Infineon BSC021N08NS5
MOSFET TRENCH 40<-<100V
브랜드: Infineon Technologies Corporation
제조업체부품 #: BSC021N08NS5
데이터 시트: BSC021N08NS5 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: SuperSO8 5x6
RoHS 상태:
재고상태: 3789 PC, 새로운 원본
상품 유형: Power Field-Effect Transistors
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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수량 | 단가 | 추가 가격 |
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1 | $4.452 | $4.452 |
10 | $3.909 | $39.090 |
30 | $3.586 | $107.580 |
100 | $3.260 | $326.000 |
500 | $3.108 | $1554.000 |
1000 | $3.041 | $3041.000 |
In Stock:3789 PCS
BSC021N08NS5 일반적인 설명
Infineon's OptiMOS™ MOSFETs in SuperSO8 package extend OptiMOS™ 3 and 5 product portfolio and enable higher power density in addition to improved robustness, responding to the need for lower system cost and increased performance.Low reverse recovery charge (Qrr) improves the system reliability by providing a significant reduction of voltage overshoot, which minimizes the need for snubber circuits, resulting in less engineering cost and effort.
명세서
매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
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Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
Ihs Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES AG | Package Description | , |
Reach Compliance Code | compliant | ECCN Code | EAR99 |
Samacsys Manufacturer | Infineon | Avalanche Energy Rating (Eas) | 679 mJ |
Case Connection | DRAIN | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 80 V | Drain Current-Max (ID) | 226 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0021 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Feedback Cap-Max (Crss) | 82 pF | JESD-30 Code | R-PDSO-N8 |
JESD-609 Code | e3 | Moisture Sensitivity Level | 1 |
Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 8 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 175 °C |
Operating Temperature-Min | -55 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 214 W |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 904 A | Surface Mount | YES |
Terminal Finish | TIN | Terminal Form | NO LEAD |
Terminal Position | DUAL | Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
배송
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포장
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부품 포인트
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The BSC021N08NS5 is a power MOSFET that is commonly used in various electronic devices to regulate power distribution. It offers low on-resistance and high current carrying capability, making it ideal for applications requiring efficient power management. Its compact size and high-performance characteristics make it a popular choice among designers for a wide range of products.
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Equivalent
The equivalent products of BSC021N08NS5 chip are Infineon IPP021N08N5 G MOSFET, ON Semiconductor FDP021N08B N-Channel MOSFET, and Fairchild FDP021N08N3 N-Channel PowerTrench MOSFET. These MOSFETs have similar specifications and can be used as alternatives to the BSC021N08NS5 chip. -
Features
BSC021N08NS5 is a N-channel, 80V, 21A MOSFET with low Rds(on) of 8mΩ. It is suitable for high power applications with high efficiency and fast switching performance. This MOSFET also offers low gate charge and avalanche ruggedness for reliable operation in demanding environments. -
Pinout
The BSC021N08NS5 is a 8-pin dual N-channel power MOSFET with high current capability and low Rds(on). It is commonly used in power management applications such as battery charging, motor control, and power supplies. The pin functions include gate (G), source (S1, S2), and drain (D1, D2) for each channel. -
Manufacturer
The BSC021N08NS5 is manufactured by Infineon Technologies AG, a German semiconductor manufacturer. Infineon is a global leader in the development and production of power semiconductors, sensors, and security solutions for a variety of industries, including automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
The BSC021N08NS5 is a power MOSFET suitable for various applications such as industrial power supplies, motor controls, and DC-DC converters. It can also be used in automotive systems, telecommunications equipment, and general purpose power switching applications where high efficiency and low power dissipation are required. -
Package
BSC021N08NS5 chip is packaged in a TO-263 form with a size of 10.3mm x 12mm.
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