이 웹사이트는 쿠키를 사용합니다. 이 사이트를 이용함으로써 귀하는 쿠키 사용에 동의하게 됩니다. 자세한 내용은 다음을 참조하세요. 개인 정보 정책.

이미지는 참고용입니다. 제품 사양 보기

ON FDD3670

Name: FDD3670
Rating: 4.5 (5 reviews)

FDD3670 100V N-Channel Power MOSFET TO-252AA Package

브랜드: Onsemi

제조업체부품 #: FDD3670

데이터 시트: FDD3670 Datasheet (PDF)

패키지/케이스: DPAK-3 (TO-252-3)

상품 유형: 트랜지스터

RoHS 상태:

재고상태: 3814 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

BOM에 추가

빠른 견적

다음에 대한 RFQ를 제출해 주십시오. FDD3670 또는 우리에게 이메일을 보내: 이메일: [email protected], 12시간 이내에 연락드리겠습니다.

수량^*

이메일^*

담당자 이름^*

회사

주목

FDD3670 일반적인 설명

This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers.
These MOSFETs feature faster switching and lower gate charge than other MOSFETs with comparable R_DS(ON) specifications.
The result is a MOSFET that is easy and safer to drive (even at very high frequencies), and DC/DC power supply designs with higher overall efficiency.

특징

34 A, 100 V
R_DS(ON) = 32 mΩ @ V_GS = 10 V
R_DS(ON) = 35 mΩ @ V_GS = 6 V
Low gate charge (57 nC typical)
Fast switching speed.
High performance trench technology for extremelylow R_DS(ON).
High power and current handling capability.

애플리케이션

This product is general usage and suitable for many different applications.

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Product Category	MOSFET	RoHS	Details
REACH	Details	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Package / Case	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	100 V	Id - Continuous Drain Current	34 A
Rds On - Drain-Source Resistance	22 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2 V	Qg - Gate Charge	80 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 175 C
Pd - Power Dissipation	3.8 W	Channel Mode	Enhancement
Tradename	PowerTrench	Series	FDD3670
Brand	onsemi / Fairchild	Configuration	Single
Fall Time	25 ns	Forward Transconductance - Min	31 S
Height	2.39 mm	Length	6.73 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	10 ns
Factory Pack Quantity	2500	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Type	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	56 ns	Typical Turn-On Delay Time	16 ns
Width	6.22 mm	Part # Aliases	FDD3670_NL
Unit Weight	0.011640 oz

배송

	배송비	리드타임
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
페덱스	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
등기 항공 우편	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날

처리 시간: 배송비는 지역 및 국가에 따라 다릅니다.

지불

지불 조건		핸드 수수료
	은행 송금	US$30.00의 은행 수수료를 부과합니다.
	페이팔	4.0%의 서비스 수수료를 부과합니다.
	신용 카드	3.5% 서비스 수수료를 부과합니다.
	웨스턴 유니언	charge US.00 banking fee.
	돈 그램	US$0.00의 은행 수수료를 부과합니다.

보증

1. 귀하가 구입한 전자 부품에는 365일 보증이 포함되어 있으며, 우리는 제품 품질을 보장합니다.

2. 귀하가 받은 품목 중 일부가 완벽한 품질이 아닌 경우, 당사는 책임 있게 귀하의 환불 또는 교체를 준비할 것입니다. 그러나 품목은 원래 상태를 유지해야 합니다.

포장

단계1 :제품
단계2 :진공 포장
단계3 :정전기 방지 가방
단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
단계6 :바코드 배송 태그

모든 제품은 정전기 방지 가방에 포장됩니다. ESD 정전기 방지 보호 장치와 함께 배송됩니다.

외부 ESD 포장 라벨은 당사 정보(부품 번호, 브랜드 및 수량)를 사용합니다.

우리는 선적 전에 모든 상품을 검사하고, 모든 제품이 양호한 상태인지 확인하고, 부품이 새로운 원본 일치 데이터시트인지 확인합니다.

모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The FDD3670 chip is a power MOSFET transistor used for switching applications. It is designed to handle high current and voltage levels, making it suitable for various power management circuitry. The chip’s low switching losses and fast switching speed make it ideal for applications such as motor control, power supplies, and lighting systems.
Equivalent

There are no direct equivalent products to the FDD3670 chip as it is a unique chip with its own specifications and features. However, there may be other similar power MOSFETs available in the market that can offer comparable functionality.
Features

The FDD3670 is a power MOSFET with a drain-source voltage of 30V and a continuous drain current of 72A, making it suitable for various high-power applications. It features low ON-resistance, excellent thermal stability, and fast switching performance, providing efficient power management solutions in electronic devices.
Pinout

The FDD3670 is a 10-pin N-Channel PowerTrench MOSFET. Its pins include the gate, source, and drain terminals for control and power applications. It is designed for efficient operation and high performance in power management circuits.
Manufacturer

The manufacturer of the FDD3670 is Fairchild Semiconductor. It is a global company that specializes in the design, development, and production of power semiconductors and integrated circuits. Fairchild Semiconductor provides a diverse range of products for various industries such as automotive, consumer electronics, and industrial applications.
Application Field

The FDD3670 is a power MOSFET designed for use in applications such as motor drives, LED lighting, and switching power supplies. It can also be used in industrial automation and automotive systems where high current handling and low conduction losses are required.
Package

The FDD3670 chip is available in a package type of DPAK, with a form factor of TO-252AA. It has a size dimension of approximately 6.6 mm x 9.7 mm.