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IXTK120N25P

Name: IXTK120N25P
Rating: 4.5 (10 reviews)

3-Pin N-Channel Transistor with TO-264AA Package, rated for 250V and 120A

브랜드: Ixys

제조업체부품 #: IXTK120N25P

데이터 시트: IXTK120N25P 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: TO-264-3

RoHS 상태:

재고상태: 6,852 PC, 새로운 원본

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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IXTK120N25P 일반적인 설명

When it comes to high-performance applications, the IXTK120N25P is a top contender. This high-power MOSFET transistor boasts a formidable 250V drain-source voltage rating and a continuous drain current of 120A. With a low on-resistance of 0.057 ohms, this N-Channel enhancement mode power MOSFET offers efficient power dissipation and minimal thermal resistance, leading to improved efficiency and reduced power losses. The TO-264 package enhances thermal conduction and power dissipation, while the wide operating temperature range of -55°C to 175°C ensures versatility in various environmental conditions

특징

Low input capacitance
High speed switching
Suitable for DC-DC converters
Low electromagnetic interference (EMI)

애플리케이션

Advanced power transistor for welding
Efficient control in motor applications
Versatile MOSFET for power supplies

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Product Category	MOSFET	RoHS	Details
Technology	Si	Mounting Style	Through Hole
Package / Case	TO-264-3	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	250 V
Id - Continuous Drain Current	120 A	Rds On - Drain-Source Resistance	24 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	5 V
Qg - Gate Charge	185 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Pd - Power Dissipation	700 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	PolarHT
Series	IXTK120N25	Brand	IXYS
Configuration	Single	Fall Time	33 ns
Forward Transconductance - Min	50 S	Height	26.16 mm
Length	19.96 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	33 ns	Factory Pack Quantity	25
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Type	PolarHT Power MOSFET	Typical Turn-Off Delay Time	130 ns
Typical Turn-On Delay Time	30 ns	Width	5.13 mm
Unit Weight	0.352740 oz

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부품 포인트

The IXTK120N25P is a power MOSFET transistor chip designed for high power switching applications. It has a continuous current rating of 120A and a voltage rating of 250V. Its compact size and high efficiency make it ideal for use in power supplies, motor control, and other high-power applications.
Equivalent

Some equivalent products of IXTK120N25P chip are IXFN120N25P, IXFN120N25T, IXKF120N25P, and IXKD120N25P. These devices are also power MOSFETs designed for high frequency and high power applications with similar specifications and performance characteristics.
Features

The IXTK120N25P is a power MOSFET transistor with a voltage rating of 250V and a current rating of 120A. It has a low on-resistance of 48 mΩ and a fast switching speed. This transistor is suitable for high power applications such as motor control, power supplies, and inverters.
Pinout

The pin count of IXTK120N25P is 7 pins. This device is a high-power N-channel IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module used for power switching applications. It combines the high-speed and low-voltage drive capabilities of an MOSFET with the high-current and low-saturation voltage capabilities of a bipolar transistor.
Manufacturer

IXTK120N25P is manufactured by IXYS Corporation. They are a multinational semiconductor company specializing in the development and production of power semiconductors, integrated circuits, and power systems for a wide range of industries including automotive, telecommunications, industrial, and consumer electronics.
Application Field

IXTK120N25P is commonly used in applications such as industrial power supplies, motor controls, welding equipment, and switch mode power supplies. It is also used in automotive and transportation systems, as well as in renewable energy systems like solar inverters and wind turbines.
Package

The IXTK120N25P chip is in a TO-264 package, with a transistor form and size of 3.3 mm x 10 mm.