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NXP MRF6V2300NBR1

Name: MRF6V2300NBR1
Rating: 4.5 (10 reviews)

VHV6 300W TO272WB4N RF MOSFET Transistors

브랜드: Nxp

제조업체부품 #: MRF6V2300NBR1

데이터 시트: MRF6V2300NBR1 Datasheet (PDF)

패키지/케이스: TO-272-4

상품 유형: 트랜지스터

RoHS 상태:

재고상태: 2723 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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MRF6V2300NBR1 일반적인 설명

The MRF6V2300NBR1 is a high-power RF LDMOS transistor designed for use in broadband and narrowband applications in the HF, VHF, and UHF frequency ranges. It operates at a frequency range of 1.8-470 MHz with a 30:1 VSWR load mismatch capability, making it suitable for a wide variety of radio frequency amplification tasks.This transistor delivers a typical output power of 300 watts with a power gain of 16 dB at 230 MHz, making it ideal for high-power RF amplification applications. It features excellent thermal stability, which ensures reliable performance even under extreme operating conditions.The MRF6V2300NBR1 is housed in a compact, air-cavity-style package, which helps in efficient heat dissipation and ensures long-term reliability. It is also designed to withstand high-voltage and high-current conditions, making it suitable for demanding RF amplifier applications.

특징

Frequency: 2300 MHz
Output Power: 300W
Gain: 23 dB
Efficiency: 67%
Operating Voltage: 50V
Operating Temperature: -40°C to +150°C
High ruggedness
Broadband performance

애플리케이션

Avionics
Radar systems
Broadcast applications
Industrial heating and welding equipment
RF energy applications
Medical equipment
Satellite communication systems
Radio frequency identification (RFID)
Television transmitters
Cellular infrastructure

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Product Category	RF MOSFET Transistors	RoHS	Details
Transistor Polarity	N-Channel	Technology	Si
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	110 V	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	TO-272-4	Brand	NXP Semiconductors
Channel Mode	Enhancement	Configuration	Single Dual Drain Dual Gate
Height	2.64 mm	Length	23.67 mm
Moisture Sensitive	Yes	Product Type	RF MOSFET Transistors
Series	MRF6V2300N	Factory Pack Quantity	500
Subcategory	MOSFETs	Type	RF Power MOSFET
Vgs - Gate-Source Voltage	- 500 mV, 10 V	Width	9.07 mm
Part # Aliases	935309671528

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부품 포인트

The MRF6V2300NBR1 is a high power RF amplifier chip designed for use in various applications such as industrial, scientific, and medical (ISM) bands. It operates in the frequency range of 2300-2700 MHz and offers high efficiency and gain for power amplification needs. This chip is commonly used in wireless communication systems, radar systems, and satellite communications.
Equivalent

Some equivalent products of MRF6V2300NBR1 chip are NXP MRFE6VS25N, Freescale MRF6V4300NBR1, and Ampleon BLF188XR. These chips are also high-power RF transistors suitable for various RF power applications.
Features

The MRF6V2300NBR1 is a high power RF MOSFET transistor designed for broadband RF amplifier applications. It features a frequency range of 1.8-512 MHz, a power output of 300W, a gain of 16dB, and a high efficiency of 70%. Additionally, it has a rugged design for reliable performance in harsh environments.
Pinout

The MRF6V2300NBR1 is a power amplifier transistor with a pin count of 4. Pin 1 is the emitter, pin 2 is the gate, pin 3 is the collector, and pin 4 is the source. It is typically used for high power radar and MRI applications.
Manufacturer

The MRF6V2300NBR1 is manufactured by NXP Semiconductors, a Dutch-American semiconductor manufacturer. NXP Semiconductors specializes in designing and producing a wide range of semiconductor solutions for automotive, industrial, and IoT applications.
Application Field

The MRF6V2300NBR1 is commonly used in high-power RF amplifier applications, such as radar systems, military communications, and industrial heating systems. It is specifically designed for frequencies up to 2300 MHz and offers high power output and efficiency, making it suitable for a wide range of RF power amplification needs.
Package

The MRF6V2300NBR1 chip is a surface mount package type with a form of flange-mount and a size of 2.000 x 1.310 x 0.510 inches.