이 웹사이트는 쿠키를 사용합니다. 이 사이트를 이용함으로써 귀하는 쿠키 사용에 동의하게 됩니다. 자세한 내용은 다음을 참조하세요. 개인 정보 정책.

주문 금액이

$5000
받으세요 $50 할인을 !

NXP FCP36N60N

N-channel Power MOSFET featuring SUPREMOS innovation

ISO14001 ISO9001 DUNS

브랜드: Onsemi

제조업체부품 #: FCP36N60N

데이터 시트: FCP36N60N Datasheet (PDF)

패키지/케이스: TO-220-3

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

RoHS 상태:

재고상태: 2,744 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

빠른 견적

다음에 대한 RFQ를 제출해 주십시오. FCP36N60N 또는 우리에게 이메일을 보내: 이메일: [email protected], 12시간 이내에 연락드리겠습니다.

FCP36N60N 일반적인 설명

Elevate your electronic designs with the FCP36N60N MOSFET, a revolutionary product that embodies the cutting-edge technology of the SupreMOS brand. Utilizing a deep trench filling process, this MOSFET stands out from conventional SJ MOSFETs by delivering the lowest Rsp on-resistance, superior switching performance, and rugged reliability. Ideal for a variety of high frequency switching power converter applications, including PFC systems, server/telecom power configurations, FPD TV power implementations, ATX power units, and industrial power needs, the SupreMOS MOSFET offers a reliable and efficient solution to enhance the performance of your projects. Experience the next generation of high voltage super-junction technology with the FCP36N60N MOSFET and unlock new possibilities for your designs

fcp36n60n

특징

  • RDSON(off) = 200mΩ (Typ.) @ VGS = 6V, ID = 15A
  • Hysteresis control for stable switching behavior
  • Logic level compatible input voltage
fcp36n60n

애플리케이션

  • A versatile choice for you.
  • Flexible and reliable option.
  • Meets diverse requirements.

명세서

매개변수 매개변수
Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style Through Hole
Package / Case TO-220-3 Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 600 V
Id - Continuous Drain Current 36 A Rds On - Drain-Source Resistance 90 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 30 V, + 30 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 4 V
Qg - Gate Charge 86 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 312 W
Channel Mode Enhancement Tradename SupreMOS
Series FCP36N60N Brand onsemi / Fairchild
Configuration Single Fall Time 4 ns
Forward Transconductance - Min 41 S Height 16.3 mm
Length 10.67 mm Product Type MOSFET
Rise Time 22 ns Factory Pack Quantity 1000
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 94 ns Typical Turn-On Delay Time 23 ns
Width 4.7 mm

배송

배송 유형 배송비 리드타임
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 날
Fedex 페덱스 $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 날
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 날
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 날
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 날
등기 항공 우편 등기 항공 우편 $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 날

처리 시간: 배송비는 지역 및 국가에 따라 다릅니다.

지불

지불 조건 핸드 수수료
은행 송금 은행 송금 US$30.00의 은행 수수료를 부과합니다.
페이팔 페이팔 4.0%의 서비스 수수료를 부과합니다.
신용 카드 신용 카드 3.5% 서비스 수수료를 부과합니다.
웨스턴 유니언 웨스턴 유니언 charge US.00 banking fee.
돈 그램 돈 그램 US$0.00의 은행 수수료를 부과합니다.

보증

1. 귀하가 구입한 전자 부품에는 365일 보증이 포함되어 있으며, 우리는 제품 품질을 보장합니다.

2. 귀하가 받은 품목 중 일부가 완벽한 품질이 아닌 경우, 당사는 책임 있게 귀하의 환불 또는 교체를 준비할 것입니다. 그러나 품목은 원래 상태를 유지해야 합니다.

포장

  • 제품

    단계1 :제품

  • 진공 포장

    단계2 :진공 포장

  • 정전기 방지 가방

    단계3 :정전기 방지 가방

  • 개별 포장

    단계4 :개별 포장

  • 포장 상자

    단계5 :포장 상자

  • 바코드 배송 태그

    단계6 :바코드 배송 태그

모든 제품은 정전기 방지 가방에 포장됩니다. ESD 정전기 방지 보호 장치와 함께 배송됩니다.

외부 ESD 포장 라벨은 당사 정보(부품 번호, 브랜드 및 수량)를 사용합니다.

우리는 선적 전에 모든 상품을 검사하고, 모든 제품이 양호한 상태인지 확인하고, 부품이 새로운 원본 일치 데이터시트인지 확인합니다.

모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

  • ESD
  • ESD

등가 부품

에 대한 FCP36N60N 구성 요소인 경우 이러한 교체 및 대체 부품을 고려할 수 있습니다.:

부품 번호

브랜드

패키지

설명

부품 번호 :   IRFP36N60NPBF

브랜드 :  

패키지 :  

설명 :  

부품 번호 :   STW36N60M2-EP

브랜드 :  

패키지 :  

설명 :  

부품 번호 :   FGH36N60UFD

브랜드 :  

패키지 :  

설명 :  

부품 번호 :   IXFK36N60Q

브랜드 :  

패키지 :  

설명 :  

부품 번호 :   SPA36N60C3

브랜드 :  

패키지 :  

설명 :  

부품 번호 :   PSMN2R6-60PS,127

브랜드 :  

패키지 :  

설명 :  

부품 포인트

  • The FCP36N60N chip is a power MOSFET transistor designed for high power applications. It features a low on-resistance and high switching speeds, making it suitable for use in power supplies, motor control, and other high voltage circuits. The chip offers efficient power management and can handle high current levels, providing reliable performance in demanding applications.
  • Equivalent

    The equivalent products of the FCP36N60N chip are the SCT30N60N and STD30N60N power MOSFETs, which offer similar specifications and performance characteristics but may have slight variations in their electrical and thermal properties.
  • Features

    FCP36N60N is a Field Stop IGBT designed for efficient power electronics applications. It features a low saturation voltage, low switching loss, high frequency operation, and high current handling capacity. Additionally, it has a built-in diode for protection and is environmentally friendly due to its lead-free package.
  • Pinout

    The FCP36N60N is a power MOSFET transistor. It has 3 pins, namely gate (G), drain (D), and source (S). The gate pin controls the flow of current between the drain and source pins. It is typically used for high power switching applications in various electronic devices.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the FCP36N60N is Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor is an American company that designs, develops, and produces power management and standard semiconductor technology solutions for various industries, including automotive, consumer electronics, and industrial applications.
  • Application Field

    -The FCP36N60N is a power MOSFET transistor designed for high-voltage applications. -It can be used in power supplies, motor control circuits, and inverters. -It is suitable for applications requiring high switching speeds, low gate charge, and low on-resistance. -Overall, the FCP36N60N can provide efficient power management and control in various industrial and consumer electronic devices.
  • Package

    The FCP36N60N chip comes in a TO-220 package type, in a standard form with three pins. The size of the package is approximately 10mm in length, 5mm in width, and 5mm in height.

데이터 시트 PDF

예비사양 FCP36N60N PDF 다운로드

우리는 고품질 제품, 사려 깊은 서비스 및 판매 후 보증을 제공합니다.

  • 제품

    우리는 풍부한 제품을 보유하고 있으며 귀하의 다양한 요구를 충족시킬 수 있습니다.

  • quantity

    최소 주문 수량은 1개부터입니다.

  • shipping

    최저 국제 배송비는 $0.00부터 시작됩니다

  • 보장하다

    모든 제품에 대해 365일 품질 보증

평가 및 리뷰

평가
제품을 평가해주세요!
댓글을 입력해주세요

귀하의 계정에 로그인하신 후 의견을 제출해 주십시오.

제출하다

추천하다

  • BLF878

    BLF878

    Ampleon Usa Inc.

    Reliable power switching solution for wireless com...

  • BLF147

    BLF147

    Ampleon Usa Inc.

    Rugged N-channel FET suitable for motor control, l...

  • MJE13009

    MJE13009

    Onsemi

    12 A, 400 V NPN Bipolar Power Transistor

  • FQP9N50C

    FQP9N50C

    Onsemi

    Designed for high-frequency and high-reliability p...

  • FQP18N50V2

    FQP18N50V2

    Onsemi

    TO-220 Packaged N-Channel MOSFET for Rail Mounting

  • FQP12N60C

    FQP12N60C

    Onsemi

    High Voltage N-Channel Transistor