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ON FQT7N10LTF

Name: FQT7N10LTF
Rating: 4.5 (6 reviews)

High-Voltage N-Channel Mosfet in SOT-223 Package with 0.35 Ohm On-Resistance

브랜드: Onsemi

제조업체부품 #: FQT7N10LTF

데이터 시트: FQT7N10LTF Datasheet (PDF)

패키지/케이스: SOT-223-4 , TO-261-4

상품 유형: 트랜지스터

RoHS 상태:

재고상태: 3059 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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FQT7N10LTF 일반적인 설명

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 1.7 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 380 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 110 / Rise Time ns = 210 / Turn-OFF Delay Time ns = 45 / Turn-ON Delay Time ns = 30 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SOT-223 / Pins = 4 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 2

특징

1.7A, 100V, R_DS(on) = 350mΩ(Max.) @V_GS = 10 V, I_D = 0.85A
Low gate charge ( Typ. 5.8nC)
Low C_rss ( Typ. 10pF)
100% avalanche tested

애플리케이션

LED TV
Consumer Appliances
Lighting

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Status	Active	Compliance	PbAHP
Package Type	SOT-223-4 / TO-261-4	Case Outline	318H-01
MSL Type	1	MSL Temp (°C)	260
Container Type	REEL	Container Qty.	4000
ON Target	Y	Channel Polarity	N-Channel
Configuration	Single	V(BR)DSS Min (V)	100
VGS Max (V)	±20	VGS(th) Max (V)	2
ID Max (A)	1.7	PD Max (W)	2
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)	350	Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)	4.6
Ciss Typ (pF)	220

배송

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DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
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포장

단계1 :제품
단계2 :진공 포장
단계3 :정전기 방지 가방
단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
단계6 :바코드 배송 태그

모든 제품은 정전기 방지 가방에 포장됩니다. ESD 정전기 방지 보호 장치와 함께 배송됩니다.

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우리는 선적 전에 모든 상품을 검사하고, 모든 제품이 양호한 상태인지 확인하고, 부품이 새로운 원본 일치 데이터시트인지 확인합니다.

모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The FQT7N10LTF is a power MOSFET chip commonly used in electronic devices. It is designed to handle high current and voltage levels efficiently, making it suitable for various applications such as power supplies, motor control, and lighting systems. The chip offers a low on-resistance and helps reduce power losses while improving overall system performance.
Equivalent

There are no direct equivalent products for the FQT7N10LTF chip. However, you can consider other N-channel MOSFETs with similar specifications and features such as the IRF640, IRF740, or FQP47P10. It is important to review the data sheets to ensure compatibility with your specific requirements.
Features

FQT7N10LTF is a power MOSFET transistor with a drain-source voltage of 100V, maximum drain current of 70A, and low on-resistance. It has a compact and efficient design suitable for high power applications, such as motor control and power supply systems.
Pinout

The FQT7N10LTF is a power MOSFET transistor. It has 3 pins: Gate, Drain, and Source. The Gate pin is used to control the flow of current from the Source to the Drain.
Application Field

The FQT7N10LTF is a highly efficient power MOSFET designed for general-purpose applications. It can be used in various areas such as power management, switching power supplies, motor control, and lighting applications. Its low on-resistance and high current handling capability make it suitable for high-performance applications where low power losses and efficient power transfer are essential.
Package

The FQT7N10LTF chip is available in a DPAK package type.