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ON NTLJD3115PT1G

Mosfet Array 20V 2.3A 710mW Surface Mount 6-WDFN (2x2)

ISO14001 ISO9001 DUNS

브랜드: ON Semiconductor, LLC

제조업체부품 #: NTLJD3115PT1G

데이터 시트: NTLJD3115PT1G Datasheet (PDF)

패키지/케이스: WDFN EP

상품 유형: 트랜지스터

RoHS 상태:

재고상태: 3602 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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NTLJD3115PT1G 일반적인 설명

Mosfet Array 20V 2.3A 710mW Surface Mount 6-WDFN (2x2)

특징

  • WDFN Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent Thermal Conduction
  • 2x2 mm Footprint Same as SC-88
  • Lowest RDS(on) Solution in 2x2 mm Package
  • 1.8 V RDS(on) Rating for Operation at Low Voltage Gate Drive Logic Level
  • Low Profile (< 0.8 mm) for Easy Fit in Thin Environments
  • Bidirectional Current Flow with Common Source Configuration

애플리케이션

  • Optimized for Battery and Load Management Applications in Portable Equipment
  • Li-Ion Battery Charging and Protection Circuits
  • High Side Load Switch

명세서

매개변수 매개변수
Source Content uid NTLJD3115PT1G Pbfree Code Yes
Part Life Cycle Code Active Ihs Manufacturer ONSEMI
Part Package Code WDFN6 2x2, 0.65P Package Description WDFN-6
Pin Count 6 Manufacturer Package Code 506AN
Reach Compliance Code compliant ECCN Code EAR99
Factory Lead Time 22 Weeks Samacsys Manufacturer onsemi
Additional Feature LOGIC LEVEL COMPATIBLE Case Connection DRAIN
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE DS Breakdown Voltage-Min 20 V
Drain Current-Max (ID) 2.3 A Drain-source On Resistance-Max 0.135 Ω
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR JESD-30 Code S-PDSO-N6
JESD-609 Code e3 Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1 Number of Terminals 6
Operating Mode ENHANCEMENT MODE Operating Temperature-Max 150 °C
Operating Temperature-Min -55 °C Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR Package Style SMALL OUTLINE
Peak Reflow Temperature (Cel) 260 Polarity/Channel Type P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 1.5 W Pulsed Drain Current-Max (IDM) 20 A
Qualification Status Not Qualified Surface Mount YES
Terminal Finish MATTE TIN Terminal Form NO LEAD
Terminal Position DUAL Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30
Transistor Application SWITCHING Transistor Element Material SILICON
feature-category Power MOSFET feature-material
feature-process-technology feature-configuration Dual
feature-channel-mode Enhancement feature-channel-type P
feature-number-of-elements-per-chip 2 feature-maximum-drain-source-voltage-v 20
feature-maximum-gate-source-voltage-v ±8 feature-maximum-gate-threshold-voltage-v 1
feature-maximum-continuous-drain-current-a 3.3 feature-maximum-drain-source-resistance-mohm [email protected]
feature-typical-gate-charge-vgs-nc [email protected] feature-typical-gate-charge-10v-nc 5.5
feature-typical-input-capacitance-vds-pf 531@10V feature-typical-output-capacitance-pf 91
feature-maximum-power-dissipation-mw 2300 feature-packaging Tape and Reel
feature-rad-hard feature-pin-count 6
feature-supplier-package WDFN EP feature-standard-package-name1 DFN
feature-cecc-qualified No feature-esd-protection
feature-military No feature-aec-qualified No
feature-aec-qualified-number feature-auto-motive No
feature-p-pap No feature-eccn-code EAR99
feature-svhc No

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부품 포인트

  • The NTLJD3115PT1G chip is a high-speed, low voltage dual N-channel MOSFET designed for applications such as load and motor control. It has a compact 2mm x 2mm package and features low on-resistance with fast switching capabilities. This chip is suitable for use in a variety of electronic devices that require efficient power management and control.
  • Features

    The NTLJD3115PT1G is a high-performance N-channel MOSFET transistor. It has a low on-resistance, high power dissipation capability, and is designed for applications requiring high efficiency power conversion. The device offers low gate charge which enables faster switching, making it suitable for various applications including power supplies, motor controls, and automotive systems.
  • Pinout

    The NTLJD3115PT1G is a MOSFET transistor with a 6-pin DFN package. It is a dual N-Channel enhancement mode transistor designed for low voltage, high-speed switching applications. The pin count includes 3 pins per channel: drain, source, and gate for each N-Channel.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the NTLJD3115PT1G is ON Semiconductor. It is a semiconductor manufacturing company that specializes in designing and producing a wide range of integrated circuits, power management solutions, and discrete components for various industries including automotive, communications, consumer electronics, and industrial applications.
  • Application Field

    The NTLJD3115PT1G is a low on-resistance single-channel logic level N-channel MOSFET. It can be used in a variety of applications, including power management, load switching, battery charging, and motor control. Its compact package and high efficiency make it suitable for portable electronics, automotive systems, industrial equipment, and more.
  • Package

    The NTLJD3115PT1G chip is available in a surface mount package type known as SOT-563. It is a small form factor package with dimensions measuring approximately 1.6mm x 1.6mm x 0.6mm.

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