000vishay SI7489DP-T1-E3
P-channel MOSFET for efficient switching and contro
브랜드: Vishay
제조업체부품 #: SI7489DP-T1-E3
데이터 시트: SI7489DP-T1-E3 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: PowerPAK-SO-8
상품 유형: Single FETs, MOSFETs
SI7489DP-T1-E3 일반적인 설명
MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
특징
Rds On (Max) @ Id, Vgs
41mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max)
5.2W (Ta), 83W (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4600 pF @ 50 V
Mfr
Vishay Siliconix
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
28A (Tc)
FET Type
P-Channel
Category
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| feature-category | Power MOSFET | feature-material | |
| feature-process-technology | TrenchFET | feature-configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| feature-channel-mode | Enhancement | feature-channel-type | P |
| feature-number-of-elements-per-chip | 1 | feature-maximum-drain-source-voltage-v | 100 |
| feature-maximum-gate-source-voltage-v | ±20 | feature-maximum-gate-threshold-voltage-v | |
| feature-maximum-continuous-drain-current-a | 28 | feature-maximum-drain-source-resistance-mohm | 41@10V |
| feature-typical-gate-charge-vgs-nc | 106@10V|[email protected] | feature-typical-gate-charge-10v-nc | 106 |
| feature-typical-input-capacitance-vds-pf | 4600@50V | feature-typical-output-capacitance-pf | |
| feature-maximum-power-dissipation-mw | 5200 | feature-packaging | Tape and Reel |
| feature-rad-hard | feature-pin-count | 8 | |
| feature-supplier-package | PowerPAK SO | feature-standard-package-name | |
| feature-cecc-qualified | No | feature-esd-protection | |
| feature-military | No | feature-aec-qualified | No |
| feature-aec-qualified-number | feature-eccn-code | EAR99 | |
| feature-svhc | No | feature-svhc-exceeds-threshold | No |
| Series | TrenchFET® | Product Status | Active |
| FET Type | P-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 28A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 7.8A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4600 pF @ 50 V |
| Power Dissipation (Max) | 5.2W (Ta), 83W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
배송
| 배송 유형 | 배송비 | 리드타임 | |
|---|---|---|---|
 |
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 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
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지불
| 지불 조건 | 핸드 수수료 | |
|---|---|---|
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신용 카드 | 3.5% 서비스 수수료를 부과합니다. |
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웨스턴 유니언 | charge US.00 banking fee. |
 |
돈 그램 | US$0.00의 은행 수수료를 부과합니다. |
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포장
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단계6 :바코드 배송 태그
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부품 포인트
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The SI7489DP-T1-E3 chip is an electronic component developed by vishay siliconix. it is designed for power management applications and features a high-side load switch with overcurrent protection. the chip offers a low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for various power control tasks in automotive, industrial, and consumer electronics.
-
Features
The SI7489DP-T1-E3 is a dual n-channel 30 v (d-s) mosfet designed for use in power management applications. it features low on-resistance, fast switching speed, and a small sot-363 package for space-constrained designs. additionally, it has a logic-level gate drive, making it compatible with low-voltage control signals. -
Pinout
The SI7489DP-T1-E3 is a dual n-channel mosfet. it has an 8-pin package, with the following pin configuration: 1 - source 1, 2 - drain 1, 3 - gate 1, 4 - nc, 5 - source 2, 6 - drain 2, 7 - gate 2, 8 - nc. -
Manufacturer
The manufacturer of the SI7489DP-T1-E3 is vishay siliconix. vishay siliconix is a company that specializes in the design, manufacture, and distribution of power and small-signal discrete semiconductors and passive electronic components. -
Application Field
The SI7489DP-T1-E3 is a voltage level translator ic. it can be used in various applications where voltage translation is required between different logic levels, such as communication interfaces, data converters, memory modules, and other digital systems.
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