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Infineon BSM150GB120DN2

Name: BSM150GB120DN2
Rating: 4.5 (10 reviews)

Trans IGBT Module N-CH 1200V 210A 1250W 7-Pin 62MM-1

브랜드: Infineon

제조업체부품 #: BSM150GB120DN2

데이터 시트: BSM150GB120DN2 Datasheet (PDF)

패키지/케이스: Half Bridge2

RoHS 상태:

재고상태: 2336 PC, 새로운 원본

상품 유형: 트랜지스터

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

가격

*모든 가격은 USD 단위입니다.

수량	단가	추가 가격
1	$415.405	$415.405
200	$160.757	$32151.400
500	$155.107	$77553.500
1000	$152.315	$152315.000

In Stock:2336 PCS

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BSM150GB120DN2 일반적인 설명

IGBT Module Half Bridge 1200 V 210 A 1250 W Chassis Mount Module

특징

It is a 1200V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module with a maximum current rating of 150A.
It has a low on-state voltage drop, which helps to reduce power losses.
The module has a built-in temperature monitoring system that protects against overheating.
It is designed to be rugged and reliable, with a high level of resistance to thermal and electrical stress.
The module is equipped with fast-switching IGBTs, which makes it suitable for high-frequency applications.

애플리케이션

Industrial motor drives
Solar inverters
Uninterruptible power supplies (UPS)
Welding equipment
Switched-mode power supplies (SMPS)

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Product Category	IGBT Modules	RoHS	Details
Product	IGBT Silicon Modules	Configuration	Half Bridge
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1.2 kV	Collector-Emitter Saturation Voltage	2.5 V
Continuous Collector Current at 25 C	210 A	Gate-Emitter Leakage Current	320 nA
Pd - Power Dissipation	1.25 kW	Package / Case	Half Bridge2
Minimum Operating Temperature	- 40 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Brand	Infineon Technologies	Height	30 mm
Length	106.4 mm	Maximum Gate Emitter Voltage	20 V
Mounting Style	Chassis Mount	Product Type	IGBT Modules
Factory Pack Quantity	10	Subcategory	IGBTs
Technology	Si	Width	61.4 mm
Part # Aliases	SP000095942 BSM150GB120DN2HOSA1

배송

	배송비	리드타임
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
페덱스	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
등기 항공 우편	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날

처리 시간: 배송비는 지역 및 국가에 따라 다릅니다.

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보증

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포장

단계1 :제품
단계2 :진공 포장
단계3 :정전기 방지 가방
단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
단계6 :바코드 배송 태그

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우리는 선적 전에 모든 상품을 검사하고, 모든 제품이 양호한 상태인지 확인하고, 부품이 새로운 원본 일치 데이터시트인지 확인합니다.

모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

등가 부품

에 대한 BSM150GB120DN2 구성 요소인 경우 이러한 교체 및 대체 부품을 고려할 수 있습니다.:

부품 번호

브랜드

패키지

설명

부품 번호 : IXYS

브랜드 :

패키지 :

설명 : MCC312-16IO1

부품 번호 : Fuji

브랜드 :

패키지 :

설명 : Electric 6MBI150UB-120

부품 번호 : Powerex

브랜드 :

패키지 :

설명 : CM150DY-12H

부품 포인트

The BSM150GB120DN2 is a high power IGBT module designed for use in industrial applications such as motor drives and renewable energy systems. It features a current rating of 150A and a voltage rating of 1200V, making it suitable for high-power applications. The module is highly reliable and efficient, making it a popular choice for demanding applications.
Equivalent

The equivalent products of BSM150GB120DN2 chip are Infineon IGBT module FF150R12KE3, Eupec IGBT module FP15R12W3T4, and IXYS IGBT module F10C20C. These products are similar in specifications and can be used interchangeably with the BSM150GB120DN2 chip.
Features

BSM150GB120DN2 is an IGBT module with a rated current of 150 A and a maximum voltage of 1200 V. It features low power loss and low operational temperature rise. It has an integrated gate resistor for easier drive circuit design and improved system reliability.
Pinout

The BSM150GB120DN2 is a dual IGBT module with a pin count of 7. The functions of the pins are as follows: Pin 1 is Gate 1, Pin 2 is Emitter 1, Pin 3 is Collector 1, Pin 4 is Common emitter, Pins 5 and 6 are Collector 2 and Emitter 2 respectively, and Pin 7 is Gate 2.
Manufacturer

Infineon Technologies is the manufacturer of the BSM150GB120DN2. It is a German multinational corporation that specializes in semiconductor solutions for automotive, industrial, and digital security applications. Infineon Technologies is a leading provider of power semiconductors, microcontrollers, and sensors for a variety of industries worldwide.
Application Field

The BSM150GB120DN2 is typically used in high power inverter applications, such as industrial drives, wind turbines, and solar inverters. It is designed for high switching frequencies and has low power loss characteristics, making it ideal for demanding applications that require high efficiency and reliability.
Package

The BSM150GB120DN2 chip is a module with a Half-bridge IGBT All-Si Module type package. It is in a Single Phase form and has a size of 150mm x 62mm x 30mm.