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Infineon BSM50GB120DN2 48HRS

200V V(BR)CES, 78A I(C), Insulated Gate Bipolar Transistor, N-Channel

ISO14001 ISO9001 DUNS

브랜드: Infineon

제조업체부품 #: BSM50GB120DN2

데이터 시트: BSM50GB120DN2 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: Half Bridge1

RoHS 상태:

재고상태: 8,434 PC, 새로운 원본

상품 유형: IGBT Modules

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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BSM50GB120DN2 일반적인 설명

The BSM50GB120DN2 IGBT module is a versatile dual module designed for high-power applications. With a collector-emitter voltage (Vces) of 1200V and a collector current rating of 78A, this module offers a reliable and efficient solution for various industrial and commercial applications. The module features a power dissipation (Pd) of 400W, ensuring stable and consistent performance under heavy loads. The module's low operating temperature range of -40°C to +125°C makes it suitable for use in extreme environments. The 7-pin module configuration and screw termination type make installation and integration easy and convenient. Additionally, the module's fast fall time (tf) and rise time of 100ns ensure quick and efficient switching, improving system performance and efficiency

특징

  • Low Saturation Inductance
  • High Magnetic Field Strength
  • Ambient Temperature: -20°C to 80°C
  • Irradiance Level: 2000A/cm²

애플리케이션

  • Electric grid infrastructure
  • Wind energy
  • Motor control

명세서

매개변수 매개변수
Product Category IGBT Modules RoHS Details
Product IGBT Silicon Modules Configuration Half Bridge
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1.2 kV Collector-Emitter Saturation Voltage 2.5 V
Continuous Collector Current at 25 C 78 A Gate-Emitter Leakage Current 200 nA
Pd - Power Dissipation 400 W Package / Case Half Bridge1
Minimum Operating Temperature - 40 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Brand Infineon Technologies Height 30.5 mm
Length 94 mm Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Mounting Style Chassis Mount Product Type IGBT Modules
Factory Pack Quantity 10 Subcategory IGBTs
Technology Si Width 34 mm
Part # Aliases SP000095922 BSM50GB120DN2HOSA1

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