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NXP BLF881

High-gain amplifier for RF signal processing applications

ISO14001 ISO9001 DUNS

브랜드: Ampleon

제조업체부품 #: BLF881

데이터 시트: BLF881 Datasheet (PDF)

패키지/케이스: LDMOST

상품 유형: RF FETs, MOSFETs

RoHS 상태:

재고상태: 2,282 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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BLF881 일반적인 설명

BLF881 is a high-power RF transistor designed for use in UHF TV broadcast transmitters, as well as other RF applications in the frequency range of 470 MHz to 860 MHz. It is manufactured by NXP Semiconductors, a leading semiconductor company.

blf881

특징

  • Operating frequency range: 470 MHz to 860 MHz
  • Output power: up to 1200 W (PEP)
  • Gain: typically 18 dB
  • Efficiency: typically 60%
  • Voltage: 50 V
  • Package type: ceramic envelope with a bolt-down flange

애플리케이션

  • UHF TV broadcast transmitters
  • Cellular base stations
  • Land mobile radio systems
  • Military communications systems

명세서

매개변수 매개변수
ECCN (US) EAR99 Part Status Active
Configuration Single Channel Mode Enhancement
Channel Type N Number of Elements per Chip 1
Mode of Operation DVB-T|2-Tone Class-AB Process Technology LDMOS
Maximum Drain Source Voltage (V) 104 Maximum Gate Source Voltage (V) 13
Maximum VSWR 10 Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 210(Typ)@6.15V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 100@50V Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) 1@50V
Typical Output Capacitance @ Vds (pF) 33.5@50V Output Power (W) 140(Typ)
Typical Power Gain (dB) 21 Maximum Frequency (MHz) 860
Minimum Frequency (MHz) 1 Typical Drain Efficiency (%) 49
Minimum Operating Temperature (°C) -65 Maximum Operating Temperature (°C) 200
Mounting Screw Package Height 4.67(Max)
Package Width 5.97(Max) Package Length 20.45(Max)
PCB changed 3 Supplier Package LDMOST
Pin Count 3

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  • ESD
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등가 부품

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부품 번호

브랜드

패키지

설명

부품 번호 :   MRF6VP3450H

브랜드 :  

패키지 :  

설명 :  

부품 번호 :   BLF888A

브랜드 :  

패키지 :   SOT539A

설명 :   UHF power LDMOS transistor

부품 번호 :   MRF6VP11KH

브랜드 :  

패키지 :   NI-123

설명 :   NI-1230

부품 번호 :   MRF6VP121KH

브랜드 :  

패키지 :  

설명 :  

부품 번호 :   MRF6VP2600H

브랜드 :  

패키지 :   SMD

설명 :   RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

부품 포인트

  • The BLF881 is a high-power RF transistor chip designed for broadband applications. It is specifically designed for use in FM radio and TV transmitters, mobile radio base stations, and other high-frequency amplification systems. This chip offers high gain, wide bandwidth, and excellent linearity, making it suitable for a range of RF power amplifier applications.
  • Equivalent

    The BLF881 chip is equivalent to the MRF154, CCI-104, 2SC3789, and SD1407.
  • Features

    The BLF881 is a high power RF LDMOS transistor featuring a power gain of 16 dB at 870 MHz, a maximum output power of 200 Watts, a drain efficiency of 75%, and a microstrip transmission line input and output for easy integration into RF circuits.
  • Pinout

    The BLF881 is a power amplifier transistor with 10 pins. The function of the BLF881 is to amplify radio frequency (RF) signals.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the BLF881 is NXP Semiconductors. NXP Semiconductors is a Dutch global semiconductor manufacturer. They specialize in the development and production of a wide range of semiconductors, including RF power transistors like the BLF881, which are commonly used in various applications including wireless communication systems, industrial and medical applications, and radar systems.
  • Application Field

    The BLF881 is a power transistor that can be used in a variety of applications, including radios, television transmitters, and RF amplifiers. It is commonly used for high-frequency power amplification in the range of 470 to 860 MHz.
  • Package

    The BLF881 chip is available in a single package type, known as the SOT502B package. It has a form of a Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) and has a compact size suitable for various applications.

데이터 시트 PDF

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