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ON FQB22P10TM
P-Channel 100 V 22A (Tc) 3.75W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
FQB22P10TM 일반적인 설명
This P-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using a proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.
특징
- -22A, -100V, RDS(on) =125mΩ(Max.) @VGS = -10 V, ID = -11A
- Low gate charge ( Typ.40nC)
- Low Crss ( Typ. 160pF)
- 100% avalanche tested
- 175°C maximum junction temperature rating
애플리케이션
- Other Industrial
명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Status | Active | CAD Models | |
| Compliance | PbAHP | Package Type | D2PAK-3 / TO-263-2 |
| Case Outline | 418AJ | MSL Type | 1 |
| MSL Temp (°C) | 245 | Container Type | REEL |
| Container Qty. | 800 | ON Target | Y |
| Channel Polarity | P-Channel | Configuration | Single |
| V(BR)DSS Min (V) | -100 | VGS Max (V) | ±30 |
| VGS(th) Max (V) | -4 | ID Max (A) | -22 |
| PD Max (W) | 125 | RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) | - |
| RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) | - | RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) | 125 |
| Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) | - | Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) | 40 |
| Ciss Typ (pF) | 1170 | Pricing ($/Unit) | $0.8005Sample |
| feature-category | Power MOSFET | feature-material | |
| feature-process-technology | DMOS | feature-configuration | Single |
| feature-channel-mode | Enhancement | feature-channel-type | P |
| feature-number-of-elements-per-chip | 1 | feature-maximum-drain-source-voltage-v | 100 |
| feature-maximum-gate-source-voltage-v | ±30 | feature-maximum-gate-threshold-voltage-v | |
| feature-maximum-continuous-drain-current-a | 22 | feature-maximum-drain-source-resistance-mohm | 125@10V |
| feature-typical-gate-charge-vgs-nc | 40@10V | feature-typical-gate-charge-10v-nc | 40 |
| feature-typical-input-capacitance-vds-pf | 1170@25V | feature-typical-output-capacitance-pf | |
| feature-maximum-power-dissipation-mw | 3750 | feature-packaging | Tape and Reel |
| feature-rad-hard | feature-pin-count | 3 | |
| feature-supplier-package | D2PAK | feature-standard-package-name1 | TO-263 |
| feature-cecc-qualified | No | feature-esd-protection | |
| feature-military | No | feature-aec-qualified | No |
| feature-aec-qualified-number | feature-auto-motive | No | |
| feature-p-pap | No | feature-eccn-code | EAR99 |
| feature-svhc | Yes |
배송
| 배송 유형 | 배송비 | 리드타임 | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
 |
페덱스 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
 |
등기 항공 우편 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
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지불
| 지불 조건 | 핸드 수수료 | |
|---|---|---|
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은행 송금 | US$30.00의 은행 수수료를 부과합니다. |
 |
페이팔 | 4.0%의 서비스 수수료를 부과합니다. |
 |
신용 카드 | 3.5% 서비스 수수료를 부과합니다. |
 |
웨스턴 유니언 | charge US.00 banking fee. |
 |
돈 그램 | US$0.00의 은행 수수료를 부과합니다. |
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포장
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부품 포인트
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The FQB22P10TM is a power mosfet chip designed for switching applications. it features a low on-resistance and high current capability, making it suitable for various power electronics applications such as voltage regulators, motor control, and power supplies. with its compact size and high performance, this chip offers efficient power management solutions.
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Equivalent
There are no direct equivalent products to the FQB22P10TM chip. however, similar alternatives may include the irf5305pbf, psmn1r8-30ylc, or the stb30n10blt4. it is recommended to consult the datasheets of these chips to ensure compatibility with your specific requirements. -
Features
The FQB22P10TM is a power mosfet transistor with a drain-source voltage of 100 v, a drain current rating of 22 a, and a low on-resistance. it features a fast switching speed, low gate charge, and high ruggedness. this transistor is commonly used in power supply and motor control applications. -
Pinout
The FQB22P10TM is a mosfet transistor with 3 pins. the pinout functions are as follows: - pin 1: gate (g) - pin 2: drain (d) - pin 3: source (s) -
Manufacturer
The manufacturer of the FQB22P10TM is fairchild semiconductor. fairchild semiconductor is an american company that specializes in the design, development, and production of power and discrete semiconductors. -
Application Field
The FQB22P10TM is a power mosfet transistor. it can be used in various applications such as power supplies, motor control, audio amplification, and switching circuits. -
Package
The FQB22P10TM is a chip that comes in a to-263 package type. it is in a through-hole form and has a size of approximately 9.66mm x 11.56mm x 4.83mm.
데이터 시트 PDF
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