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NXP MRF6VP2600HR6

Name: MRF6VP2600HR6
Rating: 4.5 (10 reviews)

RF Mosfet 50 V 2.6 A 225MHz 25dB 125W NI-1230

브랜드: NXP Semiconductor

제조업체부품 #: MRF6VP2600HR6

데이터 시트: MRF6VP2600HR6 Datasheet (PDF)

패키지/케이스: NI-1230

상품 유형: 트랜지스터

RoHS 상태:

재고상태: 3405 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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MRF6VP2600HR6 일반적인 설명

RF Mosfet 50 V 2.6 A 225MHz 25dB 125W NI-1230

특징

High power output: Typically capable of delivering up to 600 Watts of peak output power.
High efficiency: Designed to operate with high efficiency, allowing for better power utilization in RF amplifier applications.
Broadband performance: Suitable for operation across a wide frequency range, typically covering frequencies from 700 MHz to 2700 MHz.
Rugged construction: Designed to withstand high operating voltages and currents, with built-in protection features to ensure reliable operation in demanding RF power amplifier applications.
Integrated ESD protection: Includes Electrostatic Discharge (ESD) protection features to safeguard against damage from static electricity.

애플리케이션

Wireless communication systems: Used in high-power RF amplifier stages of wireless communication systems, such as cellular base stations, repeaters, and wireless infrastructure equipment.
Broadcast systems: Used in RF amplifiers for broadcasting applications, such as FM and TV transmitters.
Industrial, scientific, and medical (ISM) applications: Used in RF amplifiers for ISM band applications, such as RF heating and plasma generation.

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Case/Package	SOT	Mount	Screw
Number of Pins	1230	Weight	13.155199 g
Current Rating	10 µA	Drain to Source Breakdown Voltage	110 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	110 V	Frequency	225 MHz
Gain	25 dB	Gate to Source Voltage (Vgs)	10 V
Max Frequency	500 MHz	Max Operating Temperature	225 °C
Max Output Power	125 W	Min Breakdown Voltage	110 V
Min Operating Temperature	-65 °C	Number of Elements	2
Output Power	125 W	Test Current	2.6 A
Test Voltage	50 V

배송

	배송비	리드타임
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페덱스	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
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EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
등기 항공 우편	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날

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포장

단계1 :제품
단계2 :진공 포장
단계3 :정전기 방지 가방
단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
단계6 :바코드 배송 태그

모든 제품은 정전기 방지 가방에 포장됩니다. ESD 정전기 방지 보호 장치와 함께 배송됩니다.

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우리는 선적 전에 모든 상품을 검사하고, 모든 제품이 양호한 상태인지 확인하고, 부품이 새로운 원본 일치 데이터시트인지 확인합니다.

모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The MRF6VP2600HR6 is a high-power radio frequency (RF) transistor chip designed for applications in the 2.45 GHz industrial, scientific, and medical (ISM) band. It offers high linearity and efficiency, making it suitable for use in wireless communication systems, radar systems, and other RF power amplifiers. The chip is capable of delivering up to 2600 watts of power, making it ideal for high-power RF amplification needs.
Features

The MRF6VP2600HR6 is a high-power RF power field-effect transistor (FET) designed for broadband commercial and industrial applications. It features up to 600 Watts of output power, excellent gain, and efficiency. It operates within the frequency range of 136 to 941 MHz and is suitable for high-power transmitter applications.
Pinout

The MRF6VP2600HR6 is a RF power transistor with a pin count of 2. It is commonly used in high-power applications such as radio frequency amplifiers.
Manufacturer

The manufacturer of the MRF6VP2600HR6 is NXP Semiconductors. NXP Semiconductors is a global semiconductor company that designs and manufactures a wide range of products, including microcontrollers, processors, and integrated circuits.
Application Field

The MRF6VP2600HR6 is a High Ruggedness N-Channel RF Power MOSFET designed for various applications in the L-Band radar, avionics, industrial, and scientific markets where high power and high reliability are required.
Package

The MRF6VP2600HR6 chip has a package type of NI-1230-4. It is in a form factor of flanged ceramic package. The chip measures 39.62 mm x 39.62 mm x 11.68 mm in size.