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$5000ON FCB070N65S3
MOSFET SuperFET3 650V 70mOhm
브랜드: ON
제조업체부품 #: FCB070N65S3
데이터 시트: FCB070N65S3 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: TO263
RoHS 상태:
재고상태: 171 PC, 새로운 원본
상품 유형: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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10 | $3.690 | $36.900 |
30 | $3.384 | $101.520 |
100 | $3.074 | $307.400 |
500 | $2.931 | $1465.500 |
800 | $2.867 | $2293.600 |
재고: 171 PCS
FCB070N65S3 일반적인 설명
With the FCB070N65S3 MOSFET, ON Semiconductor introduces a groundbreaking solution for high-voltage power applications. The incorporation of charge-balance technology ensures lower on-resistance and gate charge, resulting in improved efficiency and performance. This MOSFET is engineered to excel in minimizing conduction losses and providing robust switching capabilities, making it an ideal choice for applications requiring high reliability and precision. Its ability to withstand extreme voltage and dv/dt rates further enhances its suitability for challenging environments
특징
- 700 V @ TJ = 150 oC
- Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 78 nC)
- Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 715 pF)
- Optimized Capacitance
- Typ. RDS(on) = 62 mΩ
- 100% Avalanche Tested
- RoHS Compliant
- Wave soldering guarantee
애플리케이션
- Telecommunication
- Cloud system
- Industrial
명세서
매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
---|---|---|---|
Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
REACH | Details | Technology | Si |
Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | D2PAK-3 (TO-263-3) |
Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V | Id - Continuous Drain Current | 44 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 70 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V | Qg - Gate Charge | 78 nC |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Pd - Power Dissipation | 312 W | Channel Mode | Enhancement |
Tradename | SuperFET III | Series | FCB070N65S3 |
Brand | onsemi / Fairchild | Configuration | Single |
Fall Time | 16 ns | Forward Transconductance - Min | 29 S |
Height | 4.83 mm | Length | 10.67 mm |
Product Type | MOSFET | Rise Time | 52 ns |
Factory Pack Quantity | 800 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 89 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 26 ns | Width | 9.65 mm |
Unit Weight | 0.139332 oz |
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부품 포인트
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FCB070N65S3 is a power MOSFET chip designed for high-performance applications. It offers low conduction and switching losses, enabling efficient power management in various electronic devices. The chip features a high current rating, low on-resistance, and a robust design. Overall, FCB070N65S3 is suitable for power electronics, motor control, and other applications where high efficiency and reliability are crucial.
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Equivalent
The FCB070N65S3 chip's equivalent products include IRFP064N, IRFP0710, TP65N06, STP65NF06, and AOB245L. -
Features
The FCB070N65S3 is a high voltage, fast switching N-channel power MOSFET. It has a drain-source voltage rating of 650V, a continuous drain current of 70A, and a low on-resistance of 0.07Ω. Additionally, it features a rugged and reliable design, making it suitable for a variety of power electronic applications. -
Pinout
The FCB070N65S3 is an N-channel power MOSFET with a pin count of 7. The pin functions are as follows: 1. Gate 2. Source 3. Drain 4. Drain 5. Source 6. No connection 7. Drain. -
Manufacturer
Infineon Technologies AG is the manufacturer of the FCB070N65S3. It is a multinational semiconductor company that specializes in manufacturing and selling various electronic components and systems. -
Application Field
The FCB070N65S3 is a power MOSFET transistor designed for use in high power applications, such as power supplies, motor control, and industrial automation. It can also be used in renewable energy systems, electric vehicle charging systems, and other high voltage applications. -
Package
The FCB070N65S3 chip package type is TO-263-3 (D2PAK), form is a surface mount and its size is approximately 10mm x 10mm.
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