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ON FQB27P06TM

Name: FQB27P06TM
Rating: 4.5 (6 reviews)

P-Channel Silicon Metal-oxide Semiconductor FET

브랜드: Onsemi

제조업체부품 #: FQB27P06TM

데이터 시트: FQB27P06TM Datasheet (PDF)

패키지/케이스: D2PAK-3 , TO-263-2

상품 유형: 트랜지스터

RoHS 상태:

재고상태: 3769 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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FQB27P06TM 일반적인 설명

MOSFET, P; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:27A; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):55mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Power Dissipation Pd:120W; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:-27A; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:120W; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:60V; Voltage Vgs Max:-4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V

특징

-27A, -60V, R_DS(on) =70mΩ(Max.) @V_GS = -10 V, I_D = -13.5A
Low gate charge ( Typ.33nC)
Low C_rss ( Typ. 120pF)
100% avalanche tested
175°C maximum junction temperature rating

애플리케이션

LCD TV
PDP TV
LED TV

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Status	Active	Compliance	PbAHP
Package Type	D2PAK-3 / TO-263-2	Case Outline	418AJ
MSL Type	1	MSL Temp (°C)	245
Container Type	REEL	Container Qty.	800
ON Target	Y	Channel Polarity	P-Channel
Configuration	Single	V(BR)DSS Min (V)	-60
VGS Max (V)	±25	VGS(th) Max (V)	-4
ID Max (A)	-27	PD Max (W)	120
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)	70	Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)	33
Ciss Typ (pF)	1100

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	배송비	리드타임
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단계1 :제품
단계2 :진공 포장
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단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
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모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The FQB27P06TM is a power MOSFET chip designed for use in various electronic devices and power applications. It features a low on-resistance and high performance, making it suitable for switching applications and efficient power management. The chip has a unique design that allows for enhanced thermal capability and improved current handling. It is commonly used in power supplies, motor control circuits, and other electronic systems that require reliable and efficient power regulation.
Equivalent

Some equivalent products of the FQB27P06TM chip include the IRF1405, RFP12P06, and APT20P06.
Features

The FQB27P06TM is a power MOSFET transistor with a voltage rating of 60V and a current rating of 27A. It has a low on-resistance of 0.045 ohms, which allows for efficient power switching. The transistor is designed for use in a variety of applications, including power supplies, motor control, and industrial equipment.
Pinout

The FQB27P06TM is a power MOSFET transistor produced by Fairchild Semiconductor. It has a TO-263 package and a pin count of 3. The three pins are G (gate), D (drain), and S (source). It is designed for high-current, low-cost switching applications.
Manufacturer

The manufacturer of the FQB27P06TM is Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor is a global company that specializes in the design and manufacture of power semiconductor devices and integrated circuits. Their products are widely used in various industries including automotive, consumer electronics, and industrial applications.
Application Field

The FQB27P06TM is a power MOSFET transistor that can be used in various applications such as power supplies, motor control, and lighting systems. Its low on-resistance and high current rating make it suitable for high-power applications that require efficient switching and low heat generation.
Package

The FQB27P06TM chip comes in a TO-263 package. It has a through-hole form with a size of 9.91mm x 10.92mm.