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ON FCP190N65F
650V voltage capacity
FCP190N65F 일반적인 설명
SuperFET® II MOSFET is a brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizingcharge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET II MOSFET is very suitable for the switching power applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications. SuperFET II FRFET® MOSFET’s optimized body diode reverse recovery performance can remove additional component and improve system reliability.
특징
- 700 V @ TJ = 150°C
- Typ. RDS(on) = 168 mΩ
- Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 60 nC)
- Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 186 pF)
- 100% Avalanche Tested
- RoHS Compliant
애플리케이션
- AC-DC Power Supplies
명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| REACH | Details | Technology | Si |
| Mounting Style | Through Hole | Package / Case | TO-220-3 |
| Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V | Id - Continuous Drain Current | 20.6 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 190 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 5 V | Qg - Gate Charge | 60 nC |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation | 208 W | Channel Mode | Enhancement |
| Tradename | SuperFET II FRFET | Series | FCP190N65F |
| Brand | onsemi / Fairchild | Configuration | Single |
| Fall Time | 4.2 ns | Forward Transconductance - Min | 18 S |
| Height | 16.3 mm | Length | 10.67 mm |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 11 ns |
| Factory Pack Quantity | 800 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 62 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 25 ns | Width | 4.7 mm |
| Unit Weight | 0.068784 oz |
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부품 포인트
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The FCP190N65F is an integrated circuit chip designed for power electronics applications, particularly in the field of renewable energy systems. It provides efficient power conversion and control, supporting high voltage and current operation. This chip offers a compact and reliable solution for various power electronics designs, including solar inverters and motor drives, among others.
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Equivalent
The equivalent products of FCP190N65F chip are IRFP4110, STW10NK90Z, and AOT290L. -
Features
The FCP190N65F is a field-stop trench IGBT designed for high-speed switching applications. It offers low conduction and switching losses, high ruggedness, and short circuit withstand capability. It has a voltage rating of 650V, a current rating of 190A, and is suitable for use in motor control, solar energy, and other power electronic applications. -
Pinout
The FCP190N65F is a power MOSFET transistor with 3 pins. Pin 1 is the gate, pin 2 is the drain, and pin 3 is the source. The function of this device is to control the flow of current between the drain and the source when a voltage is applied to the gate. -
Manufacturer
The manufacturer of the FCP190N65F is Fairchild Semiconductor Corporation, which is a global company specializing in the development and production of power management and analog semiconductor devices. -
Application Field
The FCP190N65F is a power MOSFET transistor that is commonly used in various applications such as switch mode power supplies, motor control, and automotive systems. Its low on-resistance and fast switching capabilities make it suitable for high-performance and energy-efficient designs. -
Package
The FCP190N65F chip has a package type of TO-220F, a form of N-Channel MOSFET, and a size of 10.4mm x 9.9mm.
데이터 시트 PDF
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