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ON FCH104N60F 48HRS

N-Channel 600 V 37A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-247-3

ISO14001 ISO9001 DUNS

브랜드: ON

제조업체부품 #: FCH104N60F

데이터 시트: FCH104N60F 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: TO-247

RoHS 상태:

재고상태: 126 PC, 새로운 원본

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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FCH104N60F 일반적인 설명

Elevate your high voltage power applications with the SuperFET II MOSFET, model FCH104N60F. This innovative SJ MOSFET features charge balance technology for unparalleled performance, offering low on-resistance and reduced gate charge for minimal conduction loss and superior switching capabilities. With enhanced dv/dt rate and higher avalanche energy, the SuperFET II MOSFET is the perfect choice for switching power applications like PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power, and industrial power. Plus, the FRFET MOSFET variant enhances system reliability with optimized body diode reverse recovery performance. Choose the SuperFET II MOSFET for efficient, reliable power solutions

FCH104N60F

특징

  • RDS(on) = 104 mΩ (Max)
  • Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 107 nC)
  • Low Effective Output Capacitance
  • 100% AvalancheTested
  • RoHS Compliant
FCH104N60F

애플리케이션

  • This product is general usage and suitable for many different applications

명세서

매개변수 매개변수
Product Category MOSFET RoHS Details
REACH Details Technology Si
Mounting Style Through Hole Package / Case TO-247-3
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 650 V Id - Continuous Drain Current 37 A
Rds On - Drain-Source Resistance 104 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 5 V Qg - Gate Charge 139 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 357 W Channel Mode Enhancement
Tradename SuperFET II FRFET Series FCH104N60F
Brand onsemi / Fairchild Configuration Single
Fall Time 20 ns Forward Transconductance - Min 47 S
Height 20.82 mm Length 15.87 mm
Product Type MOSFET Rise Time 58 ns
Factory Pack Quantity 30 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Typical Turn-Off Delay Time 206 ns
Typical Turn-On Delay Time 78 ns Width 4.82 mm
Unit Weight 0.211644 oz

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부품 포인트

  • The FCH104N60F chip is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) designed for high voltage applications. It features a low on-resistance, allowing for efficient power handling. The chip is suitable for use in various electronic devices, such as power supplies, inverters, and motor control circuits, providing reliable and efficient power switching capabilities.
  • Equivalent

    The equivalent products of the FCH104N60F chip are the STW104N60F7, IRF1405, and IXTN104N60F7 chips.
  • Features

    The FCH104N60F is a power MOSFET semiconductor device that offers a low on-resistance and high switching efficiency. It operates at a voltage of 600V and can handle continuous currents up to 110A. The device is designed for use in various power switching applications, such as motor control, inverters, and switched mode power supplies.
  • Pinout

    The FCH104N60F is a power MOSFET with a TO-247 package. It has three pins: gate (G), drain (D), and source (S). The gate pin controls the switching of the MOSFET, the drain pin connects to the load, and the source pin acts as a common reference point for the gate and drain.
  • Manufacturer

    Infineon Technologies AG is the manufacturer of the FCH104N60F. It is a German semiconductor manufacturing company that specializes in the production of power semiconductors and system solutions for advanced technologies, including automotive, industrial, and digital security applications.
  • Application Field

    The FCH104N60F is a power MOSFET transistor that is commonly used in high-frequency switching applications such as power supplies, inverters, motor drives, and lighting systems. Its low on-resistance and fast switching capability make it suitable for high-efficiency power conversion designs.
  • Package

    The package type of the FCH104N60F chip is TO-247, which is a large and robust package commonly used for high-power devices. The form of the chip is a discrete power transistor. The size of the FCH104N60F chip is approximately 15.5mm x 21.5mm x 5.86mm.

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    ON

    English expressions

  • MJF18008G

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    Onsemi

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