ON FQD12N20LTM
N-Channel 200 V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount TO-252AA
FQD12N20LTM 일반적인 설명
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using a proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
특징
- 9A, 200V, RDS(on) = 280mΩ(Max.) @VGS = 10 V, ID = 4.5A
- Low gate charge ( Typ. 16nC)
- Low Crss ( Typ. 17pF)
- 100% avalanche tested
- Low level gate drive requirement allowing direct oprationfrom logic drivers
애플리케이션
- LED TV
- CRT/RPTV
- AC-DC Merchant Power Supply - Servers & Workstations
- Workstation
- Server & Mainframe
명세서
매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
---|---|---|---|
Status | Active | CAD Models | |
Compliance | PbAHP | Package Type | DPAK-3 / TO-252-3 |
Case Outline | 369AS | MSL Type | 1 |
MSL Temp (°C) | 260 | Container Type | REEL |
Container Qty. | 2500 | ON Target | Y |
Channel Polarity | N-Channel | Configuration | Single |
V(BR)DSS Min (V) | 200 | VGS Max (V) | ±30 |
VGS(th) Max (V) | 2 | ID Max (A) | 9 |
PD Max (W) | 55 | RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) | - |
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) | 320 | RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) | 280 |
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) | - | Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) | 16 |
Ciss Typ (pF) | 830 | Pricing ($/Unit) | $0.3072Sample |
feature-category | Power MOSFET | feature-material | |
feature-process-technology | DMOS | feature-configuration | Single |
feature-channel-mode | Enhancement | feature-channel-type | N |
feature-number-of-elements-per-chip | 1 | feature-maximum-drain-source-voltage-v | 200 |
feature-maximum-gate-source-voltage-v | ±20 | feature-maximum-gate-threshold-voltage-v | 2 |
feature-maximum-continuous-drain-current-a | 9 | feature-maximum-drain-source-resistance-mohm | 280@10V |
feature-typical-gate-charge-vgs-nc | 16@5V | feature-typical-gate-charge-10v-nc | |
feature-typical-input-capacitance-vds-pf | 830@25V | feature-typical-output-capacitance-pf | |
feature-maximum-power-dissipation-mw | 2500 | feature-packaging | Tape and Reel |
feature-rad-hard | feature-pin-count | 3 | |
feature-supplier-package | DPAK | feature-standard-package-name1 | TO-252 |
feature-cecc-qualified | No | feature-esd-protection | |
feature-military | No | feature-aec-qualified | No |
feature-aec-qualified-number | feature-auto-motive | No | |
feature-p-pap | No | feature-eccn-code | EAR99 |
feature-svhc | Yes |
배송
배송 유형 | 배송비 | 리드타임 | |
---|---|---|---|
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 | |
페덱스 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 | |
등기 항공 우편 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
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지불
지불 조건 | 핸드 수수료 | |
---|---|---|
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페이팔 | 4.0%의 서비스 수수료를 부과합니다. | |
신용 카드 | 3.5% 서비스 수수료를 부과합니다. | |
웨스턴 유니언 | charge US.00 banking fee. | |
돈 그램 | US$0.00의 은행 수수료를 부과합니다. |
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단계2 :진공 포장
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단계4 :개별 포장
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단계5 :포장 상자
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부품 포인트
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The FQD12N20LTM chip is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) designed for high-performance applications. It has a low on-resistance and a high switching speed, making it suitable for a variety of power management tasks. The chip can handle a maximum drain current of 12A and a maximum voltage of 200V. It is commonly used in applications such as motor control, power supplies, and inverters.
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Equivalent
There are no direct equivalent products of the FQD12N20LTM chip, as it is a specific transistor designed by Fairchild Semiconductor. However, there may be alternative transistors with similar specifications and features that can be used in its place. -
Features
The FQD12N20LTM is a 200V N-Channel MOSFET transistor. It features a low on-resistance, fast switching speed, high ruggedness, and is designed for various power switching applications. -
Pinout
The FQD12N20LTM is a 200V, N-channel MOSFET. It has a TO-252 package with 3 pins. Pin 1 is the gate, pin 2 is the drain, and pin 3 is the source. -
Manufacturer
The manufacturer of the FQD12N20LTM is Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor is a global company specializing in power and analog semiconductor products. -
Application Field
The FQD12N20LTM is a power MOSFET transistor commonly used in various applications such as power supplies, motor control, and high-frequency circuits. It is particularly suitable for applications where high power and high efficiency are required due to its low on-resistance and fast switching capabilities. -
Package
The FQD12N20LTM chip is a MOSFET transistor. It is available in a TO-252 (DPAK) package type, which has three pins. The size of the package is around 6.6mm x 6.2mm x 1.7mm.
데이터 시트 PDF
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