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NXP AFT05MS031NR1

Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 31 W, 13.6 V, FM2F

ISO14001 ISO9001 DUNS

브랜드: NXP

제조업체부품 #: AFT05MS031NR1

데이터 시트: AFT05MS031NR1 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: TO-270-2

상품 유형: RF FETs, MOSFETs

RoHS 상태:

재고상태: 9,458 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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AFT05MS031NR1 일반적인 설명

The AFT05MS031NR1 is a high-performance LDMOS RF transistor with a power dissipation of 31W and a drain-source voltage of 40V DC. This transistor is designed for applications in the frequency range of 136MHz to 520MHz, making it suitable for a wide range of RF applications. The TO-270 package style and 2-pin configuration make it easy to integrate into various circuit designs, providing reliable and efficient RF performance

특징

  • Sustainable Energy Solution
  • Reliable Power for Your Home
  • Innovative Technology Inside
  • Premium Quality Guaranteed
  • Durable Performance Every Time
  • User-Friendly Installation Process

애플리케이션

  • For consumer goods
  • In industrial settings
  • Essential for power
  • Vital in comms
  • Key for bright spaces
  • Critical in healthcare

명세서

매개변수 매개변수
Manufacturer: NXP Product Category: RF MOSFET Transistors
RoHS: Details Transistor Polarity: N-Channel
Technology: Si Id - Continuous Drain Current: 7.5 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: - 500 mV, 40 V Rds On - Drain-Source Resistance: -
Operating Frequency: 136 MHz to 520 MHz Gain: 19 dB
Output Power: 33 W Minimum Operating Temperature: - 40 C
Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: TO-270-2 Packaging: MouseReel
Brand: NXP Semiconductors Configuration: Single
Forward Transconductance - Min: 5.8 S Moisture Sensitive: Yes
Pd - Power Dissipation: 294 W Product Type: RF MOSFET Transistors
Series: AFT05MS031N Factory Pack Quantity: 500
Subcategory: MOSFETs Transistor Type: LDMOS FET
Type: RF Power MOSFET Vgs - Gate-Source Voltage: - 6 V, 12 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2.1 VDC Part # Aliases: 935325665528
Unit Weight: 0.018679 oz

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