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ON FQPF70N10
MOSFET 100V N-Channel QFET
제조업체부품 #: FQPF70N10
데이터 시트: FQPF70N10 Datasheet (PDF)
패키지/케이스: TO-220F
RoHS 상태:
재고상태: 2113 PC, 새로운 원본
상품 유형: 트랜지스터
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| 수량 | 단가 | 추가 가격 |
|---|---|---|
| 1 | $6.663 | $6.663 |
| 10 | $5.844 | $58.440 |
| 50 | $5.347 | $267.350 |
| 100 | $4.929 | $492.900 |
In Stock:2113 PCS
FQPF70N10 일반적인 설명
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using ON Semiconductor Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.
특징
- "
- 35A, 100V, RDS(on) = 23mΩ(Max.) @VGS = 10 V, ID = 17.5A
- Low gate charge ( Typ. 85nC)
- Low Crss ( Typ. 150pF)
- 100% avalanche tested
- 175°C maximum junction temperature rating"
애플리케이션
- Other Industrial
명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | onsemi | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | Through Hole | Package / Case: | TO-220-3 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V | Id - Continuous Drain Current: | 35 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 25 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 25 V, + 25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V | Qg - Gate Charge: | 110 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation: | 62 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Tradename: | QFET | Series: | FQPF70N10 |
| Packaging: | Tube | Brand: | onsemi / Fairchild |
| Configuration: | Single | Fall Time: | 160 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 38 S | Height: | 16.07 mm |
| Length: | 10.36 mm | Product Type: | MOSFET |
| Rise Time: | 470 ns | Factory Pack Quantity: | 50 |
| Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Type: | MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time: | 130 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 30 ns | Width: | 4.9 mm |
| Part # Aliases: | FQPF70N10_NL |
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부품 포인트
-
The FQPF70N10 chip is a power MOSFET used in electronic circuits. It is designed to handle high currents and voltages with low on-resistance for efficient power transfer. The chip has a maximum current rating of 70A and a maximum voltage rating of 100V. It is commonly used in applications such as power supplies, motor control, and audio amplifiers.
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Features
Some features of the FQPF70N10 include a drain-source voltage of 100V, a continuous drain current of 70A, a low on-resistance of 0.01 ohms, and a fast switching speed. Additionally, it has a compact TO-220 package and is designed with high efficiency and reliability in mind. -
Pinout
The FQPF70N10 is a MOSFET transistor. It has a 3-pin configuration, consisting of a gate (G), drain (D), and source (S) pin. The gate pin is used to control the flow of current between the drain and source pins. -
Manufacturer
The manufacturer of the FQPF70N10 is Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor is a global company that specializes in the design, development, and production of power management and analog semiconductor solutions. They provide a wide range of products and solutions for various industries, including automotive, communication, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
The FQPF70N10 is a power MOSFET used for switching applications in power supplies, motor drives, and other high-power devices. It can handle a maximum voltage of 100V and a continuous current of 69A, making it suitable for high-power systems. -
Package
The FQPF70N10 chip is in a TO-220 package type, with a through-hole form. Its size is approximately 10.16mm x 10.16mm (0.4in x 0.4in).
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