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NXP BLF147

Name: BLF147
Rating: 4.5 (10 reviews)

Rugged N-channel FET suitable for motor control, lighting and industrial automation

브랜드: Ampleon Usa Inc.

제조업체부품 #: BLF147

데이터 시트: BLF147 Datasheet (PDF)

패키지/케이스: SOT-121B

상품 유형: RF FETs, MOSFETs

RoHS 상태:

재고상태: 2,963 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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BLF147 일반적인 설명

Furthermore, BLF147 is easy to integrate into existing circuit designs, thanks to its standard pin configuration and compatibility with industry-standard components. This makes it a versatile and reliable option for a wide range of applications

특징

Output power of up to 150 watts
High efficiency (up to 65%)
High gain (up to 17 dB)
Excellent thermal stability
Designed for use in class-AB operation

애플리케이션

Cellular base stations
Broadcast transmitters
ISM band amplifiers
High-power amplifiers for other wireless applications

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Package	Tray	Product Status	Obsolete
Technology	MOSFET	Configuration	N-Channel
Frequency	108MHz	Gain	14dB
Voltage - Test	28 V	Current Rating (Amps)	25A
Current - Test	1 A	Power - Output	150W
Voltage - Rated	65 V	Mounting Type	Chassis Mount
Package / Case	SOT-121B

배송

	배송비	리드타임
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
페덱스	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
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포장

단계1 :제품
단계2 :진공 포장
단계3 :정전기 방지 가방
단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
단계6 :바코드 배송 태그

모든 제품은 정전기 방지 가방에 포장됩니다. ESD 정전기 방지 보호 장치와 함께 배송됩니다.

외부 ESD 포장 라벨은 당사 정보(부품 번호, 브랜드 및 수량)를 사용합니다.

우리는 선적 전에 모든 상품을 검사하고, 모든 제품이 양호한 상태인지 확인하고, 부품이 새로운 원본 일치 데이터시트인지 확인합니다.

모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

등가 부품

에 대한 BLF147 구성 요소인 경우 이러한 교체 및 대체 부품을 고려할 수 있습니다.:

부품 번호

브랜드

패키지

설명

부품 번호 : MRF6VP3450H

브랜드 :

패키지 :

설명 :

부품 번호 : BLF175

브랜드 :

패키지 : TO-59

설명 : HF/VHF power MOS transistor

부품 번호 : MRF6VP11KH

브랜드 :

패키지 : NI-123

설명 : NI-1230

부품 번호 : BLF184XR

브랜드 :

패키지 : SOT-1214A

설명 : Trans RF MOSFET N-CH 135V 5-Pin SOT-1214A

부품 번호 : MRF13750H

브랜드 :

패키지 :

설명 :

부품 포인트

BLF147 is a power transistor chip designed for high-frequency linear applications in the UHF band. It offers high power output and efficiency, making it ideal for use in professional radio and television transmitters. Its advanced design and low thermal resistance help to maximize performance and reliability in demanding RF power amplifier applications.
Equivalent

BLF177, BLF188, BLF887A, BLF888A, BLF860A, and BLF861A are equivalent products to the BLF147 chip. These transistors are designed for high-power amplifier applications in the field of broadcast and industrial, scientific, and medical (ISM) applications.
Features

1. High power LDMOS transistor 2. Frequency range: 1.8-600 MHz 3. Output power: 120W 4. Efficiency: 75% 5. Excellent thermal stability 6. Integrated ESD protection 7. Saturated gain: 23 dB 8. High ruggedness and reliability 9. Suitable for industrial, scientific, and medical applications 10. RoHS compliant
Pinout

The BLF147 is a N-channel enhancement mode power MOS transistor. It has a pin count of 4 with the following functions: gate (G), drain (D), source (S), and substrate (S). The BLF147 is commonly used in RF power amplifier applications.
Manufacturer

NXP Semiconductors is the manufacturer of the BLF147. It is a Dutch global semiconductor manufacturer known for producing a wide range of products for various industries such as automotive, industrial, and consumer electronics. NXP Semiconductors focuses on innovation, quality, and sustainability in its products.
Application Field

The BLF147 is commonly used in high power linear applications in the UHF frequency band, typically in the range of 470-860 MHz. It is often found in television transmitters, cellular base stations, and other RF power amplifiers where high power and efficiency are required.
Package

The BLF147 chip is a metal-ceramic package type with a stud / flange form. It comes in a size of 7mm x 7mm x 1.5mm.