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Infineon BSM100GD120DN2

Name: BSM100GD120DN2
Rating: 4.5 (10 reviews)

Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ECONOPACK-39

브랜드: Infineon

제조업체부품 #: BSM100GD120DN2

데이터 시트: BSM100GD120DN2 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: EconoPACK 3A

RoHS 상태:

재고상태: 9458 PC, 새로운 원본

상품 유형: IGBT Modules

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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BSM100GD120DN2 일반적인 설명

IGBT MODULE, 1200V, ECONOPACK3; Module Configuration:Six; DC Collector Current:150A; Collector Emitter Voltage Vces:3V; Power Dissipation Pd:680W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Operating Temperature Range:-40°C to +125°C; Transistor Case Style:Econopack 3; No. of Pins:39; Current Ic Continuous a Max:100A; Current Temperature:80°C; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:6; Package / Case:Econopack 3; Power Dissipation Max:680W; Power Dissipation Pd:680W; Pulsed Current Icm:200A; Termination Type:Solder; Voltage Vce Sat Typ:2.5V; Voltage Vces:1.2kV

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Product Category	IGBT Modules	RoHS	Details
Product	IGBT Silicon Modules	Configuration	Hex
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1.2 kV	Collector-Emitter Saturation Voltage	2.5 V
Continuous Collector Current at 25 C	150 A	Gate-Emitter Leakage Current	400 nA
Pd - Power Dissipation	680 W	Package / Case	EconoPACK 3A
Minimum Operating Temperature	- 40 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Brand	Infineon Technologies	Height	17 mm
Length	122 mm	Maximum Gate Emitter Voltage	20 V
Mounting Style	Chassis Mount	Product Type	IGBT Modules
Factory Pack Quantity	10	Subcategory	IGBTs
Technology	Si	Width	62 mm
Part # Aliases	SP000100365 BSM100GD120DN2BOSA1

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단계2 :진공 포장
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부품 포인트

The BSM100GD120DN2 is a power semiconductor module designed for industrial applications. It combines IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) technology with a diode for efficient power conversion. With a voltage rating of 1200V and a current rating of 100A, it offers high reliability and performance in various power electronic systems such as motor drives and inverters.
Equivalent

Equivalent products to the BSM100GD120DN2 chip include Infineon's FF100R12KT4 and FF150R12KT4 modules, as well as Semikron's SKM100GB128D module. These are all insulated-gate bipolar transistors (IGBT) designed for high-power applications, offering similar specifications and performance characteristics.
Features

The BSM100GD120DN2 is an IGBT power module with a voltage rating of 1200V and a current rating of 100A. It features low switching losses, high efficiency, and a compact design suitable for various industrial applications, particularly in motor drives and renewable energy systems.
Pinout

The BSM100GD120DN2 is a dual IGBT module with a pin count of 14. Its functions include high power switching and motor control in industrial applications.
Manufacturer

The BSM100GD120DN2 is manufactured by Infineon Technologies AG. Infineon is a multinational semiconductor manufacturer specializing in power semiconductors, microcontrollers, and sensors. They cater to various industries such as automotive, industrial, and consumer electronics.
Application Field

The BSM100GD120DN2 is typically used in industrial applications such as motor drives, renewable energy systems, and power supplies. It's particularly suitable for high-power applications due to its high voltage and current ratings, making it ideal for efficient energy conversion and motor control.
Package

The BSM100GD120DN2 is a power module with a dual IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) chip. It is packaged in a module form and typically comes in a size of 100 x 140 x 30 mm.