이 웹사이트는 쿠키를 사용합니다. 이 사이트를 이용함으로써 귀하는 쿠키 사용에 동의하게 됩니다. 자세한 내용은 다음을 참조하세요. 개인 정보 정책.

주문 금액이

$5000
받으세요 $50 할인을!

ON FCB070N65S3 48HRS

MOSFET SuperFET3 650V 70mOhm

ISO14001 ISO9001 DUNS

브랜드: ON

제조업체부품 #: FCB070N65S3

데이터 시트: FCB070N65S3 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: TO263

RoHS 상태:

재고상태: 171 PC, 새로운 원본

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

가격

*모든 가격은 USD 단위입니다.

수량 단가 추가 가격
1 $4.205 $4.205
10 $3.690 $36.900
30 $3.384 $101.520
100 $3.074 $307.400
500 $2.931 $1465.500
800 $2.867 $2293.600

재고: 171 PCS

- +

빠른 견적

다음에 대한 RFQ를 제출해 주십시오. FCB070N65S3 또는 우리에게 이메일을 보내: 이메일: [email protected], 12시간 이내에 연락드리겠습니다.

FCB070N65S3 일반적인 설명

With the FCB070N65S3 MOSFET, ON Semiconductor introduces a groundbreaking solution for high-voltage power applications. The incorporation of charge-balance technology ensures lower on-resistance and gate charge, resulting in improved efficiency and performance. This MOSFET is engineered to excel in minimizing conduction losses and providing robust switching capabilities, making it an ideal choice for applications requiring high reliability and precision. Its ability to withstand extreme voltage and dv/dt rates further enhances its suitability for challenging environments

FCB070N65S3

특징

  • 700 V @ TJ = 150 oC
  • Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 78 nC)
  • Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 715 pF)
  • Optimized Capacitance
  • Typ. RDS(on) = 62 mΩ
  • 100% Avalanche Tested
  • RoHS Compliant
  • Wave soldering guarantee
FCB070N65S3

애플리케이션

  • Telecommunication
  • Cloud system
  • Industrial

명세서

매개변수 매개변수
Product Category MOSFET RoHS Details
REACH Details Technology Si
Mounting Style SMD/SMT Package / Case D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 650 V Id - Continuous Drain Current 44 A
Rds On - Drain-Source Resistance 70 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2.5 V Qg - Gate Charge 78 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 312 W Channel Mode Enhancement
Tradename SuperFET III Series FCB070N65S3
Brand onsemi / Fairchild Configuration Single
Fall Time 16 ns Forward Transconductance - Min 29 S
Height 4.83 mm Length 10.67 mm
Product Type MOSFET Rise Time 52 ns
Factory Pack Quantity 800 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Typical Turn-Off Delay Time 89 ns
Typical Turn-On Delay Time 26 ns Width 9.65 mm
Unit Weight 0.139332 oz

배송

배송 유형 배송비 리드타임
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 날
Fedex 페덱스 $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 날
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 날
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 날
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 날
등기 항공 우편 등기 항공 우편 $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 날

처리 시간: 배송비는 지역 및 국가에 따라 다릅니다.

지불

지불 조건 핸드 수수료
은행 송금 은행 송금 US$30.00의 은행 수수료를 부과합니다.
페이팔 페이팔 4.0%의 서비스 수수료를 부과합니다.
신용 카드 신용 카드 3.5% 서비스 수수료를 부과합니다.
웨스턴 유니언 웨스턴 유니언 charge US.00 banking fee.
돈 그램 돈 그램 US$0.00의 은행 수수료를 부과합니다.

보증

1. 귀하가 구입한 전자 부품에는 365일 보증이 포함되어 있으며, 우리는 제품 품질을 보장합니다.

2. 귀하가 받은 품목 중 일부가 완벽한 품질이 아닌 경우, 당사는 책임 있게 귀하의 환불 또는 교체를 준비할 것입니다. 그러나 품목은 원래 상태를 유지해야 합니다.

포장

  • 제품

    단계1 :제품

  • 진공 포장

    단계2 :진공 포장

  • 정전기 방지 가방

    단계3 :정전기 방지 가방

  • 개별 포장

    단계4 :개별 포장

  • 포장 상자

    단계5 :포장 상자

  • 바코드 배송 태그

    단계6 :바코드 배송 태그

모든 제품은 정전기 방지 가방에 포장됩니다. ESD 정전기 방지 보호 장치와 함께 배송됩니다.

외부 ESD 포장 라벨은 당사 정보(부품 번호, 브랜드 및 수량)를 사용합니다.

우리는 선적 전에 모든 상품을 검사하고, 모든 제품이 양호한 상태인지 확인하고, 부품이 새로운 원본 일치 데이터시트인지 확인합니다.

모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

  • ESD
  • ESD

부품 포인트

  • FCB070N65S3 is a power MOSFET chip designed for high-performance applications. It offers low conduction and switching losses, enabling efficient power management in various electronic devices. The chip features a high current rating, low on-resistance, and a robust design. Overall, FCB070N65S3 is suitable for power electronics, motor control, and other applications where high efficiency and reliability are crucial.
  • Equivalent

    The FCB070N65S3 chip's equivalent products include IRFP064N, IRFP0710, TP65N06, STP65NF06, and AOB245L.
  • Features

    The FCB070N65S3 is a high voltage, fast switching N-channel power MOSFET. It has a drain-source voltage rating of 650V, a continuous drain current of 70A, and a low on-resistance of 0.07Ω. Additionally, it features a rugged and reliable design, making it suitable for a variety of power electronic applications.
  • Pinout

    The FCB070N65S3 is an N-channel power MOSFET with a pin count of 7. The pin functions are as follows: 1. Gate 2. Source 3. Drain 4. Drain 5. Source 6. No connection 7. Drain.
  • Manufacturer

    Infineon Technologies AG is the manufacturer of the FCB070N65S3. It is a multinational semiconductor company that specializes in manufacturing and selling various electronic components and systems.
  • Application Field

    The FCB070N65S3 is a power MOSFET transistor designed for use in high power applications, such as power supplies, motor control, and industrial automation. It can also be used in renewable energy systems, electric vehicle charging systems, and other high voltage applications.
  • Package

    The FCB070N65S3 chip package type is TO-263-3 (D2PAK), form is a surface mount and its size is approximately 10mm x 10mm.

우리는 고품질 제품, 사려 깊은 서비스 및 판매 후 보증을 제공합니다.

  • 제품

    우리는 풍부한 제품을 보유하고 있으며 귀하의 다양한 요구를 충족시킬 수 있습니다.

  • quantity

    최소 주문 수량은 1개부터입니다.

  • shipping

    최저 국제 배송비는 $0.00부터 시작됩니다

  • 보장하다

    모든 제품에 대해 365일 품질 보증

평가 및 리뷰

평가
제품을 평가해주세요!
댓글을 입력해주세요

귀하의 계정에 로그인하신 후 의견을 제출해 주십시오.

제출하다

추천하다

  • NTJD4105CT1G

    NTJD4105CT1G

    ON

    English expressions

  • MJF18008G

    MJF18008G

    Onsemi

    8A 450V 45W NPN Bipolar Transistors

  • FDP032N08

    FDP032N08

    Onsemi

    75V 235A N-Ch MOSFET PowerTrench TO220

  • MJE5731AG

    MJE5731AG

    Onsemi

    The MJE5731AG is a PNP transistor suitable for gen...

  • MJE350G

    MJE350G

    Onsemi

    This transistor has a power dissipation of 20000mW...

  • FDS6890A

    FDS6890A

    ON Semiconductor, LLC

    Mosfet Array 20V 7.5A 900mW Surface Mount 8-SOIC