이 웹사이트는 쿠키를 사용합니다. 이 사이트를 이용함으로써 귀하는 쿠키 사용에 동의하게 됩니다. 자세한 내용은 다음을 참조하세요. 개인 정보 정책.

이미지는 참고용입니다. 제품 사양 보기

NRVB1H100SFT3G

Name: NRVB1H100SFT3G
Rating: 4.5 (10 reviews)

Part of MBR1H100SFT3G Series

브랜드: Onsemi

제조업체부품 #: NRVB1H100SFT3G

데이터 시트: NRVB1H100SFT3G 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: SOD-123FL

상품 유형: Schottky Diodes & Rectifiers

RoHS 상태:

재고상태: 9458 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

BOM에 추가

빠른 견적

다음에 대한 RFQ를 제출해 주십시오. NRVB1H100SFT3G 또는 우리에게 이메일을 보내: 이메일: [email protected], 12시간 이내에 연락드리겠습니다.

수량^*

이메일^*

담당자 이름^*

회사

주목

NRVB1H100SFT3G 일반적인 설명

This Schottky Rectifier uses the Schottky Barrier principle with a large area metal-to-silicon power diode. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification or as free wheeling and polarity protection diodes in surface mount applications, where compact size and weight are critical to the system. Because of its small size, it is ideal for use in portable and battery powered products such as cellular and cordless phones, chargers, notebook computers, printers, PDAs and PCMCIA cards. Typical applications are AC-DC and DC-DC converters, reverse battery protection and 'Oring' of multiple supply voltages and any other application where performance and size are critical.

특징

Low Forward Voltage
Guardring for Stress Protection
175°C Operating Junction Temperature
Epoxy Meets UL94 V-0
Package Designed for Optimal Automated Board Assembly
ESD Ratings:
Machine Model = C, Human Body Model = 3B
This is a Pb-Free Device

Mechanical Characteristics:
Reel Options: MBR1H100SFT3G = 10,000 per 13 in reel/8 mm tape
Device Marking: L1H
Polarity Designator: Cathode Band
Weight: 11.7 mg (approximately)
Case: Epoxy, Molded
Lead Finish: 100% Matte Sn (Tin)
Lead and Mounting Surface Temperature for Soldering Purposes: 260°C Max. for 10 Seconds
Device Meets MSL 1 Requirements
AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
NRVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements

애플리케이션

Power Conversion Circuit
Reverse Battery Protection
Protection and Free Wheeling Diode
Gate Driving Circuit

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Status	Active	Compliance	PbAHP
Package Type	SOD-123FL	Case Outline	498-01
MSL Type	1	MSL Temp (°C)	260
Container Type	REEL	Container Qty.	10000
ON Target	Y	Configuration	Single
VRRM Min (V)	100	VF Max (V)	0.76
IRM Max (µA)	40	IO(rec) Max (A)	1
IFSM Max (A)	50

배송

	배송비	리드타임
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
페덱스	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
등기 항공 우편	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날

처리 시간: 배송비는 지역 및 국가에 따라 다릅니다.

지불

지불 조건		핸드 수수료
	은행 송금	US$30.00의 은행 수수료를 부과합니다.
	페이팔	4.0%의 서비스 수수료를 부과합니다.
	신용 카드	3.5% 서비스 수수료를 부과합니다.
	웨스턴 유니언	charge US.00 banking fee.
	돈 그램	US$0.00의 은행 수수료를 부과합니다.

보증

1. 귀하가 구입한 전자 부품에는 365일 보증이 포함되어 있으며, 우리는 제품 품질을 보장합니다.

2. 귀하가 받은 품목 중 일부가 완벽한 품질이 아닌 경우, 당사는 책임 있게 귀하의 환불 또는 교체를 준비할 것입니다. 그러나 품목은 원래 상태를 유지해야 합니다.

포장

단계1 :제품
단계2 :진공 포장
단계3 :정전기 방지 가방
단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
단계6 :바코드 배송 태그

모든 제품은 정전기 방지 가방에 포장됩니다. ESD 정전기 방지 보호 장치와 함께 배송됩니다.

외부 ESD 포장 라벨은 당사 정보(부품 번호, 브랜드 및 수량)를 사용합니다.

우리는 선적 전에 모든 상품을 검사하고, 모든 제품이 양호한 상태인지 확인하고, 부품이 새로운 원본 일치 데이터시트인지 확인합니다.

모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The NRVB1H100SFT3G chip is a high voltage Silicon Carbide Schottky diode designed for use in power conversion applications. It offers low forward voltage drop, fast switching speeds, and high temperature operation, making it ideal for high power and efficiency requirements.
Equivalent

The equivalent products of NRVB1H100SFT3G chip include NRVB1H100SFTWG, NRVB1H100SFTWG-M2, and NRVB1H100SFTWGM2J. These chips are similar in specifications and performance, making them suitable alternatives for the NRVB1H100SFT3G chip.
Features

NRVB1H100SFT3G is a high-speed Schottky diode with a reverse voltage of 100V, forward current of 1A, and a small foot print. It has a low forward voltage drop, fast switching speed, and is suitable for high frequency applications.
Pinout

The NRVB1H100SFT3G is a Dual Schottky Barrier Diode Array with a pin count of 3. Pin configuration: Pin 1 - Common cathode, Pin 2 - Anode, Pin 3 - Anode. This diode array is designed for voltage clamping protection in electronic circuits.
Manufacturer

The manufacturer of the NRVB1H100SFT3G is ROHM Semiconductor. They are a Japanese company that specializes in the design and manufacture of integrated circuits, transistors, and other electronic components. ROHM Semiconductor primarily focuses on providing semiconductor solutions for various industries including automotive, consumer electronics, and industrial applications.
Application Field

The NRVB1H100SFT3G is commonly used in radio frequency power amplifiers, RF transceivers, and microwave circuits. It is suitable for applications in wireless communication systems, radar systems, satellite communication, and industrial RF heating equipment. Its high power handling capability and high efficiency make it ideal for high-performance RF applications.
Package

The NRVB1H100SFT3G chip comes in a SOT-23-3 package type, surface mount form, and measures 2.8mm x 2.9mm x 1.3mm in size.