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NXP MRFE6VP6300HR3
RF MOSFET Transistors VHV6 300W50VISM NI780H-4
브랜드: NXP Semiconductor
제조업체부품 #: MRFE6VP6300HR3
데이터 시트: MRFE6VP6300HR3 Datasheet (PDF)
패키지/케이스: NI-780-4
상품 유형: 트랜지스터
MRFE6VP6300HR3 일반적인 설명
RF FET, 1.8MHZ-600MHZ, NI-780S; Drain Source Voltage Vds: 130V; Continuous Drain Current Id: -; Power Dissipation Pd: 1.05kW; Operating Frequency Min: 1.8MHz; Operating Frequency Max: 600MHz; RF Transistor Case: NI-780S; No. of Pins: 4Pins; Operating Temperature Max: 225°C; Product Range: -; MSL: MSL 3 - 168 hours; SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
특징
Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Mount | Screw, Surface Mount | Number of Pins | 780 |
| Weight | 6.395794 g | Drain to Source Breakdown Voltage | 130 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 130 V | Element Configuration | Single |
| Frequency | 230 MHz | Gain | 26.5 dB |
| Gate to Source Voltage (Vgs) | 10 V | Max Frequency | 600 MHz |
| Max Operating Temperature | 225 °C | Max Power Dissipation | 1.05 kW |
| Min Operating Temperature | -30 °C | Number of Elements | 2 |
| Output Power | 300 W | Power Dissipation | 1.05 kW |
| Schedule B | 8541290080 | Test Current | 100 mA |
| Test Voltage | 50 V |
배송
| 배송 유형 | 배송비 | 리드타임 | |
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| 지불 조건 | 핸드 수수료 | |
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