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ON FCB11N60TM

Name: FCB11N60TM
Brand: ON Semiconductor, LLC
Rating: 4.8 (6 reviews)

FCB11N60TM is a D2PAK package MOSFET featuring a power dissipation capability of 125W at a continuous drain current of 5

브랜드: ON Semiconductor, LLC

제조업체부품 #: FCB11N60TM

데이터 시트: FCB11N60TM Datasheet (PDF)

패키지/케이스: D2PAK

RoHS 상태:

재고상태: 2,719 PC, 새로운 원본

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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FCB11N60TM 일반적인 설명

Product FCB11N60TM is a high voltage SuperFET® MOSFET that incorporates charge balance technology, offering exceptional performance in terms of low on-resistance and reduced gate charge. Designed to minimize conduction loss, this technology also enhances switching capabilities, dv/dt rate, and avalanche energy handling. As a result, the SuperFET MOSFET is ideally suited for a variety of switching power applications, including power factor correction (PFC), server/telecom power systems, flat panel display (FPD) TV power supply units, ATX power sources, and industrial power applications

특징

Ultra-low power consumption
High-speed modulation
Low electromagnetic interference
Compact PCB space required
High reliability ensured
Excellent thermal stability

애플리케이션

Suitable for various purposes.

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Status	Active, Not Rec	Compliance	PbAHP
Package Type	D2PAK-3 / TO-263-2	Case Outline	418AJ
MSL Type	1	MSL Temp (°C)	245
Container Type	REEL	Container Qty.	800
ON Target	N	Channel Polarity	N-Channel
Configuration	Single	V(BR)DSS Min (V)	600
VGS Max (V)	±30	VGS(th) Max (V)	5
ID Max (A)	11	PD Max (W)	125
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)	380	Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)	40
Ciss Typ (pF)	1148

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단계1 :제품
단계2 :진공 포장
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단계4 :개별 포장
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부품 포인트

The FCB11N60TM is a power MOSFET chip designed for high power applications. It has a voltage rating of 600V and a current rating of 11A. This chip is commonly used in power supplies, motor control, and other high voltage applications due to its high performance and reliability.
Equivalent

The equivalent products of FCB11N60TM chip are ON Semiconductor FCA11N60F, Infineon SPA11N60C3, and Toshiba TK11N60X. These chips have similar specifications and performance characteristics to the FCB11N60TM chip.
Features

FCB11N60TM is a 600V, 11A field stop trench IGBT with fast switching speed, low saturation voltage, high thermal cycling capability, and improved EMI performance. It also features a low VCE(sat) and gate charge, making it ideal for applications such as motor drives, inverters, and welding equipment.
Pinout

The FCB11N60TM is a power MOSFET with a pin count of 3. Pin 1 is the Gate (G), Pin 2 is the Drain (D), and Pin 3 is the Source (S). It is typically used in power supply and motor control applications.
Manufacturer

The FCB11N60TM is manufactured by Fairchild Semiconductor, which is a global company known for producing power and signal management, logic, discrete and custom solutions for a wide range of electronics applications. Fairchild Semiconductor was founded in 1957 and has since become a leading supplier of semiconductor products to industries like automotive, consumer electronics, and industrial applications.
Application Field

The FCB11N60TM is typically used in power supplies, motor control applications, and other high voltage switching applications. It is commonly found in industries such as automotive, industrial automation, and telecommunications due to its high voltage capacity and low on-state resistance.
Package

The FCB11N60TM chip comes in a TO-263-2 package type with a form of Through-Hole. The size of the chip is medium, typically measuring around 10.16 x 4.7 mm (0.4 x 0.185 inches).