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IXFP7N100P

Name: IXFP7N100P
Rating: 4.5 (10 reviews)

Trans MOSFET N-CH 1KV 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

브랜드: IXYS

제조업체부품 #: IXFP7N100P

데이터 시트: IXFP7N100P 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: TO-220-3

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

RoHS 상태:

재고상태: 7,754 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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IXFP7N100P 일반적인 설명

One key advantage of IXFP7N100P is its low RDS(on), which means it offers minimal resistance and therefore leads to lower power dissipation. This not only improves overall efficiency but also helps reduce heat generation in the system. Additionally, this HiPerFET boasts low RthJC, low Qg, and enhanced DV/DT capability, all of which contribute to its superior performance in demanding applications

특징

Safe Operating Area
Soft Start Function
Overcurrent Protection
Undervoltage Lockout
High Overload Capability

애플리케이션

High-efficiency power architectures
Optimized battery charging algorithms
Dynamic motor speed control features

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Series	HiPerFET™, Polar	Package	Tube
Product Status	Active	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	1000 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	7A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.9Ohm @ 3.5A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	6V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	47 nC @ 10 V	Vgs (Max)	±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2590 pF @ 25 V	Power Dissipation (Max)	300W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Supplier Device Package	TO-220-3	Package / Case	TO-220-3
Base Product Number	IXFP7N100

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단계1 :제품
단계2 :진공 포장
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단계4 :개별 포장
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부품 포인트

The IXFP7N100P is a high voltage MOSFET power transistor designed for use in power supply applications. It has a maximum drain-source voltage of 1000V and a continuous drain current rating of 7A. With a low on-resistance and fast switching speeds, the IXFP7N100P is ideal for high power and efficiency requirements in various industrial and automotive applications.
Equivalent

Some equivalent products of IXFP7N100P chip are FDPF7N1PZ, IRFP460, and MTP7N100E. These are similar power MOSFETs with comparable specifications and performance.
Features

The IXFP7N100P is a high voltage power MOSFET with a breakdown voltage of 1000V, a continuous drain current of 7A, and a low on-resistance of 1.6 ohms. It is designed for use in high voltage applications such as power supplies, motor controls, and inverters.
Pinout

The IXFP7N100P is a power MOSFET transistor with a TO-220AB package. It has 3 pins: the gate (G), drain (D), and source (S). The function of this transistor is to control high power levels in electronic circuits.
Manufacturer

IXYS Corporation is the manufacturer of IXFP7N100P. IXYS is a power semiconductor company that designs, manufactures, and markets a range of power semiconductors, digital and analog integrated circuits, and RF power products for various applications, including power and energy management systems, environmental protection, aerospace, and telecommunications.
Application Field

IXFP7N100P is a high-voltage power MOSFET that can be used in a variety of applications such as power supplies, motor control, lighting, and renewable energy systems. It is suitable for use in industrial, automotive, and consumer electronics applications where high voltage and high current handling capabilities are required.
Package

The IXFP7N100P chip comes in a TO-220 package. It is in the form of a single MOSFET transistor with a size of approximately 10.4mm x 4.8mm x 9.0mm.