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ON FCB20N60TM
High Power MOSFET
제조업체부품 #: FCB20N60TM
데이터 시트: FCB20N60TM Datasheet (PDF)
패키지/케이스: D2PAK
RoHS 상태:
재고상태: 3012 PC, 새로운 원본
상품 유형: 트랜지스터
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| 수량 | 단가 | 추가 가격 |
|---|---|---|
| 1 | $4.730 | $4.730 |
| 10 | $4.151 | $41.510 |
| 30 | $3.806 | $114.180 |
| 100 | $3.459 | $345.900 |
| 500 | $3.210 | $1605.000 |
| 800 | $3.137 | $2509.600 |
In Stock:3012 PCS
FCB20N60TM 일반적인 설명
SuperFET® MOSFET is the first generation of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET MOSFET is very suitable for the switching power applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications.
특징
- 650V @TJ = 150°C
- Typ. RDS(on) = 150mΩ
- Ultra low gate charge ( Typ. Qg = 75nC )
- Low effective output capacitance ( Typ. Coss.eff = 165pF )
- 100% avalanche tested
- RoHS compliant
애플리케이션
- This product is general usage and suitable for many different applications.
명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Status | Active, Not Rec | Compliance | PbAHP |
| Package Type | D2PAK-3 / TO-263-2 | Case Outline | 418AJ |
| MSL Type | 1 | MSL Temp (°C) | 245 |
| Container Type | REEL | Container Qty. | 800 |
| ON Target | N | Channel Polarity | N-Channel |
| Configuration | Single | V(BR)DSS Min (V) | 600 |
| ID Max (A) | 20 | PD Max (W) | 208 |
| RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) | 190 | Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) | 75 |
| Pricing ($/Unit) | $2.34Sample |
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부품 포인트
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The FCB20N60TM chip is a power MOSFET transistor designed for high power switching applications. It has a voltage rating of 600V and a current rating of 20A, making it suitable for use in various power electronics systems. The chip features low on-resistance, fast switching speed, and high thermal efficiency, making it ideal for applications such as motor drives, power supplies, and inverters.
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Features
The FCB20N60TM is a power MOSFET transistor with a breakdown voltage of 600V, a continuous drain current of 20A, and a low on-resistance of 0.15Ω. It offers excellent switching characteristics and is suitable for various high-power applications. -
Pinout
The FCB20N60TM is a power MOSFET with a pin count of 3. The pin functions are gate (G), source (S), and drain (D). -
Manufacturer
Infineon Technologies is the manufacturer of the FCB20N60TM. It is a multinational semiconductor and system solutions company that offers a wide range of products for various industries like automotive, industrial, and power management. -
Application Field
The FCB20N60TM is a power MOSFET commonly used in applications such as high-speed switching power supplies, inverters, motor drives, and other industrial equipment that requires high current handling and efficiency. It can also be used in automotive applications for electric vehicle powertrain systems, battery management, and hybrid electric vehicles. -
Package
The FCB20N60TM chip is available in a TO-220 package type with a through-hole mounting method. Its form is single-ended and its size is approximately 10.6mm x 15.8mm x 4.6mm.
데이터 시트 PDF
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