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NXP AFT27S006NT1

Name: AFT27S006NT1
Rating: 4.5 (10 reviews)

RF Mosfet 28 V 70 mA 2.17GHz 22dB 28.8dBm PLD-1.5W

브랜드: NXP

제조업체부품 #: AFT27S006NT1

데이터 시트: AFT27S006NT1 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: PLD-1.5W

상품 유형: RF FETs, MOSFETs

RoHS 상태:

재고상태: 9,458 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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AFT27S006NT1 일반적인 설명

RF Mosfet 28 V 70 mA 2.17GHz 22dB 28.8dBm PLD-1.5W

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Manufacturer:	NXP	Product Category:	RF MOSFET Transistors
RoHS:	Details	Transistor Polarity:	N-Channel
Technology:	Si	Id - Continuous Drain Current:	77 mA
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	65 V	Rds On - Drain-Source Resistance:	-
Operating Frequency:	728 MHz to 3.7 GHz	Gain:	24.4 dB
Output Power:	28.8 dBm	Minimum Operating Temperature:	- 40 C
Maximum Operating Temperature:	+ 150 C	Mounting Style:	SMD/SMT
Packaging:	Cut Tape	Brand:	NXP Semiconductors
Moisture Sensitive:	Yes	Product Type:	RF MOSFET Transistors
Series:	AFT27S006N	Factory Pack Quantity:	1000
Subcategory:	MOSFETs	Transistor Type:	LDMOS FET
Type:	RF Power MOSFET	Part # Aliases:	935323362515
Unit Weight:	0.009877 oz

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DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
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포장

단계1 :제품
단계2 :진공 포장
단계3 :정전기 방지 가방
단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
단계6 :바코드 배송 태그

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부품 포인트

The AFT27S006NT1 is a power amplifier chip designed for use in 4G LTE and 5G networks. It operates in the frequency range of 798-960 MHz and 1710-2690 MHz, providing high efficiency and output power for improved network performance. This chip is ideal for small cell base stations and other wireless infrastructure applications.
Equivalent

The equivalent products of the AFT27S006NT1 chip are the AFT27S006NT2 and AFT27S006NT3 chips. These chips are designed to offer similar functionality and performance as the original AFT27S006NT1 chip and can be used as direct replacements in most applications.
Features

AFT27S006NT1 is a GaN HEMT transistor with a 65W CW, 10-2700MHz power range, high gain, and efficiency. It has internal input and output matching networks for easy integration into RF amplifier designs. It is suitable for a wide range of applications in communications, radar, and defense systems.
Pinout

The AFT27S006NT1 is a RF power amplifier with a pin count of 9. Its functions include amplifying RF signals, providing high output power, and operating within the 698-960 MHz frequency range.
Manufacturer

AFT27S006NT1 is manufactured by Broadcom Inc. They are a global technology company that designs, develops, and supplies a broad range of semiconductor and infrastructure software solutions. Broadcom focuses on networking, storage, and industrial applications, providing products for data centers, cloud infrastructure, and wireless communication systems.
Application Field

AFT27S006NT1 is a power amplifier designed for use in LTE and 5G wireless communication systems. It is suitable for applications such as small cells, macrocells, and repeaters in cellular networks. Additionally, it can be used in infrastructure applications for wireless broadband, public safety, and broadcast communications systems.
Package

The AFT27S006NT1 chip is a surface mount package with a form factor of SOT-89. It measures 4.5mm x 4.5mm, making it a compact and versatile option for RF amplification applications.