이 웹사이트는 쿠키를 사용합니다. 이 사이트를 이용함으로써 귀하는 쿠키 사용에 동의하게 됩니다. 자세한 내용은 다음을 참조하세요. 개인 정보 정책.

주문 금액이

$5000
받으세요 $50 할인을 !

ON FDS6681Z 48HRS

P-Channel MOSFET

ISO14001 ISO9001 DUNS

브랜드: ON

제조업체부품 #: FDS6681Z

데이터 시트: FDS6681Z 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: SOP8

RoHS 상태:

재고상태: 9,743 PC, 새로운 원본

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

가격

*모든 가격은 USD 단위입니다.

수량 단가 추가 가격
1 $0.468 $0.468
10 $0.385 $3.850
30 $0.343 $10.290
100 $0.303 $30.300
500 $0.278 $139.000
1000 $0.264 $264.000

재고: 9,743 PCS

- +

빠른 견적

다음에 대한 RFQ를 제출해 주십시오. FDS6681Z 또는 우리에게 이메일을 보내: 이메일: [email protected], 12시간 이내에 연락드리겠습니다.

FDS6681Z 일반적인 설명

Engineered for optimal performance, the FDS6681Z offers a reliable solution for handling demanding tasks in modern electronics. Its PowerTrench® process ensures that the on-state resistance is minimized, resulting in efficient power management and seamless load switching capabilities. Whether you're working on a notebook computer or designing a portable battery pack, this MOSFET is ready to deliver the power you need while keeping energy consumption in check

특징

  • Rugged construction for heavy use
  • Superior thermal management features
  • Compact size and lightweight body
  • Fully compliant with international regulations
  • High-reliability and low failure rates
  • Advanced noise reduction technology

애플리케이션

  • Useful for all tasks.
  • Perfect for any project.
  • Excellent for multiple uses.

명세서

매개변수 매개변수
Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOIC-8 Transistor Polarity P-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30 V
Id - Continuous Drain Current 20 A Rds On - Drain-Source Resistance 3.8 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 25 V, + 25 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3 V
Qg - Gate Charge 260 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 2.5 W
Channel Mode Enhancement Tradename PowerTrench
Series FDS6681Z Brand onsemi / Fairchild
Configuration Single Fall Time 380 ns
Forward Transconductance - Min 79 S Height 1.75 mm
Length 4.9 mm Product Type MOSFET
Rise Time 9 ns Factory Pack Quantity 2500
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 P-Channel
Type MOSFET Typical Turn-Off Delay Time 660 ns
Typical Turn-On Delay Time 20 ns Width 3.9 mm
Unit Weight 0.008113 oz

배송

배송 유형 배송비 리드타임
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 날
Fedex 페덱스 $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 날
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 날
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 날
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 날
등기 항공 우편 등기 항공 우편 $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 날

처리 시간: 배송비는 지역 및 국가에 따라 다릅니다.

지불

지불 조건 핸드 수수료
은행 송금 은행 송금 US$30.00의 은행 수수료를 부과합니다.
페이팔 페이팔 4.0%의 서비스 수수료를 부과합니다.
신용 카드 신용 카드 3.5% 서비스 수수료를 부과합니다.
웨스턴 유니언 웨스턴 유니언 charge US.00 banking fee.
돈 그램 돈 그램 US$0.00의 은행 수수료를 부과합니다.

보증

1. 귀하가 구입한 전자 부품에는 365일 보증이 포함되어 있으며, 우리는 제품 품질을 보장합니다.

2. 귀하가 받은 품목 중 일부가 완벽한 품질이 아닌 경우, 당사는 책임 있게 귀하의 환불 또는 교체를 준비할 것입니다. 그러나 품목은 원래 상태를 유지해야 합니다.

포장

  • 제품

    단계1 :제품

  • 진공 포장

    단계2 :진공 포장

  • 정전기 방지 가방

    단계3 :정전기 방지 가방

  • 개별 포장

    단계4 :개별 포장

  • 포장 상자

    단계5 :포장 상자

  • 바코드 배송 태그

    단계6 :바코드 배송 태그

모든 제품은 정전기 방지 가방에 포장됩니다. ESD 정전기 방지 보호 장치와 함께 배송됩니다.

외부 ESD 포장 라벨은 당사 정보(부품 번호, 브랜드 및 수량)를 사용합니다.

우리는 선적 전에 모든 상품을 검사하고, 모든 제품이 양호한 상태인지 확인하고, 부품이 새로운 원본 일치 데이터시트인지 확인합니다.

모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

  • ESD
  • ESD

부품 포인트

  • The FDS6681Z chip is a power MOSFET transistor commonly used in electronic applications such as switching circuits and power supplies. It features low on-resistance, high current capability, and a small form factor. The FDS6681Z chip is designed to efficiently control and manage power flow within electronic systems, making it a popular choice in various industries.
  • Equivalent

    Some equivalent products of the FDS6681Z chip include the 2N7000, IRL540, IRLZ44N, IRF520, and IRFZ44N. These are all power MOSFETs that can be used as substitutes for the FDS6681Z in various applications.
  • Features

    The FDS6681Z is a power MOSFET transistor with a maximum drain-source voltage of 20V and a maximum drain current of 8.5A. It has low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for switching applications in power supplies, motor control, and other high-current circuits.
  • Pinout

    The FDS6681Z is a dual N-channel PowerTrench MOSFET with a pin count of 8. It is designed for low side switch applications, with one MOSFET used for the high-side switch and the other for the low-side switch. It provides a high current handling capability and is suitable for use in automotive and industrial applications.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the FDS6681Z is Fairchild Semiconductor. It is a leading global company that specializes in the design, development, and manufacturing of semiconductors and integrated circuits. Fairchild Semiconductor provides a wide range of solutions for various industries including automotive, consumer electronics, industrial, and more.
  • Application Field

    The FDS6681Z is a PowerTrench MOSFET that is commonly used in applications such as power management, motor control, and load switching in portable devices, automotive systems, and industrial equipment. Its low on-resistance and high switching speed make it suitable for the efficient control and regulation of power in various electronic systems.
  • Package

    The FDS6681Z chip has a package type of SOP-8 (Small Outline Package) and a form of Surface Mount. Its size is compact and measures approximately 5.3mm x 6.2mm.

우리는 고품질 제품, 사려 깊은 서비스 및 판매 후 보증을 제공합니다.

  • 제품

    우리는 풍부한 제품을 보유하고 있으며 귀하의 다양한 요구를 충족시킬 수 있습니다.

  • quantity

    최소 주문 수량은 1개부터입니다.

  • shipping

    최저 국제 배송비는 $0.00부터 시작됩니다

  • 보장하다

    모든 제품에 대해 365일 품질 보증

평가 및 리뷰

평가
제품을 평가해주세요!
댓글을 입력해주세요

귀하의 계정에 로그인하신 후 의견을 제출해 주십시오.

제출하다

추천하다

  • NVTFS5820NLTAG

    NVTFS5820NLTAG

    ON

    NVTFS5820NLTAG is a MOSFET featuring a single N-ch...

  • NVF3055L108T1G

    NVF3055L108T1G

    ON

    223 MOSFET with N Channel transistor polarity, 60V...

  • FQD2N100TM

    FQD2N100TM

    ON

    Transistor MOSFET, N-channel type, designed for op...

  • NTS2101PT1G

    NTS2101PT1G

    Onsemi

    Low power consumption of 0.29 W

  • MMBT5401LT1G

    MMBT5401LT1G

    Onsemi

    PNP Transistor with 0.5A Current Rating and SOT-23...

  • NTLJD3115PT1G

    NTLJD3115PT1G

    ON Semiconductor, LLC

    Mosfet Array 20V 2.3A 710mW Surface Mount 6-WDFN (...