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IXTX210P10T

Name: IXTX210P10T
Rating: 4.5 (10 reviews)

Ultra-low RDS(on) and high current handling capacity

브랜드: IXYS

제조업체부품 #: IXTX210P10T

데이터 시트: IXTX210P10T 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: TO-247-3

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

RoHS 상태:

재고상태: 9,458 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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IXTX210P10T 일반적인 설명

With the IXTX210P10T P-Channel MOSFET, designers can streamline their high side switching applications by employing a straightforward drive circuit referenced to ground. This innovative approach eliminates the need for extra high side driver circuitry, reducing both complexity and component count. By integrating a complementary power output stage with an N-Channel MOSFET, a power half bridge stage can be effectively designed, further enhancing the efficiency and simplicity of the overall system

특징

Advanced packaging
Improved reliability
Extended temperature range

애플리케이션

Cost-effective solution
Energy-efficient operation
Long-lasting durability

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Manufacturer:	IXYS	Product Category:	MOSFET
RoHS:	Details	Technology:	Si
Mounting Style:	Through Hole	Package / Case:	TO-247-3
Transistor Polarity:	P-Channel	Number of Channels:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	100 V	Id - Continuous Drain Current:	210 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	7.5 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage:	- 15 V, + 15 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	4.5 V	Qg - Gate Charge:	740 nC
Minimum Operating Temperature:	- 55 C	Maximum Operating Temperature:	+ 150 C
Pd - Power Dissipation:	1.04 kW	Channel Mode:	Enhancement
Tradename:	TrenchP	Series:	IXTX210P10
Packaging:	Tube	Brand:	IXYS
Configuration:	Single	Fall Time:	55 ns
Forward Transconductance - Min:	90 S	Height:	21.34 mm
Length:	16.13 mm	Product Type:	MOSFET
Rise Time:	98 ns	Factory Pack Quantity:	30
Subcategory:	MOSFETs	Type:	TrenchP Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time:	165 ns	Typical Turn-On Delay Time:	90 ns
Width:	5.21 mm

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단계1 :제품
단계2 :진공 포장
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단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
단계6 :바코드 배송 태그

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모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The IXTX210P10T chip is a high-performance power transistor that is designed for use in industrial applications. It offers a high power rating and a low on-resistance, allowing it to handle large amounts of current with minimal heat dissipation. This chip is commonly used in motor control, power supplies, and other applications where efficient power handling is essential.
Features

The IXTX210P10T features a single-channel, high-voltage gate driver that is capable of driving devices up to 1200V. It offers low power consumption, integrated protection features, and a wide range of input and output voltage. Additionally, it has a compact package design, making it suitable for various industrial applications.
Pinout

The IXTX210P10T is a power semiconductor device with 3 pins, serving as a high voltage IGBT transistor. The pins are for the collector, emitter, and gate, respectively.
Manufacturer

The manufacturer of the IXTX210P10T is IXYS Corporation. It is a semiconductor company that designs, develops, manufactures, and markets power semiconductors, mixed-signal integrated circuits, and more.
Application Field

The IXTX210P10T is a power MOSFET transistor that can be used in various applications such as industrial automation, motor control, power supplies, and automotive systems. Its high efficiency and low on-resistance make it suitable for high-power applications where reliability and thermal performance are important.
Package

The IXTX210P10T chip is available in the BGA package type with a form factor of 35mm x 35mm.