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NEXPERIA GAN063-650WSAQ
MOSFET GAN063-650WSA/SOT429/TO-247
브랜드: Nexperia
제조업체부품 #: GAN063-650WSAQ
데이터 시트: GAN063-650WSAQ 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: TO-247-3
상품 유형: MOSFET
GAN063-650WSAQ 일반적인 설명
The GAN063-650WSA is a 650 V, 50 mΩ Gallium Nitride (GaN) FET. It is a normally-off device that combines Nexperia’s state-of-the-art high-voltage GaN HEMT and low-voltage silicon MOSFET technologies — offering superior reliability and performance.
특징
- Ultra-low reverse recovery charge
- Simple gate drive (0 V to +10 V or 12 V)
- Robust gate oxide (±20 V capability)
- High gate threshold voltage (+4 V) for very good gate bounce immunity
- Very low source-drain voltage in reverse conduction mode
- Transient over-voltage capability (800 V)
애플리케이션
- Hard and soft switching converters for industrial and datacom power
- Bridgeless totempole PFC
- PV and UPS inverters
- Servo motor drives
명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Nexperia | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | GaN |
| Mounting Style: | Through Hole | Package / Case: | TO-247-3 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V | Id - Continuous Drain Current: | 34.5 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 60 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.4 V | Qg - Gate Charge: | 15 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation: | 143 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Qualification: | AEC-Q101 | Packaging: | Tube |
| Brand: | Nexperia | Configuration: | Single |
| Product Type: | MOSFET | Factory Pack Quantity: | 30 |
| Subcategory: | MOSFETs | Part # Aliases: | 934660022127 |
| Unit Weight: | 0.211644 oz |
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포장
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부품 포인트
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The GAN063-650WSAQ is a high-performance gallium nitride (GaN) power transistor chip designed for use in applications requiring high power efficiency and density. With a rating of 650V, this chip offers low on-resistance and fast switching speeds, making it ideal for power supply, motor control, and RF applications. Its compact size and high efficiency make it a popular choice for advanced electronic systems.
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Equivalent
The equivalent products of the GAN063-650WSAQ chip are the EPC2052, EPC2053, EPC2054, and EPC2055 from EPC Corporation. These chips are also high-performance gallium nitride power transistors with similar specifications and applications. -
Features
GAN063-650WSAQ features a high-power density of 1.8 kW/cm², a wide operating temperature range of -40°C to +175°C, and a low thermal resistance of 1.43°C/W. It has a compact form factor, high reliability, and is suitable for a wide range of applications including automotive, industrial, and telecommunications. -
Pinout
The GAN063-650WSAQ has a pin count of 5 and is a gallium nitride (GaN) power transistor. It is typically used in applications such as high-frequency power amplifiers and RF transmitters due to its high power density and efficiency. -
Manufacturer
GaN Systems is the manufacturer of GAN063-650WSAQ. It is a supplier of high-power transistors based on gallium nitride (GaN) technology. The company specializes in developing and producing GaN power semiconductors for a variety of industries, including automotive, renewable energy, data centers, and consumer electronics. -
Application Field
The GAN063-650WSAQ is typically used in applications such as wireless communication, radar systems, and satellite communication. It is commonly used in high-frequency power amplifiers due to its high power handling capability and efficiency, making it ideal for applications requiring high power output in small form factors. -
Package
The GAN063-650WSAQ chip is available in a TO-220 package type, with a form of through-hole mounting. It has a size of 10.3mm x 18.85mm x 4.6mm.
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