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Infineon IRF6619

Name: IRF6619
Rating: 4.5 (10 reviews)

20V MOSFET with 2.2mΩ resistance at 30A

브랜드: Infineon

제조업체부품 #: IRF6619

데이터 시트: IRF6619 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: DirectFET-MX

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

RoHS 상태:

재고상태: 9,458 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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IRF6619 일반적인 설명

The IRF6619 power MOSFET transistor is an exceptional choice for high-efficiency and high-speed switching applications. With a maximum drain-source voltage of 150V and a continuous drain current of 8.5A, it offers great versatility for a wide range of power conversion and motor control tasks. The low on-resistance of 0.047 ohms contributes to efficient power conversion and reduced power losses, while the fast switching speed ensures high-speed operations

특징

Designed for automotive and industrial applications
Low power loss
Low gate charge
Fault-tolerant design

애플리케이션

Automated industrial processes
High power applications
Smart grid systems

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Product Category	MOSFET	RoHS	N
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	DirectFET-MX	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Id - Continuous Drain Current	30 A	Rds On - Drain-Source Resistance	1.65 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Minimum Operating Temperature	- 40 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	2.8 W
Channel Mode	Enhancement	Brand	Infineon Technologies
Configuration	Single	Fall Time	9.3 ns
Height	0.7 mm	Length	6.35 mm
Moisture Sensitive	Yes	Product Type	MOSFET
Rise Time	71 ns	Factory Pack Quantity	4800
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Type	DirectFET Power MOSFET	Typical Turn-Off Delay Time	25 ns
Typical Turn-On Delay Time	21 ns	Width	5.05 mm
Part # Aliases	SP001526848

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부품 포인트

The IRF6619 is a dual N-Channel MOSFET chip designed for use in high-frequency switching applications. It is commonly used in power supply circuits, motor control systems, and DC-DC converters due to its low on-state resistance and high efficiency. The chip features a small package size and is ideal for space-constrained designs.
Equivalent

Some equivalent products of IRF6619 chip are: 1. IRF3205 2. IRF640 3. IRF630 4. IRF740 5. IRF540
Features

IRF6619 is a N-channel power MOSFET with a maximum drain-source voltage of 100V, drain current of 13A, and low on-resistance. It is designed for high-speed switching applications with low gate charge and reduced thermal resistance. This MOSFET also has a TO-220 package for easy mounting and heat dissipation.
Pinout

The IRF6619 is a dual N-channel power MOSFET with a pin count of 8. Pin 1 and 2 are the gate connections for each MOSFET, pin 4 and 5 are source connections, and pin 3 and 6 are connected together and serve as the drain connection. Pin 7 is the substrate connection and pin 8 is the thermal pad.
Manufacturer

The manufacturer of the IRF6619 is Infineon Technologies. Infineon Technologies is a multinational semiconductor manufacturer, specializing in the production of power semiconductors, microcontrollers, and sensor products. They provide solutions for automotive, industrial, communication, and consumer electronics markets.
Application Field

The IRF6619 is commonly used in automotive applications, motor control circuits, power supplies, and LED lighting systems due to its high efficiency, low on-resistance, and fast switching capabilities. It is also suitable for battery chargers, DC-DC converters, and other power management applications where high power handling and reliable performance are required.
Package

The IRF6619 chip is typically packaged in a standard TO-263 form. It comes in a single component package size with a weight of approximately 0.33 grams.